浙江理工大学——一种ZnGa2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法

发布时间: 2024年11月28日
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2024年11月27日 - 2025年05月26日
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****——一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法

受科技成果所有方的委托,拟对以下1项成果做先用后转的招商推介,现将有关事项公告如下:

一、标的物:“一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法”成果

二、成果简介

本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法,具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底,采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂βGa2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层,并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极,制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度,采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜,方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜,工艺可控性强,易操作,所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

三、联系电话:0571-****5382。(工作日上午9时~12时,下午2时~5时)

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