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一种太赫兹半导体激光器及其制造方法

公告-招标公告

山西

发布时间： 2025年06月13日

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赫兹半导体激光器制造

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一种太赫兹半导体激光器及其制造方法

披露起始日期披露结束日期项目负责人

2025-06-13	2026-06-12
杨普宇 183****3785

一种太赫兹半导体激光器及其制造方法，该太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层、半绝缘衬底层、高掺杂半导体层及结构相同的两个台面，两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为该激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。本发明基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和光束质量。