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铌酸锂薄膜电光调制器研发及产业化项目
项目详情
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400-688-2000
1、建设项目基本信息
企业基本信息
| **** | 建设单位代码类型：|
| 914********76928XD | 建设单位法人：黄宣泽 |
| 喻洪剑 | 建设单位所在行政区划：**省**市**区 |
| ****开发区流苏南路1号（自贸区**片区） |
建设项目基本信息
| 铌酸锂薄膜电光调制器研发及产业化项目 | 项目代码：**** |
| 建设性质： | |
| 2021版本:080- | 行业类别（国民经济代码）：C3976-光电子器件制造 |
| 建设地点： | **省**市**区 武****开发区潭湖路 1 号 |
| 经度:114.414440 纬度: 30.430320 | ****机关：****环境局****分局 |
| 环评批复时间： | 2023-08-11 |
| 武环**审〔2023〕51号 | 本工程排污许可证编号：914********76928XD001Q |
| 2020-09-08 | 项目实际总投资(万元)：5000 |
| 100 | 运营单位名称：**** |
| 914********76928XD | 验收监测(调查)报告编制机构名称：景朗生态环境****公司 |
| ****0100MA49H2D034 | 验收监测单位：******公司 |
| ****0115MA7HFBQ37J | 竣工时间：2026-04-01 |
| 调试结束时间： | |
| 2026-05-07 | 验收报告公开结束时间：2026-06-03 |
| 验收报告公开载体： | https://www.****.com/gs/detail/2?id=60507aGr5d |
2、工程变动信息
项目性质
| 扩建 | 实际建设情况：扩建 |
| / | 是否属于重大变动：|
规模
| 铌酸锂薄膜电光调制器10000只/年 | 实际建设情况：铌酸锂薄膜电光调制器10000只/年 |
| / | 是否属于重大变动：|
生产工艺
| （1）铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产工艺流程：衬底清洗-波导光刻-波导刻蚀-上包层沉积-种子层光刻-种子层蒸镀-剥离清洗-光刻显影-化学镀-解离线光刻-解离线刻蚀-测试 （2）铌酸锂薄膜电光调制器生产工艺流程：贴片-金丝键合-检测-封帽-老化-测试-检验-擦拭-激光焊接-温循-测试 | 实际建设情况：（1）铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产工艺流程：衬底清洗-波导光刻-波导刻蚀-上包层沉积-种子层光刻-种子层蒸镀-剥离清洗-光刻显影-化学镀-解离线光刻-解离线刻蚀-测试 （2）铌酸锂薄膜电光调制器生产工艺流程：贴片-金丝键合-检测-封帽-老化-测试-检验-擦拭-激光焊接-温循-测试 |
| / | 是否属于重大变动：|
环保设施或环保措施
| 废气：铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产中产生的有机废气来自涂胶、剥离清洗等工序，经设备上方集气罩收集，同时生产车间为清洁车间，全密闭状态，废气经有机废气治理装置（活性炭吸附）处理后通过25m高DA002排气筒排放；铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产中上包层气相沉积工艺尾气（石英粉尘、氮氧化物、氟化物），经项目等离子化学气相沉积PECVD设备（设备均为密封状态）自带等离子高温氧化装置处理后，与衬底清洗、刻蚀工序产生的废气分别经管道进入B1厂房楼顶碱液喷淋洗涤塔处理，该套酸性废气治理设施为本项目新增，后经25m高DA011排气筒排放；铌酸锂薄膜电光调制器器件贴片产生的有机废气收集后依托A2厂房现有有机废气治理装置（活性炭吸附装置）处理后通过21m高DA014排气筒排放。 废水：项目厂区采用雨污分流制。雨水经厂区雨水管收集后排入市政雨水管网。项目不新增员工，故不增加生活污水。生产过程中使用浓盐酸对衬底进行清洗，产生的酸性废液作为危废处理；碱液喷淋塔定排水经现有含氟废水处理设施处理，纯水制备浓水和衬底纯水清洗后产生的酸性废水经现有一体化废水处理设施处理，后经厂区废水总排放口纳入市政污水管网，****处理厂集中处理，尾水排入长江（**段） 固废：①危险废物：本项目产生的危险废物依托厂区现有危废暂存间暂存，定期交由危废资质单位安全处置； ②一般工业固废：一般工业固体废物的废包装材料外售物资单位，废金属残渣收集后由厂家回收，含氟污泥交由一般工业固废处置场填埋。 噪声：选用低噪声设备，合理布局、基础减振、定期维护保养。 | 实际建设情况：废气：铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产中产生的有机废气来自涂胶、剥离清洗等工序，经设备上方集气罩收集，同时生产车间为清洁车间，全密闭状态，废气依托B1厂房现有活性炭吸附装置处理后通过32m高DA002排气口排放；铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产中上包层气相沉积工艺尾气（石英粉尘、氮氧化物、氟化物），经项目等离子化学气相沉积PECVD设备（设备均为密封状态）自带等离子高温氧化装置处理后，与衬底清洗、刻蚀工序产生的废气分别经管道进入B1厂房楼顶碱液喷淋洗涤塔处理，该套酸性废气治理设施为本项目新增，后经30m高DA011排气筒排放；铌酸锂薄膜电光调制器器件贴片产生的有机废气收集后依托A2厂房现有有机废气治理装置（活性炭吸附装置）处理后通过22m高DA014排气筒排放。 废水：项目厂区采用雨污分流制。雨水经厂区雨水管收集后排入市政雨水管网。项目不新增员工，故不增加生活污水。生产过程中使用浓盐酸对衬底进行清洗，产生的酸性废液作为危废处理；碱液喷淋塔定排水经现有含氟废水处理设施处理，纯水制备浓水和衬底纯水清洗后产生的酸性废水经现有一体化废水处理设施处理，后经厂区废水总排放口纳入市政污水管网，****处理厂集中处理，尾水排入长江（**段） 固废：①危险废物：本项目产生的危险废物依托厂区现有危废暂存间暂存，定期交由危废资质单位安全处置； ②一般工业固废：一般工业固体废物的废包装材料外售物资单位，废金属残渣收集后由厂家回收，含氟污泥交由一般工业固废处置场填埋。 噪声：选用低噪声设备，合理布局、基础减振、定期维护保养。 |
| / | 是否属于重大变动：|
其他
| / | 实际建设情况：/ |
| / | 是否属于重大变动：|
3、污染物排放量
| 11.9267 | 0.03 | 0 | 0 | 0 | 11.957 | 0.03 | |
| 5.956 | 1837 | 0 | 0 | 0 | 1842.956 | 1837 | |
| 0.5961 | 0.0018 | 0 | 0 | 0 | 0.598 | 0.002 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0.213 | 0 | 0.3564 | 0 | 0 | 0.213 | 0 | / |
| 0.0271 | 0 | 0.0008 | 0 | 0 | 0.027 | 0 | / |
| 0.6875 | 0 | 0.0107 | 0 | 0 | 0.688 | 0 | / |
4、环境保护设施落实情况
表1 水污染治理设施
| 1 | 含氟废水处理设施 | 《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）、《污水综合排放标准》（GB8978-1996） | 处理工艺为“酸碱中和+反应沉淀”，处理能力5m3/d | 每天采样4次，采样1天 | |
| 2 | 酸碱废水处理设施 | 《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）、《污水综合排放标准》（GB8978-1996） | 处理工艺为“酸碱中和+混凝沉淀”，处理能力2m3/h | 每天采样4次，采样2天 |
表2 大气污染治理设施
| 1 | 碱液喷淋洗涤塔 | 《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）、《工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2020） | ** | 每天采样三次，监测两天 | |
| 2 | 活性炭吸附装置 | 《工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2020） | 依托现有已建 | 每天采样三次，监测两天 | |
| 3 | 活性炭吸附装置 | 《工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2020） | 依托现有已建 | 每天采样三次，监测两天 |
表3 噪声治理设施
表4 地下水污染治理设施
表5 固废治理设施
| 1 | 依托厂区现有危废暂存间暂存，定期交由危废资质单位安全处置； | 依托厂区现有危废暂存间暂存，定期交由危废资质单位安全处置； | |
| 2 | 一般工业固体废物的废包装材料外售物资单位，废金属残渣收集后由厂家回收，含氟污泥交由一般工业固废处置场填埋。 | 一般工业固体废物的废包装材料外售物资单位，废金属残渣收集后由厂家回收，含氟污泥交由一般工业固废处置场填埋。 |
表6 生态保护设施
表7 风险设施
5、环境保护对策措施落实情况
依托工程
| 依托现有已建A2厂房1~2层区域进行建设，包括小型化封装车间、自动化测试车间等； 依托现有已建B1厂房1~2层区域进行建设，包括光电设计、芯片加工车间等； 项目厂区采用雨污分流制。雨水经厂区雨水管收集后排入市政雨水管网。项目不新增员工，故不增加生活污水。生产过程中使用浓盐酸对衬底进行清洗，产生的酸性废液作为危废处理；碱液喷淋塔定排水经现有含氟废水处理设施处理，纯水制备浓水和衬底纯水清洗后产生的酸性废水经现有一体化废水处理设施处理，后经厂区废水总排放口纳入市政污水管网，****处理厂集中处理，尾水排入长江（**段） 铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产中产生的有机废气来自涂胶、剥离清洗等工序，经设备上方集气罩收集，同时生产车间为清洁车间，全密闭状态，废气经有机废气治理装置（活性炭吸附）处理后通过25m高DA002排气筒排放 铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产中上包层气相沉积工艺尾气（石英粉尘、氮氧化物、氟化物），经项目等离子化学气相沉积PECVD设备（设备均为密封状态）自带等离子高温氧化装置处理后，与衬底清洗、刻蚀工序产生的废气分别经管道进入B1厂房楼顶碱液喷淋洗涤塔处理，该套酸性废气治理设施为本项目新增，后经25m高DA011排气筒排放 铌酸锂薄膜电光调制器器件贴片产生的有机废气收集后依托A2厂房现有有机废气治理装置（活性炭吸附装置）处理后通过21m高DA014排气筒排放 ①危险废物：本项目产生的危险废物依托厂区现有危废暂存间暂存，定期交由危废资质单位安全处置； ②一般工业固废：一般工业固体废物的废包装材料外售物资单位，废金属残渣收集后由厂家回收，含氟污泥交由一般工业固废处置场填埋。 | 验收阶段落实情况：依托现有已建A2厂房1~2层区域进行建设，包括小型化封装车间、自动化测试车间等； 依托现有已建B1厂房1~2层区域进行建设，包括光电设计、芯片加工车间等； 项目厂区采用雨污分流制。雨水经厂区雨水管收集后排入市政雨水管网。项目不新增员工，故不增加生活污水。生产过程中使用浓盐酸对衬底进行清洗，产生的酸性废液作为危废处理；碱液喷淋塔定排水经现有含氟废水处理设施处理，纯水制备浓水和衬底纯水清洗后产生的酸性废水经现有一体化废水处理设施处理，后经厂区废水总排放口纳入市政污水管网，****处理厂集中处理，尾水排入长江（**段） 铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产中产生的有机废气来自涂胶、剥离清洗等工序，经设备上方集气罩收集，同时生产车间为清洁车间，全密闭状态，废气经有机废气治理装置（活性炭吸附）处理后通过32m高DA002排气筒排放 铌酸锂薄膜电光调制器芯片生产中上包层气相沉积工艺尾气（石英粉尘、氮氧化物、氟化物），经项目等离子化学气相沉积PECVD设备（设备均为密封状态）自带等离子高温氧化装置处理后，与衬底清洗、刻蚀工序产生的废气分别经管道进入B1厂房楼顶碱液喷淋洗涤塔处理，该套酸性废气治理设施为本项目新增，后经30m高DA011排气筒排放 铌酸锂薄膜电光调制器器件贴片产生的有机废气收集后依托A2厂房现有有机废气治理装置（活性炭吸附装置）处理后通过22m高DA014排气筒排放 ①危险废物：本项目产生的危险废物依托厂区现有危废暂存间暂存，定期交由危废资质单位安全处置； ②一般工业固废：一般工业固体废物的废包装材料外售物资单位，废金属残渣收集后由厂家回收，含氟污泥交由一般工业固废处置场填埋。 |
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环保搬迁
| / | 验收阶段落实情况：/ |
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区域削减
| / | 验收阶段落实情况：/ |
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生态恢复、补偿或管理
| / | 验收阶段落实情况：/ |
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功能置换
| / | 验收阶段落实情况：/ |
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其他
| / | 验收阶段落实情况：/ |
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6、工程建设对项目周边环境的影响
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7、验收结论
| 1 | 未按环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施，或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书（表）经批准后，该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动，建设单位未重新报批环境影响报告书（表）或环境影响报告书（表）未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成，或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目，无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目，其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚，被责令改正，尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实，内容存在重大缺项、遗漏，或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 | |
| 验收结论 | 合格 |
温馨提示
1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展，属于前期项目。
2.根据该项目的描述，可依据自身条件进行选择和跟进，避免错过。
3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设，也可继续跟踪，项目可能还有其他相关后续工程与服务。
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