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| 工程名称 | 第三代半导体功率器件生产项目 | 建设地址 | ****开发区高新七路以南,春光路以西 |
| 工程项目编号 | **** | 施工许可证电子证照编号 | 420********4080101 |
| 项目分类 | 房屋建筑工程 | 项目属地 | - |
| 建设单位 | **** | 建设单位代码 | ****0100MAC2Y2DD0C |
| 建设单位项目负责人 | 李刚 | 项目负责人证件号码 | ****22198******39 |
| 计划开工日期 | 2024-03-17 | 计划竣工日期 | 2025-06-30 |
| 合同价格(万元) | 3735 | 总面积(平方米) | 16398.09 |
| 合计地上面积(平方米) | 13697.67 | 合计地下面积(平方米) | 2653.92 |
| 发证机关 | ****开发区****管理局 | 发证机关代码 | ****0119MB1A001164 |
| 签发日期 | ****0408 | 管理属地 | - |
| 建设规模 | **厂房、技术中心及其配套设施等总建筑面积约250000平方米; 购置光刻机、高温离子注入机等设备共计约2100台套; 建设第三****基地,年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延,年产6100万个功率器件模块; 年产值约532250万元。 |
| 勘察 | 中南****公司 | 914********692997H | 胡励耘 | ****02197******79 |
| 设计 | 信****设计研究院****公司 | 915********9764990 | 龚** | ****05197******35 |
| 施工 | ****集团****公司 | 911********715726A | 万军 | ****36199******55 |
| 监理 | ********公司 | 913********08517XG | 钱争光 | ****27198******92 |
| 116c控制室 | 地上面积92.61平方米,地上层数1层,地下层数0层 | 92.61 |
| 116大宗气站 | 地上面积1753.37平方米,地上层数1层,地下层数0层 | 1753.37 |
| 116a氢氦供应站 | 地上面积1388.9平方米,地上层数1层,地下层数0层 | 1435.4 |
| 117废水站 | 地上面积8738.45平方米,地下面积2653.92平方米,地上层数2层,地下层数1层 | 11392.37 |
| 116b氮气站 | 地上面积1724.34平方米,地上层数2层,地下层数0层 | 1724.34 |