PI Curing设备补遗文件（一）

PI Curing设备

补遗文件（一）

各投标人：

现将本项目补遗文件（一）发布如下：

1、本项目招标文件第八章“二、技术规格”中“二、设名称、型号、规格及数量”第“4总体配置：

设备状态为全新全自动化设备，适用于200mm notch wafer的batch式炉管

设备自带SMIF装置

适用于SMIF-RFID式的圆片传送识别装置

设备满足甲方三相208V/380V或单相100V/120V/220V的供电要求

设备支持标准的SECS/GEM通讯协议，并支持与MES连接

系统要有软硬盘存储数据功能，工作电脑需配备双硬盘实时备份并提供系统备份”

修改为：

“4.总体配置：

设备状态为全新全自动化设备，适用于200mm notch wafer的batch式炉管

设备自带SMIF/Loadport装置

适用于SMIF-RFID式的圆片传送识别装置

设备满足甲方三相208V/380V或单相100V/120V/220V的供电要求

设备支持标准的SECS/GEM通讯协议，并支持与MES连接

系统要有软硬盘存储数据功能，工作电脑需配备双硬盘实时备份并提供系统备份

随设备配置一套8吋工艺需要的石英及热电偶

随设备配置一套设备保养所需的治具”

2、本项目招标文件第八章“二、技术规格”中“三、设备技术指标

PI Curing炉要求能够达到如下性能指标：

1) *适用200mm notch晶圆工艺，可cover晶圆厚度400~2000um

2) *支持wafer翘曲度≤±3mm

3) *温度控制精度：±1℃（150℃~600℃）

4) *温度均匀性（wafer to wafer，within wafer） ±1.5℃(150℃~600℃)

5) *Process chamber含氧量控制：≤10ppm

6) *需配备Gas管路: O2，N2

7) *Batch size ≥75片

8) *MTBF大于250小时，uptime ≥90%

9) *Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs

10) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等。

11) *颗粒控制<20 @0.5um

12) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等

13) *Boat可旋转

14) *设备在先进封装领域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装）具有量产经验，装机量≥2台

15) 具备快速降温能力”

修改为：

三、设备技术指标

PI Curing炉要求能够达到如下性能指标：

1）*适用200mm notch晶圆工艺，可cover晶圆厚度400~2000um

2）*支持wafer翘曲度≤±3mm

3）*温度控制精度：±1℃（150℃~600℃）

4）*Process chamber含氧量控制：≤10ppm

5）*需配备Gas管路: O2，N2

6）*Batch size ≥75片

7）*MTBF大于250小时，uptime ≥90%

8）*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs

9) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等。

10) *颗粒控制<20 @0.5um

11) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等

12) *设备在先进封装领域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装）具有量产经验，装机量≥2台

13) 具备快速降温能力

3、投标文件的递交时间修改为：标书代写

投标截止时间（开标时间）：2024年 5 月 16 日14：00 分,投标文件递交时间：2024年 5月 16 日13 ：30分－2024年 5 月 16 日14 ：00 分。标书代写

注：已发出的招标文件与本补遗文件（一）有冲突的地方，以本补遗文件（一）为准。

招标人：****

招标代理机构：****

联系人：王静

电话： 186****8091

2024年4月30日