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项目所在采购意向: | (略) |
采购单位: | (略) |
采购项目名称: | (略) |
预算金额: | (略) |
采购品目: | (略) |
采购需求概况 : | 设备用途: 用于在超高真空下制备高质量外延薄膜,获得大面积、高性能的单晶,包括半导体、能源材料、传感材料、金属薄膜等,服务于凝聚态物理、材料物理与化学等学科方向。 技术指标: (1)极限真空: lt;5E-10 mbar; (2)蒸发源:6个; (3)带晶振薄厚仪; (4)带等离子源(Plasma Source); (5)带高能电子衍射仪(RHEED); (6)带液氮冷阱; (7)预真空室带6个样品停放位; (8)生长温度:室温至1400摄氏度。 |
预计采购时间: | (略) |
备注: |
本次公开(略),具体采购项目情(略)。