广东中科半导体微纳制造技术研究院2024年05月至2024年06月政府采购意向

发布时间: 2024年05月13日
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为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔(略)等有关规定,现将本单位(略)年06月采购意向公开如下:

序号 采购项目名称 采购需求概况 落实政府采购政策情况 预算金额(元) 预计采购时间 备注
1 (略)
标的名称:(略)
标的数量:1
主要功能或目标:气相刻蚀是一种干法释放的微电子制造刻蚀技术,这种刻(略),消除了传统湿法刻蚀过程中的粘附问题。 ①使用HF气(略),SiO2表(略)。这种工艺主要用来对SiO2的同向性刻蚀。②使用XeF2气体进行Si刻蚀,Si表面与XeF2反应生成SiF4分子,这种工艺主要用来对Si的各向同性刻蚀。
需满足的要求:①HF释放工艺要求:释放良率:MEMS结构需100%无黏附干法释放;刻蚀速率:悬臂结构刻蚀速率>0.3 μm/min;空白暴露SiO2刻蚀>0.1μm/min;片内均匀性:≤5% 1(悬臂结构:Si/SiO2复合薄膜;空白暴露SiO2:硅衬底Si/SiO2复合薄膜);②XeF2释放工艺要求:释放良率:MEMS结构需100%无黏附干法释放;刻蚀速率:悬臂刻蚀>3 μm/min;
落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残(略) (略) (略)
2 (略)
标的名称:(略)
标的数量:1
主要功能或目标:磁控溅射是一种常用的物理气相沉积(PVD)的方法,可在低沉积温度下,实现(略),所沉积的薄膜具有均匀性好、成分接近靶材成分等众多优点。 主要用于(略)靶材;可用于反应溅射。
需满足的要求:适用8英寸及以下尺寸晶圆;极限真空≤2E-5 Pa; 抽气速率:工艺腔从大气抽到5E-4Pa的时间≤30分钟;真空漏率≤6E-3Pa.L/s;最高加热温度≥500℃;工件盘最高转速≥20转/min,转速连续可调;镀膜均匀性:优于±3%(直径8英寸范围内);批次间重复性:优于±2%;靶枪:每个溅射工艺腔室配置的数量≥4个;增强磁场靶枪:其中一个溅射工艺腔室配置数量≥2个。
落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小(略) 6,000,000.00 2024年06月

本次公开的(略),具体采购项(略)。

广东中科半导体微纳制造技术研究院

(略)

招标进度跟踪
2024-05-13
招标预告
广东中科半导体微纳制造技术研究院2024年05月至2024年06月政府采购意向
当前信息
招标项目商机
2024-05-23
2024-05-23
2024-05-09
2024-05-09
2024-04-29
2024-04-25
2024-04-24
2024-04-22
2024-04-20