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项目所在采购意向: | (略)2024年5至12月政府采购意向 |
采购单位: | (略) |
采购项目名称: | (略) |
预算金额: | (略) |
采购品目: | (略) |
采购需求概况 : | 1 具体参数指标: 1.1 *物理设计采用12nm标准工艺库,金属层不低于8层; 1.2 *物理设计需完成在标准6T低功耗工艺库下,芯片运行主频不低于1GHz; 1.3 ULVT库使用占比8%以下; 1.4 #支持单die至少4个时钟域的物理设计; 1.5 #具备已商用的主流PCIe的物理设计能力; 1.6 #具备已商用的主流LPDDR物理设计能力; 1.7 *具备片上存储容量不低于8MB的物理设计能力; 1.8 支持Cu Pillar bump物理封装pin脚参数设置; 1.9 支持使用专业的数字工具实现布局布线和提取增强功能,使用静态分析工具进行时序、信号完整性分析、功耗等分析,使用验证工具支持DRC、LVS以及高级金属填充、电压相关检查和设计功能; 1.10 物理设计完成时间:初版完成日期:提供最终芯片网表 + 4.5个月,优化完成版完成日期:提供最终芯片网表 + 6.5个月; 1.11 提供包括DRC/LVS、时序、布局布线以及说明书等文档材料,其中包括: 1.11.1 后端物理设计实现方案; 1.11.2 时序约束文件; 1.11.3 STA分析报告; 1.11.4 完整的GDS和ATE测试pattern(包含High Speed SCAN及MBIST测试向量)、面积/功耗/性能trade off报告。 2 项目组织实施要求 2.1 提供详细的项目组织实施方案: 2.2 提供有效的信息安全管理措施; |
预计采购时间: | (略) |
备注: |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采(略)。