[BA202400711]碳化硅外延片备案公示公告

发布时间: 2024年06月12日
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[****]碳化硅外延片备案公示公告
发布时间:2024-06-12 15:09:44
采购信息
项目编号 项目名称 经办人单位 经办人 预算金额 成交金额 成交供应商 质保期 联系地址 付款方式 供应商联系手机 交货时间 交货地址 交货方式 包装及运费 验收方式 售后服务要求 采购材料
****碳化硅外延片
物理学院陆景彬
66000.00 人民币66000.00 人民币
宸玑(上****公司6 月
**市-市辖区-**区南汇**镇环湖西二路 888 号 C 楼 采购单位 ****
货到验收合格办理相关手续后100%付款。
135****0807成交单签订后10天内交货
**省-**市-****中心校区物理楼130室
乙方免费将产品送达甲方用户单位指定地点。
由乙方免费提供及承担
以成交单为准,参考相关内容进行验收。验收程序以甲方职能部门规定为准。
本合同质保期为0.5年,自货物交付之日开始计算。 售后服务要求供应商协助提供所列文字材料:(1):研究报告1份;(2):协助我方申请发明专利5项(包括说明书、说明书摘要、说明书附图、权利要求书、摘要附图)并参与回复审查意见,直到专利申请流程结束;(3):封装方案1份;(4):协助完成测试报告(电学性能测试、稳定性测试)。
自主采购评审报告.pdf
明细清单
采购品目 品牌名称 名称 产地及生产商 规格型号 数量 计量单位 保修年限 单价 总价 主要技术参数
合成材料宸玑
碳化硅外延片中国-宸玑(上****公司
24mm*8mm*0.7mm10
1 年
6600.00 人民币66000.00 人民币
NO. 表征 单位 规格 1 晶型 - 4H 2 表面 - 硅面 (0001)silicon-face 3 主平边长度 mm 47.5±1.5 4 衬底电阻率 Ohm﹒cm 0.015~0.025 5 偏角方向<11-20> - 4±0.5° 6 主参考面晶向 - <11-20>±0.5° 7 衬底微管密度 cm-2 ≤0.2 16 缺陷 可用面积 (2x2 mm2 Die) - ≥95% 表面缺陷包括但不限于三角形、掉落物、彗星缺陷和胡萝卜缺陷 cm-2 ≤0.5 基平面位错BPD cm-2 ≤0.5 划痕 Scratch - 总长度≤0.5个直径 崩边或裂痕(不去边) edge chip or Cracks - zero 17 表面 粗糙度(Ra,10x10 μm2) nm 0.5 18 背面 背抛 μm ≤10.0 19 背面 刮痕距边缘位置 mm ≤2.0 20 背面 异物(去边2mm) - zero 21 平面度 总厚度变化TTV μm ≤10.0 局部厚度变化-最大值LTV-Max μm ≤3.0 局部厚度变化-平均值LTV-Avg μm ≤2.0 弯曲度BOW μm ±30.0 翘曲度WARP μm ≤40.0 平均厚度 μm (350±25)+11 22 金属污染 Na,K,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni, Cu,Zn,Au,Ag,V,Hg,W atoms/cm-2 ≤5E+10 23 碳化硅外延片数量为10套(80片)。 24 由碳化硅外延片制成的β辐射伏特效应核电池的封装方案和性能测试样品满足: 指标一:提供封装后器件体积<30X10X5mm的封装方案; 指标二:电子束测试样机输出功率>100μW(含电容器等储能器件和电子束测试样机系统的整体瞬时输出功率)。
信息咨询
**大学招****管理中心

设 备 类:林老师: 0431-****7310

工 程 类:白老师: 0431-****7313

服务及其他货物:李老师: 0431-****7309

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2024-06-12
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