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增强型氮化镓功率集成电路芯片MPW（AHU-XNJJ20240205）采购公告

公告-招标公告

发布时间： 2024年07月30日

标书代写官方

摘要信息

招标单位

招标编号

招标估价

招标联系人

招标代理机构

代理联系人

报名截止时间

投标截止时间

关键信息

集成电路芯片

招标详情

下文中****为隐藏内容，仅对千里马会员开放，如需查看完整内容请或拨打咨询热线： 400-688-2000

相关单位：

***********公司企业信息

项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式联系人联系电话签约时间要求到货时间要求预算总价发票要求含税要求送货要求安装要求收货地址供应商资质要求公告说明

增强型氮化镓功率集成电路芯片MPW	****
2024-07-30 10:40:36	2024-08-01 11:00:00
****	货到验收付款


￥45000.00




****磬苑校区材料科学大楼B507，B511
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购清单1

采购商品采购数量计量单位所属分类

增强型氮化镓功率集成电路

项

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 45000.00

一、使用主流 p 型栅 GaN-on-Si 工艺平台的 GaN IC 技术开发流片，要求工艺平台： 1. 具备两层互联金属工艺（M1+M2）； 2. 最小工艺线宽 0.5um； 3. 使用 p-GaN 栅增强型器件技术； 4. 可以单片集成 650V E-mode、12V E/D-mode、二维电子气电阻以及 MIM 电容等元器件。二、****工厂提供的设计文档（design mannual），基于 process rule 设计测试图形。三、此次项目交付内容包括： 1. 六英寸 GaN-on-Si 整晶圆 1 片； 2. ****工厂的 GDS 文档； 3. 版图设计文档。四、其它晶圆参数指标： (1) 沟道方阻 <600ohm/sq，欧姆接触电阻 <0.6ohm*mm； (2) p-GaN 栅器件的阈值电压大于 1.1 V，栅极漏电小于 1uA/mm； (3) 650V E-mode 器件的击穿电压 > 1000V，器件 Ron*Wg < 18ohm*mm； (4) 具备 TLM, p-GaN CAP, Small device, Big device 等测试图形。版图上传后60天内回片。五、质疑与答复：供应商如对该项目采购需求和技术参数有质疑，须按《****非政府采购项目质疑和投诉管理暂行办法》有关规定和质疑函格式要求（请自行在****采购与招标信息网站查询下载），在网上竞价截标前提交书面质疑函，书面质疑函扫描件发至邮箱：****@qq.com 。********管理处****中心）联系电话：****1033，联系人：袁老师。逾期不予受理。六、特别提醒： 1.供应商须符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件，如****公司授权并将授权书上传竞价网，否则报价无效。 2.根据政府采购法律法规，单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一项目的采购活动。如有上述情况供应商参与同一竞价项目，学校将有权视情节轻重禁止其自处罚之日起1-3****学校****政府采购活动并同期从****供应商库中剔除，处罚期满后方可重新申请入库。 3.供应商如有以下任一行为，除承担违约责任外，学校有权视违规情节轻重禁止其自处罚之日起 1-3 ****学校****政府采购项目资格并同期从****供应商库中剔除，处罚期满后方可重新申请入库。（1）提供虚假材料谋取中标（成交）或虚假供货的；（2）中标（成交）后无正当理由拖延或弃标、无正当理由拖延或拒不签订采购合同的；（3）不按竞价要求或合同约定履约的；（4）其他违反法律法规和采购规定的。标书代写

公司中标后送货上门，负责安装调试；本项目要求供应商具有本地化服务能力，本地化服务的能力是指具有以下条件之一：1）在本地注册成立的；2）在本地具****公司、办事处、售后服务机构等），具有固定的办公场所及人员。备注：“本地”系指：**市;