首页 /苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司年产芯片3亿件、光电器件100万件、光学模块5万件、光电系统1000台项目

苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司年产芯片3亿件、光电器件100万件、光学模块5万件、光电系统1000台项目

审批

江苏-苏州

发布时间： 2024年10月16日

项目详情

下文中****为隐藏内容，仅对千里马会员开放，如需查看完整内容请或拨打咨询热线： 400-688-2000

1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
****0505MAIW61EQ51	闵大勇
顾志刚	********开发区
****科技城漓江路56号

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

****年产芯片3亿件、光电器件100万件、光学模块5万件、光电系统1000台项目	****

2018版本:082-电子器件制造	C3976-C3976-光电子器件制造
	省市****开发区科技城漓江路56号
经度:120.40843 纬度: 31.36066	****审批局
	2020-02-04
苏行审环评〔2020〕90054号	****0505MA1W61EQ51002Q
2024-06-24	20000
930	****
****0505MAIW61EQ51	市宏宇**公司
913********099184A	**公司,德昊****公司
**0506MA1N5GUG2W,**0509MACGBKNG5X	2022-12-01

2024-09-09	2024-10-11
	http://www.****.cn/news/yanshouxiangmu/suzhouchangguanghuaxinbandaotijiguangchuangxinyanjiuyuanyouxiangongsinianchanxinpian3yijian.html

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

**	**
无

规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

年产芯片3亿件、光电器件100万件、光学模块5万件、光电系统1000台	年产芯片3亿件、光电器件100万件、光学模块5万件、光电系统1000台
无

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

外延工段全过程在MOCVD设备中进行，根据工艺要求操作控制系统，将反应气体（磷烷、砷烷、砷烷、氨气）、MO源（三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟、二甲基锌、二茂镁）、载气（氢气）、保护气（氮气）通过供气系统输送至反应室，在高温负压无氧的条件下发生热分解反应，在衬底片表面生长单晶薄膜材料。 MOCVD是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V主族、II-VI副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。MOCVD系统中的晶体生长通常是在低压（100-500Torr）下通H2的冷壁石英（不锈钢）反应室中进行，衬底温度为500-800℃，用直流加热石墨基座（衬底基片在石墨基座上方），H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。本项目采用氢气作为载体将反应气体（磷烷、砷烷、氨气）输送至反应室，MO源常温条件下为液体（100℃左右升华热分解）储存于不锈钢鼓泡器中，采用氢气作为载体将MO源带入反应室，反应约在真空0.1atm、500-800℃下完成，反应期间通入氢气-氮气作为保护气。	本次变动新增氮化镓衬底替代原有少量砷化镓衬底作为原料生产外延片，工艺流程及污染物产生排放情况未发生改变；变动后衬底原料总量不变，新增氮化镓衬底使用量5kg、减少砷化镓衬底使用量5kg，根据环评中物料平衡图5-10数据，补充遗漏的氢氧化铵使用量690L/a。
本项目原辅料新增氢氧化铵溶液在原环评物料平衡图5-10、生产工艺和产污环节均有评价，仅为原辅料漏写，没有导致不利环境影响增加。外延片少量衬底类型的改变，未导致工艺流程、产排污发生变化，没有导致不利环境影响增加。

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

①外延尾气：在外延工序产生少量未反应气体（磷烷、砷烷、硅烷、氨气）和反应生成气体（甲烷、颗粒物），产生的废气通过设备配套过滤器处理后，经管道输送至洗涤塔一级处理（其中氨气为碱性，单独进入氨气洗涤塔），再进入碱液喷淋塔二级处理，最后经风机通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放。 ②氧化尾气、清洁尾气：氧化工序过程产生的废气为粉尘（二氧化硅）、未反应气体（硅烷、氧化氮），氧化工序清洁过程产生的废气为二氧化碳、氟化硅以及未反应的四氟化碳、氧气。氧化尾气、清洁尾气由载气和保护气流带出，废气通过设备配套过滤器处理再经燃烧器燃烧处理后进入碱液喷淋塔处理，最后经风机通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放。氧化尾气主要成分为氢气、氮气，氢气经燃烧器燃烧后产生水，无需通入氮气来稀释，在进入碱液喷淋塔处理装置前已无爆炸风险。 ③酸洗废气、干刻废气、湿刻废气、刻蚀槽清洗废气：酸洗过程采用3.5%盐酸溶液（盐酸与水比1:10），产生酸洗废气，主要污染物为氯化氢；干法刻蚀过程产生的废气主要为未反应的氯化硅、氯气等；湿法刻蚀过程产生湿刻废气，主要为刻蚀工序槽液中盐酸、硫酸、磷酸、氢溴酸、氢氟酸等挥发产生的废气；刻蚀槽清洗采用的清洗剂为盐酸、磷酸、硝酸、双氧水和水，清洗过程中产生刻蚀槽清洗废气。干刻废气采用干刻设备密闭负压收集，；酸洗废气、湿刻废气、刻蚀槽清洗废气采用各槽体上方集气罩负压收集，。收集后废气经管道输送至碱液喷淋塔，用浓度5~6%的稀释氢氧化钠进行喷淋吸收处理，净化后的废气经风机通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放。 ④光刻尾气、有机废气：上光阻、清洁、烘干、曝光过程中光刻胶、去光胶剂中的有机溶剂挥发产生有机废气，主要成分为丙二醇甲醚醋酸酯、四甲基氢氧化铵、甲基吡咯烷酮、丙二醇等；有机洗工序采用的溶剂为丙酮、异丙醇、甲醇，清洗过程中产生有机废气；去光胶工序产生有机废气，主要成分为四甲基氢氧化铵、甲基吡咯烷酮、丙二醇；光阻覆盖机擦洗过程产生丙酮废气；以无尘布沾无水酒精擦拭工作台，产生乙醇废气。以上有机废气均采用各设备上方集气罩负压收集，经管道进入光催化氧化+活性炭吸附装置处理，经风机通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P2排放。	原环评中本项目外延工段尾气经管道经过设备自带过滤器输送至外延尾气洗涤塔处理，然后和酸性废气一起通入碱液喷淋塔处理，处理完的废气通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放；实际建设过程中由于外延尾气还会伴随未反应完的氢气一同排出，即使在每台外延设备的尾气中通入氮气稀释氢气，保证管道内氢气浓度低于4%（氢气爆炸极限体积浓度）后直接排放，若稀释后的尾气再汇集直排，仍然有涉爆风险，考虑到安全问题，本次变动决定将外延废气分别处理后由各自排气筒排放。化学气相外延MOCVD设备共18台，本次变动后其中2台设备为氮化镓衬底原料生产外延片的生产工艺，使用氨气作为反应气体，目前这两台外延设备外延废气经水喷淋处理后和酸性废气一同汇入碱液喷淋塔装置处理，再通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放，维持原环评废气处理措施及排放情况不变；本次变动后其余16台化学气相外延MOCVD设备，每4台设备对应一套二级加药喷淋装置（加入次氯酸钠、氢氧化钠、磷酸药剂）（共设置5套，4用1备）处理后通过4根排气筒排放（P3、P4、P5、P6，P7为备用处理设施对应排气筒），且设置砷烷、磷烷排放在线监控报警系统。原环评中外延工段还存在少量未反应完的硅烷气体，经过设备自带过滤器输送至外延尾气洗涤塔处理，然后和酸性废气一起通入碱液喷淋塔处理，处理完的废气通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放；在实际建设过程中，由于过滤器+洗涤塔+碱液喷淋塔对硅烷的处理效率不高，且硅烷遇空气极易燃，考虑到合并废气可能存在安全隐患，企业将未反应完的硅烷处理装置更改为过滤器+燃烧器+碱液喷淋塔，处理后通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放，处理效率提升、外延工段硅烷废气排放量减少。本项目新增4个外延工序磷烷、砷烷废气排气筒
外延尾气均为密闭管理分别接入废气治理装置处理后由各自排气筒分别排放，废气治理效果不变，废气无组织、有组织排放量无变化；变动后部分外延尾气分别通过4套二级加药喷淋处理装置与原环评合并通过1套水喷淋+碱喷淋处理措施效果类似，且避免砷烷、磷烷进入后道碱喷淋废水，不会导致不利环境影响。外延工段未反应完的硅烷气体由原先的过滤器+水喷淋+碱液喷淋更改为过滤器+燃烧器+碱液喷淋塔，处理效率提升，且可避免由于硅烷遇空气易燃带来的安全隐患，废气处理后通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放总排放量减少，不会导致不利环境影响。根据《排污许可证申请与核发技术规范电子工业》（HJ 1031—2019）本次新增排气筒为一般排气筒，且排气筒高度不变，没有导致不利环境影响增加

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

无	无
无

3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）

69886	0	69886	69886
9.7526	17.95	9.753	9.753
0.3557	0.39	0.356	0.356
0.0281	0.078	0.028	0.028
0.4914	0.546	0.491	0.491
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0	0.0073	0	0	/
0	0	0	0	/
0.0234	0.9428	0.023	0.023	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

生活污水、****科技城水质净化厂、含砷废水、含氮磷废水、含氟废水、有机废水等分质进行预处理后采用“三效蒸发+RO”回收系统处理

含砷废水、含氮磷废水、含氟废水、有机废水等分质进行预处理后采用“三效蒸发+RO”回收系统处理，出水回用于生产，不外排；一般酸碱废水收集后经厂内一般废水处理系统处理达到接管标准后，与生活污水、****科技城水质净化厂。

达标

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

水喷淋装置、光氧催化+活性炭吸附装置

《大气污染物综合排放标准》（DB4041-2021）

原环评中本项目外延工段尾气经管道经过设备自带过滤器输送至外延尾气洗涤塔处理，然后和酸性废气一起通入碱液喷淋塔处理，处理完的废气通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放；实际建设过程中由于外延尾气还会伴随未反应完的氢气一同排出，即使在每台外延设备的尾气中通入氮气稀释氢气，保证管道内氢气浓度低于4%（氢气爆炸极限体积浓度）后直接排放，若稀释后的尾气再汇集直排，仍然有涉爆风险，考虑到安全问题，本次变动决定将外延废气分别处理后由各自排气筒排放。化学气相外延MOCVD设备共18台，本次变动后其中2台设备为氮化镓衬底原料生产外延片的生产工艺，使用氨气作为反应气体，目前这两台外延设备外延废气经水喷淋处理后和酸性废气一同汇入碱液喷淋塔装置处理，再通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放，维持原环评废气处理措施及排放情况不变；本次变动后其余16台化学气相外延MOCVD设备，每4台设备对应一套二级加药喷淋装置（加入次氯酸钠、氢氧化钠、磷酸药剂）（共设置5套，4用1备）处理后通过4根排气筒排放（P3、P4、P5、P6，P7为备用处理设施对应排气筒），且设置砷烷、磷烷排放在线监控报警系统。原环评中外延工段还存在少量未反应完的硅烷气体，经过设备自带过滤器输送至外延尾气洗涤塔处理，然后和酸性废气一起通入碱液喷淋塔处理，处理完的废气通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放；在实际建设过程中，由于过滤器+洗涤塔+碱液喷淋塔对硅烷的处理效率不高，且硅烷遇空气极易燃，考虑到合并废气可能存在安全隐患，企业将未反应完的硅烷处理装置更改为过滤器+燃烧器+碱液喷淋塔，处理后通过2#生产楼屋顶的25米排气筒P1排放，处理效率提升、外延工段硅烷废气排放量减少。

达标

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

合理布置高噪声设备，并经厂房隔声、减震、距离衰减等措施

《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）

合理布置高噪声设备，并经厂房隔声、减震、距离衰减等措施

达标

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程