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金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备（XF-WSBX-2400518）采购公告

公告-招标公告

浙江 -杭州

发布时间： 2024年10月18日

标书代写官方

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金属

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项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式联系人联系电话签约时间要求到货时间要求预算总价发票要求含税要求送货要求安装要求收货地址供应商资质要求公告说明

金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备	****
2024-10-18 16:45:20	2024-10-25 18:00:00
****	货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额

	成交后30个工作日内
￥325000.00




******港校区开物苑1号楼D02
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购清单1

采购商品采购数量计量单位所属分类

金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备

台

电子工业生产设备

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 325000.00

- 用于生长砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等III-V族化合物半导体，也可以生长硫化钼（MoS2）、硒化钨（WSe2）等过渡金属硫族化合物。 - 薄膜厚度范围：50nm至5μm。 - 可生长基片尺寸：最大支持4英寸（100mm）。 - 最高温度：1100℃。 - 控制精度：±1℃。 - 加热速率：50℃/min。 - 冷却速率：30℃/min。 - 工作压力范围：50 - 10k Pa。 - 流量范围：10 sccm 至 10000 sccm。控制精度：±1%。 - 旋转速度范围：0 rpm 至 1000 rpm。 - 倾斜角度范围：0°至10°。 - 支持多种金属有机化合物。 - 源物质供给精度：±0.5%。 - 沉积均匀性：≤±5%。 - 沉积重复性：≤±5%。 - 全自动-手动可切换控制。 - 数据采集与分析软件。 - 用户**的图形界面。 - 包含泄露检测、紧急停止功能。

服务网点:当地;电话支持:7x24小时;质保期:3年;服务时限:报修后8小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品;

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