采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目

发布时间: 2024年11月05日
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****2024年11月至2024年12月政府采购意向-采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目 详细情况
采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目
项目所在采购意向: ****2024年11月至2024年12月政府采购意向
采购单位: ****
采购项目名称: 采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目
预算金额: 380.000000万元(人民币)
采购品目:
采购需求概况 :
标的名称:采购镀膜设备---低压化学气相沉积设备项目 标的数量:1 主要功能或目标:主要功能: 本设备主要用于半导体集成电路及分立器件的氧化LPCVD等工艺。 通过卧式氧化炉与LPCVD工艺的结合使用,可以形成一个完整的半导体制造工艺链。并进一步提升工艺的兼容性,使得整个制造过程更加高效和可靠。 目的: 该设备生成的氧化层可以作为这些材料的沉积基底,可以制造出具有优异性能的半导体器件,满足各种高科技产品的需求。 需满足的要求:基本硬件配置: 主机柜(含基本工艺腔室),净化工作台,气路气源柜系统,真空及压力控制系统、计算机控制系统、自动化模块、加热炉体及其配套硬件。 适用晶圆要求:6英寸 工艺性能基本要求: ①极限真空度≤8×10-1Pa;工作真空度应在15~100Pa且范围内可调;压力测量范围在1Pa~105Pa之间。 ②适配以下四类工艺条件:热氧化、多晶硅、SiO2-TEOS、Si3N4。 ③膜厚均匀性: 热氧化
预计采购时间: 2024-12
备注:

本次公开的****政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写

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2024-11-05
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