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低压等离子体化学气相沉积采购项目
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5850000.00
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***********公司企业信息
****2024年12月政府采购意向-低压等离子体化学气相沉积采购项目 详细情况
| 低压等离子体化学气相沉积采购项目 | |
| 项目所在采购意向： | ****2024年12月政府采购意向 |
| 采购单位： | **** |
| 采购项目名称： | 低压等离子体化学气相沉积采购项目 |
| 预算金额： | 585.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | |
| 采购需求概况 ： |
采购内容:低压等离子体化学气相沉积系统；主要功能或目标:单腔反应炉单腔反应炉；最大晶圆尺寸8英寸（200mm）；最大加工数量150片；反应方式：热反应（1250℃）；可加工工艺：Oxide, Anneal, Nitride, Poly, TEOS, HTO, High-K. 用于制备Si3N4薄膜（芯片级）；需满足的要求:该项目是制备集成氮化硅波导的重要手段。基于LPCVD技术制备的氮化硅波导，有结构紧凑致密、表面光滑的特点，其传输损耗能降低到很小的值；导传输损耗可以低至0.05d/cm。相比于PECVD技术制备的氮化硅波导，其主要优势是传输损耗更低。：与实验室现有的PECVD薄膜沉积、等离子体刻蚀设备可以构建一套光子芯片用光波导等无源器件制造体系。。
|
| 预计采购时间： | 2024-12 |
| 备注： |
无
|
本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写
招标进度跟踪
2024-11-10
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