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CG2024-06-0605-cy询价单
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400-688-2000
基本信息
询价单名称: ****询价单
询价单编号: ****
询价人名称: 谢雨石
询价时间: 2024-11-22 14:46:07
询价人电话: 159****4117
采购类型: 单次采购
采购企业: ******公司
报价商品
序号
物资编码
物资名称
产品分类
规格描述
品牌
生产厂
数量
单位
交货方式
交货日期/计划
原产地
备注
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1
|
-
|
LL4148
|
元器件
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型号:LL4148;规格:表面贴装二极管 二极管类型 快恢复二极管，平均整流电流(Io) 200mA，正向压降(Vf) 1V 封装 SOD80，质量等级 工业级
|
YONGYUTAI(永裕泰)
|
YONGYUTAI(永裕泰)
|
98.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TFZVTR2.4B
|
元器件
|
型号:TFZVTR2.4B;规格:稳压二极管 稳压值 2.43V～2.63V，功率 500mW，反向电流(Ir) 120μA@1V，阻抗(Zzt) 100Ω 封装 SOD-323HE，质量等级 工业级
|
ROHM(罗姆)
|
ROHM(罗姆)
|
56.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
MBR0540
|
元器件
|
型号:MBR0540
|
TWGMC(**迪嘉)
|
TWGMC(**迪嘉)
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
SL0603ESDA-TR1
|
元器件
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型号:SL0603ESDA-TR1;规格:ESD保护器 颜色 绿色 封装 0603，质量等级 工业级
|
Slkor(萨科微)
|
Slkor(萨科微)
|
49.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
1N5819W
|
元器件
|
型号:1N5819W;规格:肖特基二极管 直流反向耐压(Vr) 40V，平均整流电流(Io) 1A，正向压降(Vf) 900mV@3A，反向电流(Ir) 1mA@40V 封装 SOD-123，工作温度 –55℃～+125℃
|
TECH PUBLIC(台舟)
|
TECH PUBLIC(台舟)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TBAV99,LM
|
元器件
|
型号:TBAV99,LM;规格:二极管 峰值反向电压 100V，正向电流 215mA，正向电压 1.25V， 封装 SOT-23-3，质量等级 工业级
|
TOSHIBA(东芝)
|
TOSHIBA(东芝)
|
42.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
19-217/GHC-YR1S2/3T
|
元器件
|
型号:19-217/GHC-YR1S2/3T;规格:发光二极管（绿色） 封装 0603，质量等级 工业级
|
EVERLIGHT(亿光)
|
EVERLIGHT(亿光)
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
P沟道MOSFET
|
元器件
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型号:AO3401
|
KEXIN(科信)
|
KEXIN(科信)
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
KST9013
|
元器件
|
型号:KST9013;规格:NPN型晶体管 VCBO 40V，VCEO 25V，VEBO 5V，IC 0.5A， 封装 SOT-23，工作温度 -55℃～+150℃，质量等级 工业级
|
KEXIN(科信)
|
KEXIN(科信)
|
77.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
2SC2712
|
元器件
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型号:2SC2712;规格:表面贴装NPN三极管 晶体管类型 NPN，集射极击穿电压(Vceo) 50V，丝印 LY 封装 SOT-23，质量等级 工业级
|
CJ**长电
|
CJ**长电
|
84.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
S9018
|
元器件
|
型号:S9018
|
Slkor(萨科微)
|
Slkor(萨科微)
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
MMBF5485
|
元器件
|
型号:MMBF5485;规格:RF放大器 栅源极击穿电压 -25V，连续漏极电流 10mA，最大漏极/栅极电压 25V，Pd-功率耗散 225mW 封装 SOT-23-3，工作温度 -55℃～150℃
|
onsemi(安森美)
|
onsemi(安森美)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
ADCMP562BRQZ
|
元器件
|
型号:ADCMP562BRQZ;规格:比较器 2通道，响应时间 500ps，电源 2.5V～5V，电流 70mA 封装 QSOP-20，工作温度 -40℃～+85℃@(TA)
|
ADI
|
ADI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
ADM7151ARDZ-04-R7
|
元器件
|
型号:ADM7151ARDZ-04-R7;规格:LDO 输入电压 4.5V～16V，输出电压 1.5V～5.1V，输出电流 800mA 封装 SOIC-8，等级 工业级，工作温度 –55℃～+125℃
|
ADI
|
ADI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
CJ78L15
|
元器件
|
型号:CJ78L15;规格:线性稳压器 输入电压 35V,最大输出电压 15V 输出电流100mA，最小压差1.7V, 封装 SOT-89-3
|
**长晶
|
**长晶
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
CJ79L15
|
元器件
|
型号:CJ79L15;规格:线性稳压器 输入电压 -35V,输出电压 -15V 输出电流100mA，最小压差1.7V, 封装 SOT-89-3
|
**长晶
|
**长晶
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
BL1117-33CX
|
元器件
|
型号:BL1117-33CX;规格:线性稳压器 输入电压 12V,输出电压 3.3V 输出电流1A，最小压差1.5V, 封装 SOT-223
|
**贝岭
|
**贝岭
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
ADP7156ARDZ-3.3-R7
|
元器件
|
型号:ADP7156ARDZ-3.3-R7;规格:LDO 输入电压 2.3V～5.5V，输出电压 3.3V，输出电流 1.2A 封装 SOIC-8，等级 工业级，工作温度 –55℃～+125℃
|
ADI
|
ADI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
BUF802IRGTR
|
元器件
|
型号:BUF802IRGTR;规格:高速运算放大器 大信号带宽(1Vpp) 3.1GHz，压摆率 7000V/us，输入阻抗 50GΩ@2.4pF 封装 VQFN-16，工作温度 -40℃～+80℃
|
TI
|
TI
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
CD4053BPWR
|
元器件
|
型号:CD4053BPWR;规格:模拟多路复用器 通道数量 具有逻辑电平转换功能的 CMOS 三路 2 通道 封装 TSSOP-16，质量等级 工业级
|
TI
|
TI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
DS18B20Z
|
元器件
|
型号:DS18B20Z;规格:温度传感器 准确度 ±0.5℃，工作电压 3V～5.5V，单线，分辨率 12bit 封装 SOIC-8，工作温度 -55℃～125℃
|
UMW(**友台半导体)
|
UMW(**友台半导体)
|
21.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
EL817SC
|
元器件
|
型号:EL817SC;规格:光耦 正向压降 1.2V，反向电压 6V，输出电流 50mA，接收端电压 35V ，隔离电压(rms) 5kV 封装 SMD（10.30*4.58），工作温度 -55℃～+110℃
|
EVERLIGHT(亿光)
|
EVERLIGHT(亿光)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
74HC4053M/TR
|
元器件
|
型号:74HC4053M/TR;规格:三路2通道模拟多路复用器/解复用器 电压 -5V～+5V， 封装 TSSOP-16，工作温度 -40℃～+85℃@(TA)
|
HGSEMI(华冠)
|
HGSEMI(华冠)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
24LC512-E/SM
|
元器件
|
型号:24LC512-E/SM;规格:电可擦除可编程只读存储器 存储容量 64kb×8，电源电压 2.5V～5.5V 封装 SOIC-8，工作温度 -40℃～125℃
|
MICROCHIP(微芯)
|
MICROCHIP(微芯)
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
GD32F450IGH6
|
元器件
|
型号:GD32F450IGH6;规格:MCU flash容量512kB，RAM 256KB IO端口数量 140,最大主频 200MHz 封装 BGA-176，工作温度 -40℃~+85℃
|
GigaDevice(兆易创新)
|
GigaDevice(兆易创新)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
ADF5356BCPZ
|
元器件
|
型号:ADF5356BCPZ
|
ADI
|
ADI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
600L0R9AW200T
|
元器件
|
型号:600L0R9AW200T;规格:基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 0.9pF Tol 0.05pF
|
ATC
|
ATC
|
105.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
ADC-10-1R+
|
元器件
|
型号:ADC-10-1R+;规格:RF耦合器 频率范围 5MHz~900MHz 功率 1W 耦合系数 10.5dB 回波损耗 33.86dB
|
Mini-Circuits
|
Mini-Circuits
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPSM82903SISR
|
元器件
|
型号:TPSM82903SISR;规格:DC/DC 输入电压 3V~17V 输出电流 3A 开关频率 2.5MHz
|
TI
|
TI
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
HMC7950LS6TR
|
元器件
|
型号:HMC7950LS6TR;规格:2GHz至28GHz，GaAspHEMTMMIC低噪声放大器
|
ADI
|
ADI
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
ADCLK944BCPZ-R7
|
元器件
|
型号:ADCLK944BCPZ-R7;规格:2.5V/3.3V、4路LVPECL输出、SiGe时钟扇出缓冲器
|
ADI
|
ADI
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
PS2012GT2-R50-T1
|
元器件
|
型号:PS2012GT2-R50-T1;规格:PS2012G
|
SUSUMU
|
SUSUMU
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
JTM1198B
|
元器件
|
型号:JTM1198B;规格:晶振 100MHz
|
任意品牌
|
任意品牌
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
KAQY214S
|
元器件
|
型号:KAQY214S;规格:光电继电器 反向电压 5V，前向电流 50mA， 封装 6.8mm×4.7mm×2.35mm， 工作温度 -30℃～+85℃，质量等级 工业级
|
Cosmo(冠西电子)
|
Cosmo(冠西电子)
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LGS6302
|
元器件
|
型号:LGS6302;规格:升压DC-DC 输入电压 3V~60V，输出电压 3V~60V 输出电流500mA 封装 SOT23-5
|
Legend-Si(棱晶半导体)
|
Legend-Si(棱晶半导体)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LM211DRG4
|
元器件
|
型号:LM211DRG4
|
TI
|
TI
|
56.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LM431SAIMFX
|
元器件
|
型号:LM431SAIMFX;规格:分流调节器 参考电压2.5V，1%公差 封装 SOT-23FL3L，工作温度 -40℃～85℃
|
TI
|
TI
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LMH5401IRMST
|
元器件
|
型号:LMH5401IRMST;规格:ADC差分驱动器 带宽 8GHz，电压范围 3.3V-5V， 封装 UQFN-14，工作温度 –40℃～+85℃
|
TI
|
TI
|
84.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LMH6401IRMZT
|
元器件
|
型号:LMH6401IRMZT;规格:可变增益放大器 带宽 4.5GHz，增益范围 -6dB～26dB， 封装 UQFN-16，工作温度 –40℃～+85℃
|
TI
|
TI
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LMV324IPT
|
元器件
|
型号:LMV324IPT;规格:运算放大器 增益带宽 1MHz，4路，偏置电压 3mV， 封装 TSSOP-14，工作温度 –40℃~+125℃
|
TI
|
TI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LMH3401IRMSR
|
元器件
|
型号:LMH3401IRMSR;规格:7GHz 超宽带全差动放大器 14-UQFN -40 to 125°C 封装 QFN-14(2.5x2.5)
|
TI(**仪器)
|
TI(**仪器)
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPS79301DBVR
|
元器件
|
型号:TPS79301DBVR;规格:LDO 最大输入电压 5.5V 输出电压 1.22V~5.5V 输出电流 200mA 电源纹波抑制比(PSRR) 70dB 、200mA 单输出 LDO 封装 SOT-23-6
|
TI(**仪器)
|
TI(**仪器)
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
AD5696RBCPZ-RL7
|
元器件
|
型号:AD5696RBCPZ-RL7;规格:接口 I2C 分辨率 16位 稳定时间 8us 积分非线性 ±1LSB ±1LSB 电源电压 1.8V~5.5V 16-位数模转换器-4-16-LFCSP-WQ（3x3）封装 LFCSP-16
|
ADI(亚德诺)
|
ADI(亚德诺)
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LT3094EDD#PBF
|
元器件
|
型号:LT3094EDD#PBF;规格:低压差稳压器 -20V, 500mA Ultralow Noise/PSRR LDO 封装 DFN-12(3x3)
|
ADI(亚德诺)
|
ADI(亚德诺)
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
OPA197IDBVR
|
元器件
|
型号:OPA197IDBVR;规格:放大器 输入偏置电流(Ib) 5pA 增益带宽积(GBP) 10MHz 压摆率(SR) 20V/us OPA197 36V 轨到轨输入输出、低偏移电压精密运算放大器 封装 SOT-23-5
|
TI(**仪器)
|
TI(**仪器)
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
BF998E6327
|
元器件
|
型号:BF998E6327;规格:场效应管(MOSFET) N沟道，丝印号 MOs 封装SOT143B
|
英飞凌
|
英飞凌
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
BF998R
|
元器件
|
型号:BF998R;规格:场效应管(MOSFET) N沟道，丝印号 MRs 封装SOT143R
|
英飞凌
|
英飞凌
|
35.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
HLM-8010CSP1
|
元器件
|
型号:HLM-8010CSP1;规格:限幅器 带宽DC-40GHz 封装
|
Marki microwave
|
Marki microwave
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
MAAD-011048
|
元器件
|
型号:MAAD-011048;规格:衰减器 带宽DC-55GHz 封装
|
MACOM
|
MACOM
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
PE43610A-X
|
元器件
|
型号:PE43610A-X;规格:衰减器 带宽DC-13GHz 封装
|
psemi
|
psemi
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPS7A8400RGRR
|
元器件
|
型号:TPS7A8400RGRR;规格:LDO 最大输入电压 6.5V 输出电压 800mV~5V 输出电流 3A 电源纹波抑制比(PSRR) 42dB@(10kHz)
|
TI
|
TI
|
42.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LM27761DSGR
|
元器件
|
型号:LM27761DSGR;规格:电荷泵 输出电流 250mA PSRR 35dB 100mA输出时压降 30mV
|
TI
|
TI
|
42.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LT3042IDD#PBF
|
元器件
|
型号:LT3042IDD#PBF;规格:LDO 最大输入电压 20V 输出电压 0V~15V 输出电流 200mA 压差 350mV(200mA）
|
ADI
|
ADI
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LMX2820RTCT
|
元器件
|
型号:LMX2820RTCT;规格:具有相位同步功能且支持 JESD204B 的 22.6GHz 宽带 PLLatinumTM 射频 合成器 封装 VQFN-48
|
TI
|
TI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LT3015IDD-5#PBF
|
元器件
|
型号:LT3015IDD-5#PBF;规格:低压差稳压器 输出电压 -1.22V～-29.3V，输出电流 1.5A 封装 DFN-8，工作温度 -40℃～+125℃
|
ADI
|
ADI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LT3080EMS8E-1
|
元器件
|
型号:LT3080EMS8E-1;规格:低压差稳压器 输出电压 0V～36V，输出电流 1.1A 封装 MSOP-E-8，工作温度 -40℃～+125℃
|
ADI
|
ADI
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LT3094EDD
|
元器件
|
型号:LT3094EDD;规格:低压差稳压器 输出电压 0V～-19.5V，输出电流 0.5A 封装 DFN-12，工作温度 -40℃～+125℃
|
ADI
|
ADI
|
49.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
LTM4644IY
|
元器件
|
型号:LTM4644IY;规格:电源芯片 输出电压 0.6V～5.5V，输出电流 4A(4路) 封装 BGA-77，工作温度 -40℃～+125℃
|
ADI
|
ADI
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
MPM82504GBH-0000
|
元器件
|
型号:MPM82504GBH-0000;规格:DC-DC电源芯片 VIN 4V to 16V 输出电流 25A/4CH 输出电压 0.5V to 3.3V可调 封装 BGA-253L 工作温度 -40℃～+125℃。
|
MPS
|
MPS
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
MX66U2G45GXRI00
|
元器件
|
型号:MX66U2G45GXRI00;规格:接口类型 SPI 存储容量 2Gbit 工作电压 1.7V~2V 工作温度 -40℃~+85℃
|
MXIC旺宏电子
|
MXIC旺宏电子
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
K4AAG165WA-BCWE
|
元器件
|
型号:K4AAG165WA-BCWE;规格:DDR4存储器 存储容量 16Gb,电压1.2V，速度 3200MT/s 温度 0℃～+95℃ 封装 FBGA-96，等级 商业级
|
MXIC旺宏电子
|
MXIC旺宏电子
|
112.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
NB3L8504SDTG
|
元器件
|
型号:NB3L8504SDTG;规格:LVDS 扇出缓冲器/转换器 1 4差分时钟扇出器，输出类型LVDS 供电 2.5V~3.3.V，工作温度 -40℃~85℃ 封装TSSOP-16，等级 工业级
|
onsemi(安森美)
|
onsemi(安森美)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
OPA2197IDGKR
|
元器件
|
型号:OPA2197IDGKR;规格:精密运算放大器 2channel，增益带宽积 10MHz，SR转换率 20V/us 封装 VSSOP-8，工作温度 -40℃～+125℃
|
TI
|
TI
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
OPA2277UAM/TR
|
元器件
|
型号:OPA2277UAM/TR;规格:精密运算放大器 增益带宽 1MHz，偏置电压 35uV， 封装 SOIC-8，质量等级 工业级
|
HGSEMI(华冠)
|
HGSEMI(华冠)
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
OPA4872IDR
|
元器件
|
型号:OPA4872IDR;规格:模拟开关/多路复用器 4 1高速多路复用器，+/-6V，500MHz 封装 SOIC-14，工作温度 -40℃～85℃
|
TI
|
TI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
PCA9306DCUT
|
元器件
|
型号:PCA9306DCUT;规格:电平转换芯片 传播延迟时间 1.2ns，电源电压 1.2V～5.5V 封装 VSSOP-8，质量等级 工业级
|
TI
|
TI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
PE42020A-X
|
元器件
|
型号:PE42020A-X;规格:RF开关 供电电压 ±11V～±15V，频率 DC-8GHz， 封装 QFN-20，工作温度 -40℃~+85℃，质量等级 工业级
|
pSemi
|
pSemi
|
112.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
PE42553B-Z
|
元器件
|
型号:PE42553B-Z;规格:RF开关 供电电压 2.3V～5.5V，开关频率 9kHz-8GHz， 封装 QFN-16，工作温度 -40℃～+85℃，质量等级 工业级
|
pSemi
|
pSemi
|
63.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
PE43711B-Z
|
元器件
|
型号:PE43711B-Z;规格:七位数控衰减器 供电 2.7V～3.3V，衰减范围 0.25-31.75dB， 封装 QFN-24，工作温度 –40℃～+85℃
|
pSemi
|
pSemi
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
PESD1CAN,215
|
元器件
|
型号:PESD1CAN,215;规格:静电放电(ESD)保护器件 反向关断电压 24V，击穿电压最小值 25.4V，箝位电 70V，峰值脉冲电流 3A 封装 SOT-23，温度范围 -65℃～+150℃
|
Nexperia(安世)
|
Nexperia(安世)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
PHA-1+
|
元器件
|
型号:PHA-1+;规格:RF放大器 50Ω，0.05～6GHz，增益 13.5dB@2GHz 5V 封装 SOT-89，工作温度 -40℃～+85℃
|
Mini-Circuits
|
Mini-Circuits
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
REF2025AIDDCR
|
元器件
|
型号:REF2025AIDDCR;规格:电压基准源 输出电压 2.5V和1.25V，静态电流 360μA，温漂 最大值0.05%，8ppm/℃， 封装 SOT23-5，工作温度 -40℃～+125℃，质量等级 工业级
|
TI
|
TI
|
42.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
SCT2430STER
|
元器件
|
型号:SCT2430STER;规格:DC/DC电源 输入电压 3.8V～40V，输出电压 0.8V～40V，输出电流 3.5A 封装 SOP-8，工作温度 -40℃～+150℃
|
SCT(芯洲科技)
|
SCT(芯洲科技)
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
SN74AVC4T245PWR
|
元器件
|
型号:SN74AVC4T245PWR;规格:电平转换芯片 通道数 4，电源电压 1.2V～3.6V，传播延迟时间 2.9ns 封装 TSSOP-16，工作温度 -40℃～85℃
|
TI
|
TI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
SN74LVC1T45DCK
|
元器件
|
型号:SN74LVC1T45DCK;规格:电平转换芯片 传播延迟时间 17.7ns，电源电压 1.65V～5.5V 封装 SC70_6，工作温度 –40℃～+85℃
|
TI
|
TI
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
SP3232EEY-L/TR
|
元器件
|
型号:SP3232EEY-L/TR;规格:RS232收发器芯片 数据速率 235Kbps，电源电压 3V～5.5V 封装 TSSOP-16，工作温度 -40℃～85℃
|
TI
|
TI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TL071CDR
|
元器件
|
型号:TL071CDR;规格:FET输入运放 增益带宽积（GBP） 3MHz，压摆率（SR） 13 V/us，电源电压 7V～36V,±3.5V～18V 封装 SOIC-8，工作温度 0℃～70℃
|
TI
|
TI
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TL431
|
元器件
|
型号:TL431;规格:电压基准芯片 输出电压 2.5V～36V，输出电流 100mA，20PPM/℃ 封装 SOT-23-3，工作温度 -40℃～+150℃@(TA)
|
Hottech(合科泰)
|
Hottech(合科泰)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TMP461AIRUNR-S
|
元器件
|
型号:TMP461AIRUNR-S;规格:温度传感器 准确度 ±0.75℃，工作电压 1.7~3.6V， 封装 WQFN-10，工作温度 -40℃～125℃
|
TI
|
TI
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPC116S8-TR
|
元器件
|
型号:TPC116S8-TR;规格:运算放大器 增益带宽 1MHz，4路，偏置电压 3mV， 封装 TSSOP-14，工作温度 –40℃~+125℃
|
3PEAK(思瑞浦)
|
3PEAK(思瑞浦)
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPR3333-S3TR
|
元器件
|
型号:TPR3333-S3TR;规格:电压基准源 输出电压 3.3V，静态电流 180μA，温漂 最大值0.15%，30ppm/℃， 封装 SOT-23，工作温度 -40℃～+125℃，质量等级 工业级
|
3PEAK(思瑞浦)
|
3PEAK(思瑞浦)
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPR3340-S3TR
|
元器件
|
型号:TPR3340-S3TR;规格:电压基准源 输出电压 4.096V，静态电流 180μA，温漂 最大值0.15%，30ppm/℃， 封装 SOT-23，工作温度 -40℃～+125℃，质量等级 工业级
|
3PEAK(思瑞浦)
|
3PEAK(思瑞浦)
|
14.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPS7A8001DRBR
|
元器件
|
型号:TPS7A8001DRBR;规格:低压差稳压器 输出电压 0.8V～6V 输出电流 1A 封装 VSON-8 工作温度 -40℃～+125℃
|
TI
|
TI
|
70.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPS51200DRCT
|
元器件
|
型号:TPS51200DRCT;规格:DDR终端稳压器 输出电流 3A 输入电压 2.375V～3.5V 封装 VSON-10 工作温度 -40℃～+85℃
|
TI
|
TI
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TPS79301DBVR
|
元器件
|
型号:TPS79301DBVR;规格:低压差稳压器 输出电压 1.22V～5.5V，输出电流 0.2A 封装 SOT-23-6，工作温度 -40℃～+125℃
|
TI
|
TI
|
84.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
TXS0108EPWR
|
元器件
|
型号:TXS0108EPWR;规格:电平转换芯片 电源电压 1.2V～5.5V，输出电流 50mA 封装 TSSOP-20，工作温度 –40℃～+85℃
|
TI
|
TI
|
21.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
W25Q64JVSSIQ
|
元器件
|
型号:W25Q64JVSSIQ;规格:NOR Flash闪存 存储容量 64Mbit，工作电压 2.7V～3.6V 封装 SOIC-8 工作温度 -40℃～85℃
|
Winbond
|
Winbond
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
XCVU13P-2FHGB2104I
|
元器件
|
型号:XCVU13P-2FHGB2104I;规格:FPGA芯片 I/O数量 208I/O，逻辑单元数 961800，LAB/CLB数 54960，工作电源电压 0.85V， 封装 FCBGA-2104，质量等级 工业级
|
XilinX
|
XilinX
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
S0093
|
元器件
|
型号:S0093;规格:功分器 插损 0.7dB，隔离度 22dB 封装 4.31×4.31×3.3mm，工作温度 -40℃～+70℃
|
******
|
******
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
AGQ200A4H
|
元器件
|
型号:AGQ200A4H;规格:信号继电器 单稳态，控制电压 4.5V，双刀双掷 封装 表面贴装，工作温度 –40℃～+70℃
|
Panasonic(松下)
|
Panasonic(松下)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
ARJ20A12
|
元器件
|
型号:ARJ20A12;规格:松下继电器 控制电压 12V 封装 表面贴装，工作温度 –40℃～+70℃
|
Panasonic(松下)
|
Panasonic(松下)
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
G6K-2F-RF DC5
|
元器件
|
型号:G6K-2F-RF DC5;规格:欧姆龙继电器 控制电压 5V 封装 表面贴装，工作温度 –40℃～+70℃
|
OMRON(欧姆龙)
|
OMRON(欧姆龙)
|
56.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
CVSS-945-122.8800
|
元器件
|
型号:CVSS-945-122.8800;规格:VCXO振荡器 输出 正弦，频率 122.88MHz，频率稳定性 20PPM，电源电压 4.5V～5.5V 封装 14mm*9mm，工作温度 0℃～+70℃
|
Crystek Corporation
|
Crystek Corporation
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
OC26-VBEEGC-100.000MHz
|
元器件
|
型号:OC26-VBEEGC-100.000MHz
|
**晶宇兴科技
|
**晶宇兴科技
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
AX3DCF1-100.0000
|
元器件
|
型号:AX3DCF1-100.0000;规格:标准时钟振荡器 频率 100MHz，工作电压 1.8V，容差 25ppm， 封装 3.2mm*2.5mm，工作温度 -40℃～85℃
|
ABRACON
|
ABRACON
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
CO53D6-300.000-33KDTSN
|
元器件
|
型号:CO53D6-300.000-33KDTSN;规格:标准时钟振荡器 频率 300MHz，工作电压 3.3V，频率稳定度 25ppm， 封装 5.0mm*3.2mm，工作温度 -40℃～85℃
|
HCI(杭晶)
|
HCI(杭晶)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
FL****213Z
|
元器件
|
型号:FL****213Z;规格:晶体 频率 25.000MHz，负载电容 20pF，容差 20ppm 封装 3.2mm*2.5mm，工作温度 -40℃～85℃
|
DIODES(美台)
|
DIODES(美台)
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
ECS-3225MV-500-CN-TR
|
元器件
|
型号:ECS-3225MV-500-CN-TR;规格:晶体振荡器 频率 50MHz，电源电压 1.62V～3.63V， 输出 CMOS，±25ppm， 封装 SMD(3225)，工作温度 -40℃～+85℃
|
ECS
|
ECS
|
7.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
CQ0201ARNPO8BNR50
|
元器件
|
型号:CQ0201ARNPO8BNR50;规格:多层片式瓷介电容器 容值 0.5pF，耐压 25V，容差 ±0.05pF，介质 C0G(NP0) 封装 0201，质量等级 工业级
|
muRata(村田)
|
muRata(村田)
|
56.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
|
|
|
1
|
-
|
GRM0335C1H1R0BA01D
|
元器件
|
型号:GRM0335C1H1R0BA01D;规格:多层片式瓷介电容器 容值 1pF，耐压 50V，容差 ±0.1pF，介质 C0G(NP0) 封装 0201，质量等级 工业级
|
muRata(村田)
|
muRata(村田)
|
28.0
|
只
|
|
-
|
-
|
cy
|
招标进度跟踪
2024-11-22
招标公告
CG2024-06-0605-cy询价单
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