北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购更正公告

一、项目基本情况

原公告的采购项目编号：****

原公告的采购项目名称：****无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购公开招标公告

首次公告日期：2024年12月06日

二、更正信息

更正事项：采购公告

更正内容：

1、原招标公告中附件中“主要技术要求”：

附件：

主要技术要求

无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：

无掩膜高深比切割与检测设备1台：该设备能够实现高深宽比的加工，根据需要快速调整加工图案，适应不同的加工需求。此外该设备无需掩膜版，因此减少了掩膜版的制作和更换成本，实现小批量、多品种的快速加工。

离子增强刻蚀设备1台：通过化学反应或物理方法去除硅基材料，以形成深沟槽或高深宽比结构的工艺设备。其基于化学反应刻蚀或高能离子束刻蚀，通过化学反应生成挥发性物质，从而去除硅基材料。而在高能离子束刻蚀中，则利用离子束对硅片进行轰击，使硅片表面的原子被剥离，形成所需的结构。

注：其他技术要求详见招标文件

现更正为：

附件：

主要技术要求

无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：

无掩膜高深比切割与检测设备1台：该设备能够实现高深宽比的加工，根据需要快速调整加工图案，适应不同的加工需求。此外该设备无需掩膜版，因此减少了掩膜版的制作和更换成本，实现小批量、多品种的快速加工。

离子增强刻蚀设备1台：通过化学反应或物理方法去除硅基材料，以形成深沟槽或高深宽比结构的工艺设备。其基于化学反应刻蚀或高能离子束刻蚀，通过化学反应生成挥发性物质，从而去除硅基材料。而在高能离子束刻蚀中，则利用离子束对硅片进行轰击，使硅片表面的原子被剥离，形成所需的结构。

（一）无掩膜高深比切割与检测设备

1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w。

2. 平均刻蚀功率≥100w。

3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。

4. 需要包含惰性气体保护系统。

5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。

6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。

7. 精密测量模块定位精度：不高于± 0.2μm。

8. 直线度：不高于± 0.4μm。

9. #测量行程≥200 mm。

10. 输出频率包括0~40Mhz。

11. #输出通道≥2。

12. 上升/下降时间≤9 ns。

13. 测试波长范围包括400~1100nm。

14. 相位分辨率≤2 nm。

15. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。

16. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。

17. ★最大刻蚀深度≥20 mm。

（二）离子增强刻蚀设备

1.晶圆大小：四英寸。

2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。

3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。

4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。

5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。

8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。

9.#载片台直径不小于160mm。

10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。

12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。

13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。

14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。

15.气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。

16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。

17.★最大刻蚀深度大于300um。

注：其他技术要求详见招标文件

2、原招标公告中附件中“1.采购人信息”：

联系方式：张老师

联系电话：010-****7514

现更正为：

联系方式：林老师

联系电话：010-****7981

招标公告其他内容不变

更正日期：2024年12月07日

三、其他补充事宜

无

四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。

1.采购人信息

名 称：****

地址：**市**区中关村南大街5号

联系方式：林老师 010-****7981

2.采购代理机构信息

名 称：****

地 址：**市**区丰葆路158号院国信招标

联系方式：张女士186****5266

3.项目联系方式

项目联系人：张女士

电 话： 186****5266