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【HSCFC06-20240715】物理科学与技术学院内径迹探测器像素芯片流片单一来源公示

结果-候选人公示

湖北 -武汉

发布时间： 2024年12月18日

标书代写官方

摘要信息

招标单位

招标编号

招标估价

招标联系人

招标代理机构

代理联系人

报名截止时间

投标截止时间

关键信息

探测器芯片

招标详情

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相关单位：

***********公司企业信息

单一来源采购公示

一、项目信息

采购人： ****

项目名称：****学院内径迹探测器像素芯片流片

拟采购的货物或服务的说明：包含高阻外延层，电阻率≥1kOhm*cm，厚度≥20um；支持四阱工艺（N 阱，P 阱，深 N 阱，深 P 阱）；金属层数≥6 层，采用以色列Tower****公司的180 nm CMOS工艺。

拟采购的货物或服务的预算金额(元)：290000.00元

采用单一来源采购方式的原因及说明：“基于硅像素的内径迹探测器**研制”项目针对NICA加速器装置及其探测器以及我国加速器大科学装置发展需求的挑战性关键核心技术，开展相关物理和关键核心技术研究，****实验室承担。为了研制高精度硅像素探测器，本项目采用CMOS像素传感器芯片技术。CMOS硅像素芯片内同时集成了传感器和读出电路，对工艺要求特殊，需要有高阻外延层，电阻率≥1kOhm*cm，厚度≥20um；支持四阱工艺（N 阱，P 阱，深 N 阱，深 P 阱）；金属层数≥6 层。经过充分调研、咨询和评估，只有以色列Tower****公司的180 nm CMOS工艺设计可以满足我们上述的诸多要求，基于上述理由，只能从以色列Tower****公司进行单一来源采购，以色列Tower****公司的180nm CMOS工艺的流片技术服务，芯片流片面积为6.3*5.4mm2,50颗流片成品交付。用于研制CMOS硅像素探测器芯片。

二、拟定供应商信息

名称：Tower Semiconductor Ltd.

地址：23 rue du Loess,Strasbourg,France

三、公示期限

2024年12月19日至 2024年12月25日（公示期限不得少于5个工作日）

四、其他补充事宜：

1.本公示仅在****招标信息网（http://zb.****.cn/）发布。

2.潜在供应商如对公示内容有异议，请在公示期内以书面形式（盖单位公章、联系人姓名及电话、地址等）反馈至********办公室。

五、联系方式

招标办联系人：王老师

联系方式：027-****2087

六、附件