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碳化硅功率模块、驱动模块采购竞价公告

公告-招标公告

湖南 -长沙

发布时间： 2025年03月12日

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碳化硅模块驱动模块采购公告

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***********公司企业信息

项目名称	碳化硅功率模块、驱动模块采购	项目编号	****
项目编号	****
公告发布日期	2025/03/12 11:46	公告截止日期	2025/03/16 11:46
公告截止日期	2025/03/16 11:46
采购单位	****
联系人	中标后在我参与的项目中查看	联系手机	中标后在我参与的项目中查看
联系手机	中标后在我参与的项目中查看
采购预算	未公开	币种	RMB
币种	RMB
是否本地化服务	否	是否需要踏勘	否
是否需要踏勘	否
踏勘联系人		踏勘联系电话
踏勘联系电话
踏勘地点		踏勘联系时间
踏勘联系时间
送货/施工/服务期限	合同签订后 20 天内到货
送货/施工/服务地址	****工程楼515
售后服务	1.按照订货合同或技术服务合同的有关约定，提供完整的产品技术文档资料，包括技术说明书、安装手册、操作手册等技术文档。 2.提供及时、快速的维修服务。按照订货合同或技术服务合同的有关约定，提供包括返厂维修和现场服务等内容的维修维护服务和运行技术支持。 3.提供1年免费维修服务，质整保修期内，任何因系统质量而造成问题，负责免费维修或更换零部件。
付款条款	国产设备：1.供应商在申请验收前，须先把合同总金额的（0）%作为质保金交到采购人指定账户，并开具合同金额100%发票；2.货到合同指定地点并安装调试验收合格后，凭验收报告在10个工作日内支付合同总金额的（100）%；3.在验收合格之日起的（0）年后无质量问题，经采购人认可，一次性将合同质保金无息退还供应商。

采购清单

1

采购内容		数量单位
碳化硅功率模块		6(台)
参考品牌及型号	创蒲/BMS800R12HLWC4_B02
技术参数要求	1.DS阻断电压VDSS=1200V；栅极开通电压+VGSS=+21V；栅极关断电压-VGSS=-4V。 2.测试温度65℃下，漏源稳态电流ID=800A，漏源瞬态电流IDM=1600A，时间1ms。 3.耗散功率PD=1330W，最高工作结温Tvj=175℃，存储温度Tstg为-40℃至125℃。 4.绝缘耐压能力VISOL为2500V，条件为RMS/AC/50Hz/1min。 5.漏源漏电IDSS最大值为0.64mA，栅极开启电压VGSth为2.8V至4.8V，栅极电荷QG=2470nC。 6.输入电容Ciss=62.9nF，输入电容Coss=1.7nF，**电容Crss=80pF，热阻Rth(j-f)=0.09K/W。 7.1200V 6单元三项全桥碳化硅功率模块、芯片上下表面使用银烧结技术，芯片上表面使用粗铜线通电流。

采购清单

2

采购内容		数量单位
驱动模块		6(台)
参考品牌及型号	创蒲/6CP0215T12-B11
技术参数要求	1.六通道 SiC MOSFET 驱动器，功率器件最高电压 1200V单通道驱动功率 2W，峰值电流士15A。 2.适配HPD封装1200V SiC MOSFET模块，绝缘电压不低于4000V，兼容多种输入电平。 3.集成软关断、PWM互锁功能、隔离DC/DC电源、原边/副边电源欠压保护。 4.集成有源钳位、VDS 短路保护、温度检测、母线电压检测功能。 5.驱动器运行温度与储存温度在-40℃至85℃，不允许出现凝露现象。 6.端口最高承受电压(AC/1min)为500V，母线电压800V，供电电源最大电流750mA。 7.门极驱动功率2W、驱动电流-15A至+15A，最大开关频率20kHz。 8.支持即插即用，可直接焊接在SiC MOSFET上使用，无需再转接处理。

招标进度跟踪

2025-03-17

中标通知

碳化硅功率模块、驱动模块采购结果公告

2025-03-12

招标公告

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