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天麓公司6/8寸高温氧化/退火设备金属玷污技术指标测试、MOCVD延片测试、MOCVD设备反应式杂质检测
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基本信息
询价单名称: ****6/8寸高温氧化/退火设备金属玷污技术指标测试、MOCVD延片测试、MOCVD设备反应式杂质检测
询价单编号: ****
询价人名称: 左楚恒
询价时间: 2025-03-20 09:55:21
询价人电话: 185****6026
采购类型: 单次采购
采购企业: **航天天麓新****公司
报价商品
| 1 | - | 6/8寸高温氧化/退火设备金属玷污技术指标测试 | 其他 | - | - | - | 1.0 | 批 | - | - | 采用ICP-MS对晶圆表面金属沾污含量进行测试并出具测试报告，所需测试元素主要包括Li、Na、Mg、A1、K、Ca、V、Cr、Fe、Ni、Cu、Ga、Zn、Co、B、Mn、Pb、Ti、Mo等;测试精度约为1E10atoms/cm2。 | |||
| 1 | - | MOCVD 外延片测试，MOCVD设备反应室杂质检测 | 其他 | - | - | - | 1.0 | 批 | - | - | 对6英寸 GaAs 衬底上 A10.****.8As材料、InGaP 材料(660nm)、InGaAIP(590nm)的厚度、波长均匀性表征以及组成成分分析检测;对6英寸GaAs衬底上GaAs/ A1As 层进行 SIMS 测量，表征 Si.Ge、c.0杂质含量随深度分布，测试深度7.5微米 |
招标进度跟踪
2025-03-20
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天麓公司6/8寸高温氧化/退火设备金属玷污技术指标测试、MOCVD延片测试、MOCVD设备反应式杂质检测
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