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| 采购单位: | ****(**) |
| 项目名称: | 等离子增强原子层沉积设备 |
| 预算金额(元): | 4,100,000.000 |
| 采购品目: | 电子工业生产设备 |
| 采购需求概况: | 用于沉积新型半导体器件所需的栅氧层,包括Al2O3、AlN、HfO2等。设备需配置8路前驱体源,包括4路液体源、2路加热源、1路臭氧源和1路有毒或易燃气体源;配置2套反应腔;支持最大晶圆尺寸8英寸;栅氧层沉积最小厚度≤2nm;等离子发生器功率≥300W;反应室最高工艺温度≥500°C。 |
| 联系人: | 简老师 |
| 联系电话: | 0755-****1954 |
| 预计采购时间: | 2025-05 |
| 备注: | 无 |