哈尔滨工业大学(深圳)等离子增强原子层沉积设备意向公开

发布时间: 2025年04月14日
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****(**)等离子增强原子层沉积设备意向公开
采购单位: ****(**)
项目名称: 等离子增强原子层沉积设备
预算金额(元): 4,100,000.000
采购品目: 电子工业生产设备
采购需求概况: 用于沉积新型半导体器件所需的栅氧层,包括Al2O3、AlN、HfO2等。设备需配置8路前驱体源,包括4路液体源、2路加热源、1路臭氧源和1路有毒或易燃气体源;配置2套反应腔;支持最大晶圆尺寸8英寸;栅氧层沉积最小厚度≤2nm;等离子发生器功率≥300W;反应室最高工艺温度≥500°C。
联系人: 简老师
联系电话: 0755-****1954
预计采购时间: 2025-05
备注:
招标进度跟踪
2025-04-14
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