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1.微波GaN 功率载片:
1)单指栅宽100μm,数量100只:
GSG接口器件:器件尺寸有0.2 mm、0.4 mm(栅栅间距含12.5 mm,15 mm,17.5mm,20 mm)、0.6 mm、0.8 mm;
正式管芯:器件尺寸有0.8 mm、1.2 mm 、1.6 mm;
2)单指栅宽150μm,数量70只:
GSG接口器件:器件尺寸有0.3 mm、0.6 mm、0.9 mm、1.2 mm;
正式管芯:器件尺寸有1.2 mm、9.6 mm 、19.2 mm;
3)单指栅宽200μm,数量90只:
GSG接口器件:器件尺寸有0.4 mm、0.8 mm、1.2 mm、1.6 mm;
正式管芯:器件尺寸有0.8 mm、1.6 mm、3.2mm、12.8 mm、32 mm;
4)单指栅宽400μm,数量40只:
GSG接口器件:器件尺寸有0.8 mm、1.6 mm;
正式管芯:器件尺寸有64 mm、128 mm。
2.测试数据:
1)各种类GSG接口器件封装PAD校准电路:open、short、through电路;
2)提供各种类GSG接口器件封装PAD基本参数和结构。
3)提供GSG接口器件测试数据:
(1)种类 ≥ 3种;
(2)IV数据:漏压0~70V;S参数:频率100MHz~26.5GHz;偏置状态≥10种;基波/谐波负载牵引测试数据:频率6~12 GHz,典型频点最优栅漏阻抗、增益、效率、谐波等参数;
(3)温度:-55℃ ~ 150℃;
(4)脉宽:≥ 3种。
3、器件指标:
栅栅间距15um,栅长0.35um,工作电压≥70V,典型脉宽5~10 μs,典型占空比1 ‰,8GHz器件功率密度≥10W/mm。
4、联系方法:
联系人:武工
电 话:029-****7848