宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 4、5、6英寸半导体级单晶硅片项目

审批
宁夏-银川-西夏区
发布时间: 2025年04月22日
项目详情
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1、建设项目基本信息
企业基本信息
建设单位名称: 建设单位代码类型: 建设单位机构代码: 建设单位法人: 建设单位联系人: 建设单位所在行政区划: 建设单位详细地址:
****
****1100MA75W9UP90贺贤汉
吕飞**回族自治区**市**区
****开发区
建设项目基本信息
项目名称: 项目代码: 项目类型: 建设性质: 行业类别(分类管理名录): 行业类别(国民经济代码): 工程性质: 建设地点: 中心坐标: ****机关: 环评文件类型: 环评批复时间: 环评审批文号: 本工程排污许可证编号: 排污许可批准时间: 项目实际总投资(万元): 项目实际环保投资(万元): 运营单位名称: 运营单位组织机构代码: 验收监测(调查)报告编制机构名称: 验收监测(调查)报告编制机构代码: 验收监测单位: 验收监测单位组织机构代码: 竣工时间: 调试起始时间: 调试结束时间: 验收报告公开起始时间: 验收报告公开结束时间: 验收报告公开形式: 验收报告公开载体:
**** 4、5、6英寸半导体级单晶硅片项目/
2021版本:081-电子元件及电子专用材料制造C398-C398-电子元件及电子专用材料制造
**回族自治区**市**区 ****开发区
经度:106.14817 纬度: 38.45803****区管委****环境局
2021-05-18
银开建环发〔2021〕25号****
2020-08-039000
205****
****1100MA75W9UP90**中科****公司
****0100MA75WBR51B**中科****公司
****0100MA75WBR51B2023-10-10
2025-02-172025-03-14
https://www.****.com/gs/
2、工程变动信息
项目性质
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
改扩建改扩建
规模
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
本项目主要产品为小直径(4、5、6 英寸)半导体级单晶硅片,年生产小直径单晶硅片 168t/a,其中为一分厂 50t/a,二分厂为 70t/a,三分厂为 48t/a。本项目主要产品为小直径(4、5、6 英寸)半导体级单晶硅片,年生产小直径单晶硅片 150t/a,其中为一分厂 68t/a,二分厂为 52t/a。
三分厂环评设计位于**盾源****公司厂区,实际建设过程中将三分厂部分设备建设于一二分厂,三分厂不再建设。
生产工艺
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
一分厂主要生产P-型单晶硅,生产规模为50t/a。工艺流程如下: ①装料 将块状的多晶硅原料(外购免洗的多晶硅料)放入石英坩埚,并按照工艺比例配比加入掺杂剂硼,石英埚底部需摆放大块料将整个埚底完全盖住,小块料放于料间缝隙,靠近石英埚**料需要与石英埚壁点接触,减少面接触可能导致的挂边。将石英坩埚放在石墨件上面,石墨件由底托、半圆形石墨坩锅(用以支撑石英坩埚)、石墨加热件组成。将上述锅体装入单晶炉内,关闭炉体。 ②抽真空 装料完成后合炉,将装有多晶硅料的石英坩埚放入单晶炉内,此时单晶炉关闭,将炉体抽真空(真空度3Pa),充入氩气作为保护气,真空泵气体为空气。 抽真空工序产生的主要污染物为抽真空过程产生的噪声和抽真空废气G1-1,废气主要成分为颗粒物(含少量硅尘)。 ③高温化料 单晶炉内充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度(1420℃)以上,将多晶硅原料融化。高温化料工序产生的污染物主要为高温化料过程产生的噪声。 ④稳温 将籽晶置于液面以上30mm-50mm进行预热,同时手动调整埚转、晶转、氩气流量,参数设定相一致。需使用功率、液面温度,参数数据进行稳温,其中功率为粗调,根据上炉的拉晶数据给予功率高(2-5)kw设定值,将籽晶接触液面进行试探性稳温,待籽晶光圈有长的趋势后,进行温度调整,温度适合后,稳定30min然后进行引晶。 ⑤引晶 利用籽晶引晶,根据直径要求范围,等径拉制单晶。炉体采用夹套循环水冷却保温。 ⑥清炉 晶体拉制结束后,停炉、冷却并开始清炉,取出单晶棒、石英坩埚及石墨件等。将炉膛、石墨件清理好备用。清炉工序产生的污染物主要为清炉产生的噪声、清炉废气(G1-2)及废石英坩埚(S1-1)、废石墨件(S1-2)、废锅底料(S1-3)、除尘器收集的粉尘(S1-4)、真空泵清洗废水(W1-1)。清炉废气主要成分为颗粒物,依托一分厂现有的2台脉冲滤筒除尘器(1用1备)处理后通过15m高排气筒排放,排放废气主要成分为颗粒物。 ⑦截断 将单晶棒采用截断机切掉头尾两端,中间部分进入检测工序,截断过程较为缓慢, 截断过程中通过不停的喷洒雾状冷却水对切面进行冷却,切割过程中产生的少量粉尘随冷却水进入废水中,****处理站进行处理。头尾料统一收集后运往后处理车间酸洗除杂,再经纯水清洗、烘干、冷却后全部包装待用。 截断工序产生的污染物主要为截断过程产生的噪声、截断粉尘(G1-3)、截断喷淋废水(W1-2)、废料(S1-5)、废钢线(S1-6)、废切削液(S1-7),截断粉尘(G1-3)随截断喷淋水进入废水中。 ⑧单晶检测 单晶检测前需要对样片进行预处理。先对截断的硅棒取样进行超声碱洗、漂洗、溢流漂洗;然后用混酸(硝酸、氢氟酸)酸腐,纯水溢流漂洗;再用铬酸酸腐(20%的样 片采用铬酸酸腐,80%的样片不进行铬酸酸腐),纯水溢流漂洗。样片清洗后烘干、冷却,再通过四探针电阻率测试仪、数字式硅晶体少子寿命测试仪、碳氧含量测试仪等设备检测单晶的电阻率、晶体少子寿命、氮碳含量等,按照企业标准控制产品指标。根据检测结果及客户订单产品指标要求,分配检测后的硅棒进行切片加工。 二分厂生产工艺流程及产污环节 ①装料 将块状的多晶硅原料(外购免洗的多晶硅料)放入石英坩埚,石英埚底部需摆放大块料将整个埚底完全盖住,小块料放于料间缝隙,靠近石英埚**料需要与石英埚壁点接触,减少面接触可能导致的挂边。将石英坩埚放在石墨件上面。石墨件由底托、半圆形石墨坩锅(用以支撑石英坩埚)、石墨加热件组成。将上述锅体装入单晶炉内,关闭炉体。 ②抽真空 装料完成后合炉,将装有多晶硅料的石英坩埚放入单晶炉内,此时单晶炉关闭,将炉体抽真空(真空度3Pa),充入氩气作为保护气,真空泵气体为空气。 抽真空工序产生的主要污染物为抽真空过程产生的噪声和抽真空废气G2-1。废气主要成分为颗粒物(含少量硅尘),与清炉废气一并处理。 ③高温化料 单晶炉内充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度(1420℃)以上,将多晶硅原料融化。温化料工序产生的污染物主要为高温化料过程产生的噪声。 ④掺杂 在多晶硅融化料中按照工艺比例配比加入掺杂剂,N型单晶硅片加入的掺杂剂为砷。 本项目砷的使用量为935kg/a,掺杂过程使用石英玻璃罩进行掺杂,掺杂后,将石英玻璃罩取出,开始下一步引晶步骤。 掺杂工序产生的污染物主要为废含砷玻璃瓶S2-1。 ⑤稳温 将籽晶置于液面以上30mm-50mm进行预热,同时手动调整埚转、晶转、氩气流量,参数设定相一致。需使用功率、液面温度,参数数据进行稳温,其中功率为粗调,根据上炉的拉晶数据给予功率高(2-5)kw设定值,将籽晶接触液面进行试探性稳温,待籽晶光圈有长的趋势后,进行温度调整,温度适合后,稳定30min然后进行引晶。 ⑥引晶 利用籽晶引晶,并逐渐放大到直径要求范围,等径拉制单晶。炉体采用夹套循环水冷却保温该过程是晶体逐渐长大的过程,这是通过不断退温来实现的,在该过程中需要经常观察肩的形状,多次测量肩的尺寸,来确定肩是否处于正常生长状态,以及温度的降低幅度是否合适;转肩完成后进入等径阶段。该阶段自动控制。等长度到达目标长度后进入收尾阶段;通过改变晶体的提拉速度和温度,让晶锭逐渐小下去,直至成为一点。 因为直接把晶锭从熔体表面提起,会有很大的温度冲击,造成位错反延,在晶锭内部形成大量位错,直接影响晶锭的品质和产量;收尾完成后,按工艺要求设置各参数退加热功率,到规定的冷却时间清炉,冷却的速度不能太快,过快的冷却会使晶锭产生较大的热应力,产生位错,严重的会引起晶锭内裂,使晶锭品质和产量下降。 ⑦清炉 晶体拉制结束后,停炉、冷却并开始清炉,取出单晶棒、石英坩埚及石墨件等。将炉膛、石墨件清理好备用。 清炉工序产生的污染物主要为清炉产生的噪声、清炉废气(G2-2)及废石英坩埚 (S2-2)、废石墨件(S2-3)、废锅底料(S2-4)、布袋除尘器收集的粉尘(S2-5)、 废气处理装置产生的废水(W2-1)、真空泵清洗废水(W2-2)。清炉废气主要成分为颗粒物和砷化物,清炉废气依托二分厂现有1套旋风除尘器+二级布袋除尘器+三级串联碱液喷淋塔处理后,通过15m高排气筒排放。废气处理装置产生的废水(W2-1)及真空泵清洗废水(W2-2)属于含砷废水,经车间蒸馏装置蒸馏后,蒸馏残渣(S2-6)作为危险废物委托****处置,蒸馏冷凝水W2-3作为真空泵清洗水回用。 ⑧包装、入库 将取出的单晶棒包装,放入产品库房内,****公司进行检测、滚磨等加工工序。一分厂生产工艺流程及产污环节 一分厂主要生产P-型单晶硅,生产规模为50t/a。工艺流程如下: ①装料 将块状的多晶硅原料(外购免洗的多晶硅料)放入石英坩埚,并按照工艺比例配比加入掺杂剂硼,石英埚底部需摆放大块料将整个埚底完全盖住,小块料放于料间缝隙,靠近石英埚**料需要与石英埚壁点接触,减少面接触可能导致的挂边。将石英坩埚放在石墨件上面,石墨件由底托、半圆形石墨坩锅(用以支撑石英坩埚)、石墨加热件组成。将上述锅体装入单晶炉内,关闭炉体。 ②抽真空 装料完成后合炉,将装有多晶硅料的石英坩埚放入单晶炉内,此时单晶炉关闭,将炉体抽真空(真空度3Pa),充入氩气作为保护气,真空泵气体为空气。抽真空工序产生的主要污染物为抽真空过程产生的噪声和抽真空废气G1-1,废气主要成分为颗粒物(含少量硅尘)。 ③高温化料 单晶炉内充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热 至熔化温度(1420℃)以上,将多晶硅原料融化。高温化料工序产生的污染物主要为高温化料过程产生的噪声。 ④稳温 将籽晶置于液面以上30mm-50mm进行预热,同时手动调整埚转、晶转、氩气流量,参数设定相一致。需使用功率、液面温度,参数数据进行稳温,其中功率为粗调,根据上炉的拉晶数据给予功率高(2-5)kw设定值,将籽晶接触液面进行试探性稳温,待籽晶光圈有长的趋势后,进行温度调整,温度适合后,稳定30min然后进行引晶。 ⑤引晶 利用籽晶引晶,根据直径要求范围,等径拉制单晶。炉体采用夹套循环水冷却保温。 ⑥清炉 晶体拉制结束后,停炉、冷却并开始清炉,取出单晶棒、石英坩埚及石墨件等。将炉膛、石墨件清理好备用。 清炉工序产生的污染物主要为清炉产生的噪声、清炉废气(G1-2)及废石英坩埚(S1-1)、废石墨件(S1-2)、废锅底料(S1-3)、除尘器收集的粉尘(S1-4)、真空泵清洗废水(W1-1)。清炉废气主要成分为颗粒物,依托一分厂现有的2台脉冲滤筒除尘器(1用1备)处理后通过15m高排气筒排放,排放废气主要成分为颗粒物。 ⑦滚磨 截断后的单晶硅棒作为单晶切片的原料首先进入滚磨工序,为了使晶棒直径接近目标并使表面光滑,滚磨过程中需不断进行喷水冷却,产生的少量粉末随冷却水进入废水中,****处理站进行处理。 ⑧截断 将单晶棒采用截断机切掉头尾两端,中间部分进入检测工序,截断过程较为缓慢,截断过程中通过不停的喷洒雾状冷却水对切面进行冷却,切割过程中产生的少量粉尘随冷却水进入废水中,****处理站进行处理。截断将单晶棒采用截断机切掉头尾两端,中间部分进入检测工序,截断过程较为缓慢,截断过程中通过不停的喷洒雾状冷却水对切面进行冷却,切割过程中产生的少量粉尘随冷却水进入废水中,****处理站进行处理。 ⑨单晶检测、酸洗 头尾料统一收集后运往二分厂进行单晶检测及酸洗除杂,再经纯水清洗、烘干、冷却后全部包装待用。 截断工序产生的污染物主要为截断过程产生的噪声、截断粉尘、截断喷淋废水、废料、废钢线、废切削液,截断粉尘随截断喷淋水进入废水中。 二分厂生产工艺流程及产污环节: ①装料 将块状的多晶硅原料(外购免洗的多晶硅料)放入石英坩埚,石英埚底部需摆放大块料将整个埚底完全盖住,小块料放于料间缝隙,靠近石英埚**料需要与石英埚壁点接触,减少面接触可能导致的挂边。将石英坩埚放在石墨件上面。石墨件由底托、半圆形石墨坩锅(用以支撑石英坩埚)、石墨加热件组成。将上述锅体装入单晶炉内,关闭炉体。 ②抽真空 装料完成后合炉,将装有多晶硅料的石英坩埚放入单晶炉内,此时单晶炉关闭,将炉体抽真空(真空度3Pa),充入氩气作为保护气,真空泵气体为空气。 抽真空工序产生的主要污染物为抽真空过程产生的噪声和抽真空废气G2-1。废气主要成分为颗粒物(含少量硅尘),与清炉废气一并处理。 ③高温化料 单晶炉内充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度(1420℃)以上,将多晶硅原料融化。 高温化料工序产生的污染物主要为高温化料过程产生的噪声。 ④掺杂 在多晶硅融化料中按照工艺比例配比加入掺杂剂,N型单晶硅片加入的掺杂剂为砷。掺杂过程使用石英玻璃罩进行掺杂,掺杂后,将石英玻璃罩取出,开始下一步引晶步骤。 掺杂工序产生的污染物主要为废含砷玻璃瓶。 ⑤稳温 将籽晶置于液面以上30mm-50mm进行预热,同时手动调整埚转、晶转、氩气流量,参数设定相一致。需使用功率、液面温度,参数数据进行稳温,其中功率为粗调,根据上炉的拉晶数据给予功率高(2-5)kw设定值,将籽晶接触液面进行试探性稳温,待籽晶光圈有长的趋势后,进行温度调整,温度适合后,稳定30min然后进行引晶。 ⑥引晶 利用籽晶引晶,并逐渐放大到直径要求范围,等径拉制单晶。炉体采用夹套循环水冷却保温该过程是晶体逐渐长大的过程,这是通过不断退温来实现的,在该过程中需要经常观察肩的形状,多次测量肩的尺寸,来确定肩是否处于正常生长状态,以及温度的降低幅度是否合适;转肩完成后进入等径阶段。该阶段自动控制。等长度到达目标长度后进入收尾阶段;通过改变晶体的提拉速度和温度,让晶锭逐渐小下去,直至成为一点。 因为直接把晶锭从熔体表面提起,会有很大的温度冲击,造成位错反延,在晶锭内部形成大量位错,直接影响晶锭的品质和产量;收尾完成后,按工艺要求设置各参数退加热功率,到规定的冷却时间清炉,冷却的速度不能太快,过快的冷却会使晶锭产生较大的热应力,产生位错,严重的会引起晶锭内裂,使晶锭品质和产量下降。 ⑦清炉 晶体拉制结束后,停炉、冷却并开始清炉,取出单晶棒、石英坩埚及石墨件等。将炉膛、石墨件清理好备用。 清炉工序产生的污染物主要为清炉产生的噪声、清炉废气及废石英坩埚、废石墨件、废锅底料、布袋除尘器收集的粉尘、废气处理装置产生的废水、真空泵清洗废水。清炉废气主要成分为颗粒物和砷化物,清炉废气依托二分厂原有1套旋风除尘器+二级布袋除尘器+三级串联碱液喷淋塔处理后,通过15m高排气筒排放。废气处理装置产生的废水及真空泵清洗废水属于含砷废水,经车间蒸馏装置蒸馏后,蒸馏残渣作为危险废物委托****处置,蒸馏冷凝水作为真空泵清洗水回用。 ⑧截断 将单晶棒采用截断机切掉头尾两端,中间部分进入检测工序,截断过程较为缓慢,截断过程中通过不停的喷洒雾状冷却水对切面进行冷却,切割过程中产生的少量粉尘随冷却水进入废水中,****处理站进行处理。头尾料统一收集后运往后处理车间酸洗除杂,再经纯水清洗、烘干、冷却后全部包装待用。 截断工序产生的污染物主要为截断过程产生的噪声、截断粉尘、截断喷淋废水、废料、废钢线、废切削液,截断粉尘随截断喷淋水进入废水中。 ⑨单晶检测 单晶检测前需要对样片进行预处理。先对截断的硅棒取样进行超声碱洗、漂洗、溢流漂洗;然后用混酸(硝酸、氢氟酸)酸腐,纯水溢流漂洗;再用铬酸酸腐(20%的样片采用铬酸酸腐,80%的样片不进行铬酸酸腐),纯水溢流漂洗。样片清洗后烘干、冷却,再通过四探针电阻率测试仪、数字式硅晶体少子寿命测试仪、碳氧含量测试仪等设备检测单晶的电阻率、晶体少子寿命、氮碳含量等,按照企业标准控制产品指标。根据检测结果及客户订单产品指标要求,分配检测后的硅棒进行切片加工。
原计划在一分厂进行单晶检测及酸洗,实际一分厂和二分厂的中间产品在依托二厂的单晶检测及酸洗工段,以及配套的环保设施。
环保设施或环保措施
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
一分厂抽真空与清炉废气 依托一分厂原有2台脉冲滤筒除尘器(1用1备)处理后,通过15m高排气筒排放(1#),颗粒物处理效率为97.5%。本次**1套真空扫除装置清理一分厂清炉废气。 一分厂单晶检测和废料回收酸洗废气 依托一分厂原有2套三级碱液喷淋塔(1用1备)处理后通过25m高排气筒排放(2#),酸洗车间集气罩集气效率95%,三级碱液喷淋塔对氟化物处理效率98%,氮氧化物处理效率88%,铬酸雾处理效率95%。 二分厂抽真空与清炉废气 依托二分厂原有1套旋风除尘器+二级布袋除尘器+三级串联碱液喷淋塔处理后,通过15m高排气筒排放(3#),颗粒物处理效率95%,砷化物处理效率95%,本次**1套真空扫除装置清理二分厂清炉废气。 三分厂抽真空与清炉废气 经**的布袋除尘器处理后,通过15m高排气筒排放(4#),除尘效率99%。 一分厂污水站恶臭气体 风机+活性炭吸附装置+15m高排气筒(5#) 一分厂危废间废气: 风机+活性炭吸附装置+15m高排气筒(7#) 二分厂污水站恶臭气体: 风机+活性炭吸附装置+15m高排气筒(6#) 二分厂危废间废气: 风机+活性炭吸附装置+15m高排气筒(8#) 铬废水用桶收集,储存在一分厂危险废物暂存间,作为危险废物处置,定期委托****处置,不外排。 含砷废水经车间含砷废水处理装置(蒸馏装置)处理后,蒸馏残渣作为危险废物委托****处置,蒸汽凝结水作为含砷废气处理设施补水使用。 含氟、含酸废水和一般废水依托一分厂污水站处理达到《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)中间接排放标准后,排至园区下水管网,最终进****处理厂处理。 选用低噪声设备,合理布局,采取减振、隔声措施。 一般工业固体废物暂存在厂区原有一般固废暂存间,危险废物暂存于厂区原有危险废物暂存间,定期委托****处置。 一分厂依托厂区原有1座300m3事故水池。 二分厂**1座400m3事故水池。经现场踏勘及企业提供的资料:本项目一分厂抽真空与清炉废气依托一分厂原有2台脉冲滤筒除尘器(1用1备)处理后,通过15m高排气筒排放。 本项目一分厂产品送至二分厂进行单晶检测和酸洗工段,单晶检测和废料回收酸洗废气依托二分厂原有1套四级串联碱液喷淋塔(1用1备)处理后通过26m高排气筒排放。 本项目二分厂抽真空与清炉废气依托二分厂原有1套滤筒除尘器+板式过滤器+二级串联碱液喷淋塔处理后,通过15m高排气筒排放。 三分厂未建设,不在本次验收范围内。 本项目一分厂污水站恶臭气体收集后与危废间废气汇集,经活性炭吸附装置处理后,通过15m高排气筒排放。 本项目二分厂污水站恶臭气体收集后经生物除臭喷淋塔+除雾板+活性炭吸附装置处理后,通过15m高排气筒排放。 本项目二分厂危废间废气经活性炭吸附装置处理后,通过15m高排气筒排放。 本项目含铬废水主要为二分厂单晶检测铬酸腐蚀清洗废水。含铬废水用桶收集,储存在二分厂危险废物暂存间,作为危险废物处置,定期委托****处置,不外排。 本项目含砷废水主要为二分厂含砷废气处理设施三级碱液喷淋塔排水和二分厂真空泵水箱冲洗废水,经车间含砷废水蒸馏装置处理后,蒸馏残渣作为危险废物委托****处置,处理后的蒸汽凝结水作为含砷废气处理设施或真空泵补水使用。 含氟、含酸废水和一般废水依托二分厂污水站处理达到《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)中间接排放标准后,排至园区下水管网,最终进****处理厂处理。 本项目通过选用低噪声设备,合理布局,采取减振、隔声措施、厂区绿化等措施降低噪声对周围环境的影响。 本项目一般工业固体废物暂存在厂区原有一般固废暂存 间,危险废物暂存于厂区原有危险废物暂存间,定期委托****处置。 本项目一分厂依托厂区原有1座300m3事故水池。 本项目二分厂依托原有1座400m3事故水池。
1.****处理站废气和危废间废气经管道各自收集后汇集,然后经1套共用活性炭吸附装置处理,最后经同1根排气筒排放。 ****处理站废气主要污染物为硫化氢、氨和臭气浓度。一分厂危****处理厂污泥,废气****处理站废气相同,故可合并处理排放 2.二分厂清炉与抽真空废气1套滤筒除尘器+板式过滤器+二级碱液喷淋塔(**)+26m高排气筒。 未建设真空扫除装置,建设单位于2021年6月-8月将原有除尘设施改造为“滤筒除尘器+板式过滤器+二级串联碱液喷淋塔”,已进行登记备案,登记表见附件。并于2024年对二级串联碱液淋洗塔进行改造,改造后处理能力增大,处理效率增加。 3.风机+生物除臭喷淋塔+除雾板+活性炭吸附装置筒。 增加生物除臭喷淋塔 4.****处理站在线监测设备已进行技术验收,未联网。 建设单位不属于水重点管理企业,不要求水在线监测设备联网。****处理站原有一套废水在线监测设备已完成验收。
其他
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
3、污染物排放量
污染物 现有工程(已建成的) 本工程(本期建设的) 总体工程 总体工程(现有工程+本工程) 排放方式 实际排放量 实际排放量 许可排放量 “以新带老”削减量 区域平衡替代本工程削减量 实际排放总量 排放增减量 废水 水量 (万吨/年) COD(吨/年) 氨氮(吨/年) 总磷(吨/年) 总氮(吨/年) 废气 气量 (万立方米/年) 二氧化硫(吨/年) 氮氧化物(吨/年) 颗粒物(吨/年) 挥发性有机物(吨/年)
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0 1.87 4.905 0 0 1.87 1.87 /
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4、环境保护设施落实情况
表1 水污染治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
1 ****处理站、****处理站、二分厂砷冷凝设施 《城市污水再生利用 工业用水水质》GB/T19923-2005、《污水排入城镇下水道水质标准》(GB/T31962-2015)、《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020) ****处理站、****处理站、二分厂砷冷凝设施 ****处理站出水水质中pH范围为7.8-8.2、悬浮物最大日均浓度为17mg/L、化学需氧量最大日均浓度为29mg/L、总有机碳最大日均浓度为6.3mg/L、氨氮最大日均浓度为0.088mg/L、总氮最大日均浓度为2.53mg/L、总磷最大日均浓度为0.04mg/L、阴离子表面活性剂最大日均浓度为0.08mg/L、氟化物最大日均浓度为0.29mg/L、总氰化物最大日均浓度为0.004mg/L,总锌最大日均浓度为0.039mg/L,总铜、石油类和硫化物最大日均浓度未检出,均符合《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)表1水污染物排放限值。溶解性总固体最大日均浓度为824mg/L,符合《污水排入城镇下水道水质标准》(GB/T31962-2015)表1污水排入城镇下水道水质等级标准A等级要求。五日生化需氧量无限值要求,不进行达标评价。本项目二分厂车间出口水质中总铬未检出,六价铬最大日均浓度为0.124mg/L,总砷最大日均浓度为1.56×10-2mg/L,均符合《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)表1水污染物排放限值。 本项目二分厂废水总排口水质中pH范围为8.2、悬浮物最大日均浓度为101mg/L、化学需氧量最大日均浓度为297mg/L、总有机碳最大日均浓度为58.7mg/L、氨氮最大日均浓度为1.69mg/L、总氮最大日均浓度为26.9mg/L、总磷最大日均浓度为0.27mg/L、阴离子表面活性剂最大日均浓度为0.19mg/L、氟化物最大日均浓度为1.70mg/L、总氰化物最大日均浓度为0.005mg/L,石油类和硫化物最大日均浓度未检出,总铜最大日均浓度为0.019mg/L、总锌最大日均浓度为0.216mg/L,均符合《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)表1水污染物排放限值。溶解性总固体最大日均浓度为1453mg/L,符合《污水排入城镇下水道水质标准》(GB/T31962-2015)表1污水排入城镇下水道水质等级标准A等级要求。五日生化需氧量无限值要求,不进行达标评价。 本项目二分厂含砷废水经蒸馏装置处理后的蒸汽冷凝水检测结果中,溶解性总固体排放浓度最大日均值为425mg/L,总硬度排放浓度最大日均值为191mg/L,五日生化需氧量排放浓度最大日均值为13.2mg/L,悬浮物未检出,以上检测结果均符合《城市污水再生利用 工业用水水质》(GB/T19923 2005)表1中洗涤用水标准要求。pH范围为4.8-5.1,超出《城市污水再生利用 工业用水水质》GB/T19923-2005表1中洗涤用水标准要求。化学需氧量无限值要求,不进行达标评价。
表2 大气污染治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
1 滤筒除尘器、活性炭吸附箱、四级串联碱液喷淋塔、滤筒除尘器+板式过滤器+二级串联碱液喷淋塔、生物除臭喷淋塔+除雾板+活性炭吸附装置 《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)、《大气污染物综合排放标准》(DB11/501-2017)、大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996) 本项目一分厂抽真空与清炉废气依托一分厂原有2台脉冲滤筒除尘器(1用1备)处理后,通过15m高排气筒排放。 本项目一分厂产品送至二分厂进行单晶检测和酸洗工段,单晶检测和废料回收酸洗废气依托二分厂原有1套四级串联碱液喷淋塔(1用1备)处理后通过26m高排气筒排放。 本项目二分厂抽真空与清炉废气依托二分厂原有1套滤筒除尘器+板式过滤器+二级串联碱液喷淋塔处理后,通过15m高排气筒排放。 三分厂未建设,不在本次验收范围内。 本项目一分厂污水站恶臭气体收集后与危废间废气汇集,经活性炭吸附装置处理后,通过15m高排气筒排放。 本项目二分厂污水站恶臭气体收集后经生物除臭喷淋塔+除雾板+活性炭吸附装置处理后,通过15m高排气筒排放。 本项目二分厂危废间废气经活性炭吸附装置处理后,通过15m高排气筒排放。 本项目一分厂厂界无组织排放监控点中硫化氢最大检测浓度为0.006mg/m3,氨最大检测浓度为0.05mg/m3,臭气浓度最大检测浓度为13,检测结果均符合《恶臭污染物排放标准》GB14554-93表1恶臭污染物厂界标准值要求;颗粒物最大检测浓度为0.513mg/m3,氮氧化物最大检测浓度为0.053mg/m3,氟化物及铬酸雾未检出,检测结果均符合《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2污染源大气污染物排放限值-无组织排放监控浓度限值要求。 本项目二分厂厂界无组织排放监控点中硫化氢最大检测浓度为0.006mg/m3,氨最大检测浓度为0.11mg/m3,臭气浓度最大检测浓度为13,检测结果均符合《恶臭污染物排放标准》GB14554-93表1恶臭污染物厂界标准值要求;颗粒物最大检测浓度为0.572mg/m3,氮氧化物最大检测浓度为0.052mg/m3,氟化物及铬酸雾未检出,检测结果均符合《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2污染源大气污染物排放限值-无组织排放监控浓度限值要求。砷最大检测浓度为3.26×10-4mg/m3,检测结果符合《大气污染物综合排放标准》DB11/501-2007表1一般污染源大气污染物排放限值要求。 本项目一分厂抽真空与清炉废气环保设施出口中颗粒物排放浓度未检出,最大排放速率为4.40×10-3kg/h,均符合《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2新污染源大气污染物排放限值要求。一分厂污水站和危废间环保设施出口中硫化氢最大排放速率为1.04×10-3kg/h,氨最大排放速率为2.80×10-2kg/h,臭气浓度最大排放值为630,均符合《恶臭污染物排放标准》GB14554-93表2恶臭污染物排放标准值要求。 验收监测期间,本项目二分厂抽真空与清炉废气排气筒出口中颗粒物排放浓度未检出,最大排放速率为1.51×10-3kg/h,符合《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2新污染源大气污染物排放限值要求;砷最大排放浓度为2.31×10-2mg/m3,最大排放速率为7.52×10-5kg/h,符合《大气污染物综合排放标准》DB11/501-2007表1一般污染源大气污染物排放限值要求。 本项目二分厂三级串联淋洗塔出口废气中氮氧化物最大排放浓度为28mg/m3,最大排放速率为0.152kg/h;氟化物最大排放浓度未检出,最大排放速率为1.68×10-4kg/h;铬酸雾最大排放浓度为0.017mg/m3,最大排放速率为1.03×10-4kg/h,均符合《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2新污染源大气污染物排放限值要求。 ****处理站废气环保设施出口废气中硫化氢最大排放速率为7.09×10-3kg/h;氨最大排放速率为3.15×10-2kg/h;臭气浓度最大排放值为724,均符合《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2新污染源大气污染物排放限值要求。二分厂危废间废气环保设施出口废气中硫化氢最大排放速率为2.10×10-5kg/h;氨最大排放速率为1.26×10-3kg/h;臭气浓度最大排放值为724,均符合《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2新污染源大气污染物排放限值要求。
表3 噪声治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
1 选用低噪声设备,合理布局,采取减振、隔声措施。 《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008) 本项目通过选用低噪声设备,合理布局,采取减振、隔声措施、厂区绿化等措施降低噪声对周围环境的影响。 验收监测期间,一分厂厂界噪声昼间检测值为48dB(A)~52dB(A),夜间检测值为46dB(A)~48dB(A);二分厂厂界噪声昼间检测值为49dB(A)~52dB(A),夜间检测值为46dB(A)~50dB(A),均符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》GB 12348-2008表1中3类标准限值要求。
表4 地下水污染治理设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
表5 固废治理设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
1 一般工业固体废物暂存在厂区原有一般固废暂存间,危险废物暂存于厂区原有危险废物暂存间,定期委托****处置。 本项目一般工业固体废物暂存在厂区原有一般固废暂存 间,危险废物暂存于厂区原有危险废物暂存间,定期委托****处置。
表6 生态保护设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
表7 风险设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
5、环境保护对策措施落实情况
依托工程
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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环保搬迁
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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区域削减
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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生态恢复、补偿或管理
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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功能置换
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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其他
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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6、工程建设对项目周边环境的影响
地表水是否达到验收执行标准: 地下水是否达到验收执行标准: 环境空气是否达到验收执行标准: 土壤是否达到验收执行标准: 海水是否达到验收执行标准: 敏感点噪声是否达到验收执行标准:
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7、验收结论
序号 根据《建设项目竣工环境保护验收暂行办法》有关规定,请核实该项目是否存在下列情形:
1 未按环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施,或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用
2 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求
3 环境影响报告书(表)经批准后,该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动,建设单位未重新报批环境影响报告书(表)或环境影响报告书(表)未经批准
4 建设过程中造成重大环境污染未治理完成,或者造成重大生态破坏未恢复
5 纳入排污许可管理的建设项目,无证排污或不按证排污
6 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目,其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要
7 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚,被责令改正,尚未改正完成
8 验收报告的基础资料数据明显不实,内容存在重大缺项、遗漏,或者验收结论不明确、不合理
9 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收
不存在上述情况
验收结论 合格
温馨提示
1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展,属于前期项目。
2.根据该项目的描述,可依据自身条件进行选择和跟进,避免错过。
3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设,也可继续跟踪,项目可能还有其他相关后续工程与服务。
400-688-2000
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