统一信息编码:HLJDGG202****9145
专业领域:电子元器件
一、项目名称:XXX半导体复合器件
二、项目编号:****
三、采购内容:
3.1 采购清单及技术要求:
本合同采购目标是基于碲锌镉(CZT)、硅-PIN(Si-PIN)、碳化硅(SiC)为衬底与XXX(CdSe@CdS)构建XXX半导体复合器件。
★不同器件需采购的规格与数量如下表所示:
| 编号 |
衬底 |
量子点 |
面积 |
数量(片) |
| 1 |
CZT |
CdSe@CdS |
≥600mm2 |
10 |
| 2 |
Si-PIN |
CdSe@CdS |
≥400mm2 |
10 |
| 3 |
SiC |
CdSe@CdS |
≥400mm2 |
3 |
结构要求:
★(1)半导体复合器件主要分为两部分:半导体衬底和XXX发光结构。
★(2)使用CdSe@CdS材料作为核心发光XXX。
(3)空穴注入层为PEDOT:PSS,空穴传输层使用Poly-TPD、TFB、PVK、PTAA或CBP其中一种或其组合,电子传输层为ZnMgO。
(4)发光层电极使用ITO,或薄层Au、Al电极。
器件关键指标包含:
★(1)发光XXX效率>5%。
★(2)耐压>50V,对直流X射线响应正常。
(3)晶锭进行切割、磨抛、腐蚀工艺,形成表面平整光滑晶片。
(4)晶体的电阻率不小于107Ω﹒cm。
(5)根据项目组要求在CZT、Si-PIN、SiC基底上分别制备异质结结构。
预期交付CZT基、Si-PIN基、SiC基与量子点构成XXX半导体复合器件分别为10片、10片、3片并形成性能测试报告。
四、投标人资格条件
1、具有独立承担民事责任的能力;
2、具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度;
3、具有履行合同所必需的设备和专业技术能力;
4、有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录
5、参加政府采购活动前3年内,在经营活动中没有重大违法记录;
6、供应商成立时间不少于2年,且为非外资独资或外资控股企业;
7、单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商,不得同时参加采购活动;
五、拟单一来源采购供应商:****
六、申请理由:
本项目于2025年4月23日在全军武器装备采购信息网发布了竞争性谈判公告,至谈判文件发售截止时间2025年4月30日,只有****1家供应商报名并领取了谈判文件,采购失败。标书代写
公告发布仅有一家供应商可响应本项目,现拟通过单一来源方式进行采购。
七、公示期限:公示期为本公示发布之日起5个工作日。
八、供应商对该项目拟采用单一来源采购方式及其理由有异议的,可于公示期内,以书面形式向采购人提出,逾期将不再受理。递交的异议函及其他书面材料应当包括下列内容:(一)项目名称和项目编号;(二)具体的异议事项、事实依据及相关证明材料;(三)异议函需加盖单位公章;(四)联系人(单位负责人或授权人)及联系方式。
九、联系方式
9.1.项目组
联系人:付工
电话:029-****7208
9.2.监督投诉电话:029-****5166
地址:**市**区