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氮化硅LPCVD流片（XF-WSBX-2500183）延期公告

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浙江 -杭州

发布时间： 2025年06月03日

摘要信息

招标单位

招标编号

招标估价

招标联系人

招标代理机构

代理联系人

报名截止时间

投标截止时间

关键信息

氮化硅公告

招标详情

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相关单位：

***********公司企业信息

延期信息

延期理由：

由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2025-06-06 16:00

项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式联系人联系电话签约时间要求到货时间要求预算总价发票要求含税要求送货要求安装要求收货地址供应商资质要求公告说明

氮化硅LPCVD流片	****
2025-05-23 15:58:58	2025-06-06 16:00:00
****	货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额


￥360000.00





符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购清单1

采购商品采购数量计量单位所属分类

氮化硅LPCVD流片

张

电子、通信与自动控制技术研究服务

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 60000.00

1. LPCVD Si3N4厚度400 nm，退火后最小CD：200 nm，最小gap：250 nm。CD线宽控制：200±20 nm；Si3N4侧壁角度：＞86°。 2. 在400 nm Si3N4上进行刻蚀，刻蚀深度200 nm，套刻精度：70 nm。Slab 厚度：200±15 nm，Si3N4厚度：400±20 nm 3. Si3N4上进行SiO2填充，≥250 nm的gap需要保证SiO2填充完整。 4. TiN****中心和边缘的均值：13.5ohm/sq。最小CD：2μm 。 5. Si3N4单模波导（1μm宽度）传输损耗：≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。 6. 端面耦合（c波段，MFD_2p5μm）：TE：loss＜2dB/facet，TM：loss＜2.1dB/facet。 7. 1*2MMI（c波段）：损耗≈0.2dB ，不平衡度＜0.1dB。 8. crossing（c波段）：损耗≈0.2dB。

电话支持: 5x8小时;服务时限:报修后48小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;