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年产50万片高性能集成电路制造后道关键工艺研发及产业化项目
项目详情
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400-688-2000
1、建设项目基本信息
企业基本信息
| **** | 建设单位代码类型：|
| ****0582MA251ML55L | 建设单位法人：王小波 |
| 王小波 | 建设单位所在行政区划：******市 |
| **市****开发区福新路1202号 |
建设项目基本信息
| 年产50万片高性能集成电路制造后道关键工艺研发及产业化项目 | 项目代码：**** |
| 建设性质： | |
| 2021版本:080-电子器件制造 | 行业类别（国民经济代码）：C3973-C3973-集成电路制造 |
| 建设地点： | ******市 ******市 |
| 经度:120.537500 纬度: 31.913611 | ****机关：****环境局 |
| 环评批复时间： | 2022-10-19 |
| 苏环建〔2022〕82第0202号号 | 本工程排污许可证编号：****0582MA251ML552001Y |
| 2023-08-10 | 项目实际总投资(万元)：1500 |
| 20 | 运营单位名称：**** |
| ****0582MA251ML55L | 验收监测(调查)报告编制机构名称：**** |
| ****0582MA251ML55L | 验收监测单位：**** |
| ****0507MA1X2X8T85 | 竣工时间：2024-12-01 |
| 2024-12-02 | 调试结束时间：2024-12-30 |
| 2025-03-17 | 验收报告公开结束时间：2025-04-30 |
| 验收报告公开载体： | www.****.com |
2、工程变动信息
项目性质
| ** | 实际建设情况：** |
| 无 | 是否属于重大变动：|
规模
| 年产50万片高性能集成电路 | 实际建设情况：年产50万片高性能集成电路 |
| 无 | 是否属于重大变动：|
生产工艺
| 来料检验：在净化工作台上对外送来的集成电路片进行表面检查。合格品进入后续工序，不合格品由厂家回收。 贴膜：利用贴膜机对外送来的集成电路片进行贴膜，贴膜主要是为了防止后续生产时机器运转造成表面划痕。该工序产生白/蓝膜边角料（S1）。 磨片：利用减薄机对贴膜后的集成电路片磨片，磨片过程中在纯水中进行，然后利用甩干机甩干或者自然晾干。该工序产生磨片废水（W1）和噪声（N）。 背面腐蚀：在集成电路背面用硅腐蚀液、或单纯的酸液（盐酸、稀硝酸）或盐酸、稀硝酸配比的混合酸进行化学腐蚀1分钟，腐蚀是将一定比例的酸液与集成电路表面的材料发生化学反应，控制反应的速率、时间、均匀性等，达到刻蚀的目的。其中硅腐蚀液为外购，主要为盐酸、硝酸、氢氟酸、硼酸、少量醋酸等的混合酸。 集成电路圆片放入混合酸液或硅腐蚀液中进行化学反应然后用大量纯水进行清洗。腐蚀过程产生废酸S2；酸性废气 G1-1 在通风橱内收集；后续的水洗产生冲洗废水W2-1。直至清洗水 pH 达到 6.5，水冲洗结束。清洗机内有清洗槽，清洗机设置在密闭的通风橱内，腐蚀和清洗工作在常温下进行。 HF酸浸泡：在集成电路背面再次进行化学腐蚀30秒，主要为HF酸溶液。然后用大量纯水进行冲洗。此过程中会产生酸性气体G1-2及废酸S3，产生冲洗废水W2-2。 背面腐蚀及HF酸浸泡均在常温常压下进行。 去保护膜：清洗后在UV解胶机上去掉表面保护膜，UV解胶机利用机器上的LED灯照射产品膜。使膜的粘性降低，容易去除。该工序产生白/蓝膜边角料（S4），无其他产废。 真空镀：在真空环境下，在集成电路背面镀上一层金属膜。本项目蒸镀采用真空蒸发法，是采用电子束加热法将金属原料蒸发沉积到芯片上的一种成膜方法。本项目使用16台蒸发台进行操作，蒸发原料的分子（或原子）的平均自由程长（10-4Pa 以下，达几十米），所以在真空中几乎不与其它分子碰撞可直接到达芯片。到达集成电路背面的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面。蒸镀前腔体内部需抽真空处理，起始时及蒸镀时真空度达9.99E-07Torr，残留气体极少，不会对膜层产生影响。蒸镀使用的主要材料为金、钛、镍、银、锡、铜、钒、铬等。整个蒸着过程在光学镀膜机内真空密闭完成，真空度在10-3-10-4Pa。材料可完全附着在集成电路背面，不外排，对外界环境无任何影响，使用的主要设备为金属蒸发台。 PC测试：利用检测设备测试集成电路的产品参数性能。不使用化学品。本工序无污染物产生和排放。 划片：利用划片机按照集成电路上的划片槽划成小块。目的主要为使得芯片分离形成各自独立的个体以便后续挑粒，该过程在纯水中进行，为得到更好的划片效果，纯水中加入少量切割液。然后利用甩干机甩干或者自然晾干。该工序产生划片废水（W3）和噪声（N）。 挑粒：利用自动挑粒机，把划好的小片利用挑粒机放到挑粒盒中。本工序无污染物产生和排放。 检验：利用显微镜人工对加工后的集成电路片进行检验，仅作外观检验，无化学品使用。合格品进入后续工序，不合格品由厂家回收。该工序产生不合格产品（S5）。 包装出货：在真空包装机上进行包装打包发货。包装时用到氮气保存。 | 实际建设情况：来料检验：在净化工作台上对外送来的集成电路片进行表面检查。合格品进入后续工序，不合格品由厂家回收。 贴膜：利用贴膜机对外送来的集成电路片进行贴膜，贴膜主要是为了防止后续生产时机器运转造成表面划痕。该工序产生白/蓝膜边角料（S1）。 磨片：利用减薄机对贴膜后的集成电路片磨片，磨片过程中在纯水中进行，然后利用甩干机甩干或者自然晾干。该工序产生磨片废水（W1）和噪声（N）。 背面腐蚀：在集成电路背面用硅腐蚀液、或单纯的酸液（盐酸、稀硝酸）或盐酸、稀硝酸配比的混合酸进行化学腐蚀1分钟，腐蚀是将一定比例的酸液与集成电路表面的材料发生化学反应，控制反应的速率、时间、均匀性等，达到刻蚀的目的。其中硅腐蚀液为外购，主要为盐酸、硝酸、氢氟酸、硼酸、少量醋酸等的混合酸。 集成电路圆片放入混合酸液或硅腐蚀液中进行化学反应然后用大量纯水进行清洗。腐蚀过程产生废酸S2；酸性废气 G1-1 在通风橱内收集；后续的水洗产生冲洗废水W2-1。直至清洗水 pH 达到 6.5，水冲洗结束。清洗机内有清洗槽，清洗机设置在密闭的通风橱内，腐蚀和清洗工作在常温下进行。 HF酸浸泡：在集成电路背面再次进行化学腐蚀30秒，主要为HF酸溶液。然后用大量纯水进行冲洗。此过程中会产生酸性气体G1-2及废酸S3，产生冲洗废水W2-2。 背面腐蚀及HF酸浸泡均在常温常压下进行。 去保护膜：清洗后在UV解胶机上去掉表面保护膜，UV解胶机利用机器上的LED灯照射产品膜。使膜的粘性降低，容易去除。该工序产生白/蓝膜边角料（S4），无其他产废。 真空镀：在真空环境下，在集成电路背面镀上一层金属膜。本项目蒸镀采用真空蒸发法，是采用电子束加热法将金属原料蒸发沉积到芯片上的一种成膜方法。本项目使用16台蒸发台进行操作，蒸发原料的分子（或原子）的平均自由程长（10-4Pa 以下，达几十米），所以在真空中几乎不与其它分子碰撞可直接到达芯片。到达集成电路背面的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面。蒸镀前腔体内部需抽真空处理，起始时及蒸镀时真空度达9.99E-07Torr，残留气体极少，不会对膜层产生影响。蒸镀使用的主要材料为金、钛、镍、银、锡、铜、钒、铬等。整个蒸着过程在光学镀膜机内真空密闭完成，真空度在10-3-10-4Pa。材料可完全附着在集成电路背面，不外排，对外界环境无任何影响，使用的主要设备为金属蒸发台。 PC测试：利用检测设备测试集成电路的产品参数性能。不使用化学品。本工序无污染物产生和排放。 划片：利用划片机按照集成电路上的划片槽划成小块。目的主要为使得芯片分离形成各自独立的个体以便后续挑粒，该过程在纯水中进行，为得到更好的划片效果，纯水中加入少量切割液。然后利用甩干机甩干或者自然晾干。该工序产生划片废水（W3）和噪声（N）。 挑粒：利用自动挑粒机，把划好的小片利用挑粒机放到挑粒盒中。本工序无污染物产生和排放。 检验：利用显微镜人工对加工后的集成电路片进行检验，仅作外观检验，无化学品使用。合格品进入后续工序，不合格品由厂家回收。该工序产生不合格产品（S5）。 包装出货：在真空包装机上进行包装打包发货。包装时用到氮气保存。 |
| 无 | 是否属于重大变动：|
环保设施或环保措施
| 本项目采用“雨污分流、分类收集、分质处理”。生产废水预处理后接管至**市****公司处理，制纯水浓水接管至**市****公司处理，生活污水预处理后接****公司****处理厂处理。 本项目背面腐蚀、HF酸浸泡工序产生的废气收集后经酸雾吸收塔处理后通过1根25米高排气筒(1#)排放。采取有效措施控制无组织排放的废气。废气排放执行报告表所列相应标准。 | 实际建设情况：本项目采用“雨污分流、分类收集、分质处理”，本项目生活污水接管至******公司集中处理；生产废水预处理后接管至**市****公司处理，制纯水浓水接管至**市****公司处理，达标排放。 本项目背面腐蚀、HF酸浸泡工序过程中产生的废气经酸雾吸收塔装置处理后经25米高的排气筒（1#）排放，以上废气执行相应排放标准。 |
| 无 | 是否属于重大变动：|
其他
| 无 | 实际建设情况：无 |
| 无 | 是否属于重大变动：|
3、污染物排放量
| 0 | 4.81 | 4.81 | 0 | 0 | 4.81 | 4.81 | |
| 0 | 6.668 | 6.668 | 0 | 0 | 6.668 | 6.668 | |
| 0 | 0.304 | 0.304 | 0 | 0 | 0.304 | 0.304 | |
| 0 | 0.0307 | 0.307 | 0 | 0 | 0.031 | 0.031 | |
| 0 | 0.1415 | 0.1415 | 0 | 0 | 0.141 | 0.141 | |
| 0 | 5.128 | 5.128 | 0 | 0 | 5.128 | 5.128 | |
| 0 | 0.4245 | 0.4245 | 0 | 0 | 0.424 | 0.424 | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0.0432 | 0.0432 | 0 | 0 | 0.043 | 0.043 | / |
| 0 | 0.0232 | 0.0232 | 0 | 0 | 0.023 | 0.023 | / |
4、环境保护设施落实情况
表1 水污染治理设施
| 1 | 生产废水处理设施 | 《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020） | pH调节池-絮凝池-混凝池-斜板沉淀池-板框压滤机-上清液收集池-过滤系统-排放池 | 委托****进行检测 |
表2 大气污染治理设施
| 1 | 酸雾吸收塔 | 《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）；《大气污染物综合排放标准》（DB32/4041-2021） | 背面腐蚀、HF酸浸泡过程产生酸性废气（氯化氢、氟化物），废气由通风橱收集后经酸雾吸收塔处理后通过1根25米排气筒（DA001）排放 | 委托****进行检测 |
表3 噪声治理设施
| 1 | / | 《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准 | 通过减振、隔声等措施达到降噪的目的 | 委托****进行检测 |
表4 地下水污染治理设施
表5 固废治理设施
| 1 | 制定和落实固体废物的厂内收集和贮存、综合利用、安全处置的实施方案，实现“零排放”。危险废物必须委托具备危险废物处理、经营许可证的单位进行处理:在转移处理危险废物过程中，须按规定办理专项审批手续。厂区内按国家《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2001)的要求做好废液(渣)等危险废物的收集和贮存。 | 本项目制定和落实固体废物(废液)特别是危险废物的厂内收集和贮存、综合利用、安全处置的实施方案，危险废物委托**市****公司、******公司处置，并履行危险废物转移审批手续，生活垃圾委托******经营部及时清运，固体废弃物零排放。 |
表6 生态保护设施
表7 风险设施
5、环境保护对策措施落实情况
依托工程
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
环保搬迁
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
区域削减
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
生态恢复、补偿或管理
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
功能置换
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
其他
| 无 | 验收阶段落实情况：无 |
| / |
6、工程建设对项目周边环境的影响
| / |
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7、验收结论
| 1 | 未按环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施，或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书（表）经批准后，该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动，建设单位未重新报批环境影响报告书（表）或环境影响报告书（表）未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成，或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目，无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目，其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚，被责令改正，尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实，内容存在重大缺项、遗漏，或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 | |
| 验收结论 | 合格 |
温馨提示
1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展，属于前期项目。
2.根据该项目的描述，可依据自身条件进行选择和跟进，避免错过。
3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设，也可继续跟踪，项目可能还有其他相关后续工程与服务。
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