招标详情
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400-688-2000
项目名称
| 高真空磁控溅射系统一套 | 项目编号
**** |
公告开始日期
| 2025-07-10 14:40:00 | 公告截止日期
2025-07-15 15:00:00 |
采购单位
| **** | 付款方式
请查看比选文件 |
联系人
| 联系电话
|
签约时间要求
| 到货时间要求
合同签订后150个日历日内 |
预算总价
| ¥990000.00 |
发票要求
|
含税要求
|
送货要求
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安装要求
|
收货地址
| **校区第一理科楼楼中124 房间 |
供应商资质要求
| 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
公告说明
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采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
| 高真空磁控溅射系统 |
1 |
台 |
其他试验仪器及装置 |
品牌
| - |
型号
| - |
预算单价
| ¥ 990000.00 |
技术参数及配置要求
| 该设备具有可控制的磁场、稳定的氩气控制方案,主要用于在超高真空环境中制备单层、多层薄膜,主要为多层金属薄膜、合金薄膜、半导体材料薄膜、氧化物薄膜等;溅射方式主要有直流溅射以及射频溅射。 一、真空系统: 1.▲超高真空304不锈钢圆柱体反应腔体,尺寸不小于450mm高×350mm直径;腔体顶部采用橡胶圈密封,底部采用金属密封;采用前开门设计,方便打开腔体;主腔体配备不少于1个6英寸观察窗,带手动挡板; 2.★极限真空度:8×10-5Pa; 3.恢复真空时间:大气至3×10-3Pa≤15min; 4.保真空:达到极限真空度后,关闭高真空阀一小时,真空室真空度≤7×10-1Pa; 5.▲电动蝶阀采用伺服控制,用于自动恒真空系统,使溅射使真空保持恒定。 6.★真空系统配置:分子泵和前级泵组合,配软抽阀及软放阀(可减少真空室排大气时湍流对工件的影响), 管道通径为16mm,真空系统管道采用不锈钢材料,管道软连接处采用金属波纹管;各真空阀门为气动阀门。 二、工艺能力: 1.制造商需要配合用户做工艺设计和工艺参数调整; 2.★制造商需具备一定的技术基础与工艺能力,采用磁控溅射单一技术, 制备Ni金属单质薄膜,厚度≥300nm,基底尺寸要求>φ50mm,基底材质为PI基材),并在投标时提供样品的测试数据(附在投标文件中)。要求样品肉眼观察无明显裂纹,背面用光源照射时也不会出现明显裂纹。 3.▲根据工艺要求,设备成膜均匀性最优可达(SiO2):±1.5% @ 200mm基片(去除边缘5mm); 三、样品台系统: 1.★样品台具备溅射4英寸基片的能力并向下兼容,安装在真空腔顶部,向上溅射,样品台配置最高温度不低于800℃,加热系统采用控温精度±1℃; 2.▲样品台可调工作距离不少于70mm,铝合金材质; 3.工件转动的动密封为磁流体密封,工件盘轴向、径向跳动≤±2.5%; 四、电源和靶系统: 1.★主腔室底部配置不少于3套4英寸(使用直径4英寸的靶材)靶枪; 2.所有靶枪均配备独立的气动挡板和套筒,防止靶材交叉污染; 3.所有靶枪适应直流电源或射频电源工作模式; 4.★靶枪电源包括:不少于2套功率500W直流电源,带专用4路切换器,通过切换器,其中1个直流电源可连接4个靶枪,通过电脑控制切换给不同靶枪供电;不少于1套功率600W射频电源,带自动匹配网络及输出电缆; 五、电控系统: 1.▲控电柜采用一体式,仪表安装柜采用非标准英尺寸,另一侧作为电器元件安装柜结构为大板式,便于安装维护,元器件损坏时应易于检测和更换; 2.★配不小于15寸触摸屏控制功能,具有良好的人机界面与操作功能,可实现溅射镀膜过程全自动化控制,从排气到溅射镀膜结束整个过程一键式自动控制,安全连锁的操作系统; 3.控电柜内主要电器外购件均选用通过CE认证或ISO9001认证的生产厂商的产品,确保安全可靠。 六、样品处理装置 1. 加热板材质:陶瓷涂层铝合金 2. 搅拌速度:50-1500rpm 3. 温度范围:室温-320℃ 4. 具备计时功能 5. 具备自动反转功能 七、配置清单 1. 真空腔体1套; 2. 分子泵和直联泵各1套; 3. 射频电源2套,直流电源1套; 4. 电控一体机1套; 5. 冷却循环水1套; 6. 样品处理装置1套; 7. 满足招标要求的其他配置;标书代写 |
参考链接
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售后服务
| 服务年限:12月;电话支持:7x24小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年; |