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| 硅光芯片流片外协加工 | 1.0/block | (1) 90nm工艺节点硅光有源芯片MPW流片; (2) MPW流片,单个block尺寸3mm×10mm, 交付25个芯片; (3) 具备三步硅刻蚀、多步有源器件掺杂、锗外延与TiN金属加热电极、双层金属互连和深硅刻蚀等关键工艺能力; | 验收过程中,如服务工作及服务成果存在错误、缺陷或与约定不符的,立即采取纠正、补充或甲方要求的其他补救措施 |