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12吋硅光成套工艺及定制化CMOS研发
招标详情
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相关单位：
***********公司企业信息
****2025年8至9月政府采购意向-12吋硅光成套工艺及定制化CMOS研发 详细情况
| 12吋硅光成套工艺及定制化CMOS研发 | |
| 项目所在采购意向： | ****2025年8至9月政府采购意向 |
| 采购单位： | **** |
| 采购项目名称： | 12吋硅光成套工艺及定制化CMOS研发 |
| 预算金额： | 1500.000000万元(人民币) |
| 采购品目： |
C****1300电子、通信与自动控制技术研究服务
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| 采购需求概况 ： |
完成以下目标所涉及到的12吋CMOS产线设备的机台使用费及加工费用： 1、SOI wafer，12吋硅光成套工艺，目标：最小加工尺寸≤65nm，基于曲线的硅光OPC前修正技术，波导宽度偏差≤10nm，条形波导损耗≤1dB/cm，锥形波导尖端尺寸≤60nm，氮化硅波导损耗≤0.1dB/cm，层数≥2需求指标达标交付晶圆数量50；2、12", P-EPI, 8-12 ohm, Notch-100, full loop, 定制低功耗55nm CMOS成套工艺，目标NFET：Idsat≥0.600mA/um，Ioff≤650pA/um；PFET：Idsat≥0.290mA/um，Ioff≤200pA/um，需求指标达标交付晶圆数量50； 3、12", P-EPI, 8-12 ohm, Notch-100, full loop, 定制高压180nm BCD成套工艺，目标NFET：Idsat≥0.600mA/um，Ioff≤100pA/um；PFET：Idsat≥0.290mA/um，Ioff≤200pA/um，需求指标达标交付晶圆数量50；4、SOI wafer，硅光SiGe探测器器件，目标：硅基锗探测器暗电流≤100nA，响应度≥0.8A/W 带宽≥40GHz，需求指标达标交付晶圆数量10；5、SOI wafer，应变晶体管，目标：与常规晶体管相比，器件速度提升，漏电降低，需求指标达标交付晶圆数量10。
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| 预计采购时间： | 2025-08 |
| 备注： | |
本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写
招标进度跟踪
2025-07-14
招标预告
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