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| 1 | 半导体能谱精密分析系统 | 用于通过测试半导体材料的电致发光EQE谱和光致发光谱,自动化拟合计算半导体材料的禁带宽度、电荷转移态能阶Ect、重组能λ、电荷转移态常数f等关键材料参数。主要技术要求:根据肖特基-奎伊瑟(Shockley–Queisser)的SQ平衡极限理论,在SQ平衡极限中,Voc三大损耗包括:ΔV热力学损耗、ΔV辐射损耗、ΔV非辐射损耗。EL-EQE光谱强度可达6个数量级的动态范围测量能力(即EL-EQE最低可达0.00001%),电荷转移态能阶Ect、重组能λ、电荷转移态常数f 拟合计算。1年质保,供货期4个月。 | ****000.00 | 2025-08 |