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深圳技术大学PECVD和磁控溅射系统意向公开
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***********公司企业信息
****PECVD和磁控溅射系统意向公开
| 采购单位: | **** |
| 项目名称: | PECVD和磁控溅射系统 |
| 预算金额（元）: | 3,946,000.000 |
| 采购品目: | 真空应用设备 |
| 采购需求概况: | 1.采购PECVD系统一套，主要参数如下： 1.1.衬底尺寸：≥210mm*210mm,≥1片； 1.2.极限真空度：≤1Pa;恢复真空时间：大气压到5.0*103mbar≤5 分钟；漏率：≤5*10Pa ﹒L/s 1.3.长期使用温度范围：150-250℃;温度均匀性：≤±5℃; 1.4等离子体辉光稳定时间：≤0.5s;反射功率稳定时间：≤0.5s 1.5.膜厚均匀性：玻璃衬底沉积100nm厚度测定，Si薄膜，片内≤5% 、片间≤10%、批间≤5%,边缘5mm,9点测试法评估； 1.6.钝化效果：正常制绒硅片，双面i型非晶硅薄膜，少子寿命≥ 1800us; 1.7气体种类至少包含：硅烷、氢气、硼烷、磷烷、氩气、氮气； 1.8稳压范围：0.5mbar-5mbar。 2.采购磁控溅射系统一套，主要参数如下： 2.1衬底尺寸：≥210mm*210mm,≥1片； 2.2溅射靶位：下单阴极靶位>1个，上单靶位>1个； 2.3工艺腔极限真空：工艺腔极限真空：≤10Pa;漏率：≤10Pa m3/s 2.4电源：电源个数≥2个，电源功率≥1kW; 2.5靶基距至少75-90mm范围内可调； 2.6成膜种类至少包含：ITO/IZ0/Ni0(靶材)等 2.7工艺气体供气至少包含：Ar、02、Ar/H2等 |
| 联系人: | 项老师 |
| 联系电话: | 0755-****6082 |
| 预计采购时间: | 2025-08 |
| 备注: | 无 |
招标进度跟踪
2026-03-05
招标公告
PECVD和磁控溅射系统
2026-03-05
2026-02-02
废标公告
PECVD和磁控溅射系统废标公告
2026-01-21
招标公告
PECVD和磁控溅射系统招标公告
2025-07-21
招标预告
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