| 项目名称 |
********学院电子元器件比价采购项目 |
项目编号 |
**** |
| 公告开始日期 |
2025-07-22 16:46:26 |
公告截止日期 |
2025-07-25 18:00:00 |
| 采购单位 |
**** |
付款方式 |
按照合同约定执行 |
| 联系人 |
成交后在我参与的项目中查看 |
联系电话 |
成交后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 |
到货时间要求 |
签约后10个工作日内 |
|
| 预算总价 |
¥ 724,700.00 |
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| 收货地址 |
****西土城校区 |
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| 供应商资质要求 |
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
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采购清单1
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| CAN芯片 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
工作电压:4.75V 至 5.25V;支持最高 1Mbps 的通信速率;封装:SO-8 |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
工作电压:4.75V 至 5.25V;支持最高 1Mbps 的通信速率;封装:SO-8 |
||
采购清单2
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| PHY |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:以太网 PHY 芯片;接口类型:10/100/1000Mbps 千兆以太网;支持协议:IEEE 802.3、IEEE 802.3u、IEEE 802.3ab;工作电压:1.2V 核心电压,2.5V/3.3V I/O 电压;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:QFN |
||
| 预算单价 |
¥ 20.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:以太网 PHY 芯片;接口类型:10/100/1000Mbps 千兆以太网;支持协议:IEEE 802.3、IEEE 802.3u、IEEE 802.3ab;工作电压:1.2V 核心电压,2.5V/3.3V I/O 电压;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:QFN |
||
采购清单3
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
58 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0402;电压:25V;容值:220pF |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0402;电压:25V;容值:220pF |
||
采购清单4
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| CAN芯片 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
工作电压:4.5V 至 5.5V;接口类型:SPI 或并行接口;主要特性:支持最高 1Mbps 的通信速率 |
||
| 预算单价 |
¥ 40.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
工作电压:4.5V 至 5.5V;接口类型:SPI 或并行接口;主要特性:支持最高 1Mbps 的通信速率 |
||
采购清单5
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 高分子钽电容 |
31 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:CAK55;电压:16V;容值:330μF |
||
| 预算单价 |
¥ 320.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:CAK55;电压:16V;容值:330μF |
||
采购清单6
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 高分子钽电容 |
11 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:CAK55;电压:16V;容值:220μF |
||
| 预算单价 |
¥ 300.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:CAK55;电压:16V;容值:220μF |
||
采购清单7
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 晶振 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
电压:3.3V;频率:33.333MHz |
||
| 预算单价 |
¥ 960.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
电压:3.3V;频率:33.333MHz |
||
采购清单8
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 混合EMI滤波器 |
6 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:DC-DC 电源模块;输入电压范围:18V 至 36V;输出电压:28V;工作温度范围:-55°C 至 +100°C |
||
| 预算单价 |
¥ 9,500.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:DC-DC 电源模块;输入电压范围:18V 至 36V;输出电压:28V;工作温度范围:-55°C 至 +100°C |
||
采购清单9
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 电容器 |
60 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0402;电压:25V;容值:0.01μF |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0402;电压:25V;容值:0.01μF |
||
采购清单10
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
17 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:6332 (2512);阻值:0.005Ω (5mΩ);精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 400.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:6332 (2512);阻值:0.005Ω (5mΩ);精度:F (±1%) |
||
采购清单11
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FPGA芯片 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:高端 FPGA;高速收发器:支持 32.75 Gbps(GTY 收器)支持 16.3 Gbps(GTH 收发器);工作电压:核心电压:0.85V;辅助电压:1.8V;封装:FLGB2104 |
||
| 预算单价 |
¥ 24,000.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:高端 FPGA;高速收发器:支持 32.75 Gbps(GTY 收器)支持 16.3 Gbps(GTH 收发器);工作电压:核心电压:0.85V;辅助电压:1.8V;封装:FLGB2104 |
||
采购清单12
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 晶振 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
电压:3.3V;频率:100.00MHz |
||
| 预算单价 |
¥ 960.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
电压:3.3V;频率:100.00MHz |
||
采购清单13
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
155 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:10KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:10KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单14
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
175 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1210;电压:25V;容值:10μF |
||
| 预算单价 |
¥ 60.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1210;电压:25V;容值:10μF |
||
采购清单15
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
18 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:13.3KΩ;度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:13.3KΩ;度:F (±1%) |
||
采购清单16
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
86 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1210;电压:10V;容值:47μF |
||
| 预算单价 |
¥ 100.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1210;电压:10V;容值:47μF |
||
采购清单17
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
18 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:80.6Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:80.6Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单18
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 晶振 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
电压:3.3V;频率:156.25MHz |
||
| 预算单价 |
¥ 960.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
电压:3.3V;频率:156.25MHz |
||
采购清单19
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 晶体 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:晶体振荡器;频率:25MHz;工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
||
| 预算单价 |
¥ 360.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:晶体振荡器;频率:25MHz;工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
||
采购清单20
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 接口芯片 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:四路差分线路驱动器;逻辑系列:AM26LV31;输出电压范围:±7V(差分输出);工作电压:3.3V 或 5V;数据传输速率:最高 32Mbps;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:SOIC-16; |
||
| 预算单价 |
¥ 40.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:四路差分线路驱动器;逻辑系列:AM26LV31;输出电压范围:±7V(差分输出);工作电压:3.3V 或 5V;数据传输速率:最高 32Mbps;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:SOIC-16; |
||
采购清单21
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
71 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:30Ω;精度:T (±0.01%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:30Ω;精度:T (±0.01%) |
||
采购清单22
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FLASH |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:eMMC 嵌入式存储器;容量:8GB;接口类型:eMMC 5.1;工作电压:2.7V 至 3.6V;工作温度范围:-25°C 至 +85°C;封装:BGA |
||
| 预算单价 |
¥ 100.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:eMMC 嵌入式存储器;容量:8GB;接口类型:eMMC 5.1;工作电压:2.7V 至 3.6V;工作温度范围:-25°C 至 +85°C;封装:BGA |
||
采购清单23
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
22 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:59KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:59KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单24
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 运算放大器 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
工作电压:单电源供电:3V 至 32V;双电源供电:±1.5V 至 ±16V;输入失调电压:典型值 2mV;输入偏置电流:典型值 20nA;封装:SOIC-14 |
||
| 预算单价 |
¥ 450.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
工作电压:单电源供电:3V 至 32V;双电源供电:±1.5V 至 ±16V;输入失调电压:典型值 2mV;输入偏置电流:典型值 20nA;封装:SOIC-14 |
||
采购清单25
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
14 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:29.4KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:29.4KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单26
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
18 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0402;电压:25V;容值:12pF |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0402;电压:25V;容值:12pF |
||
采购清单27
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 光电器件 |
27 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:红外发射二极管;波长:940nm;正向电压(Vf):1.35V;正向电流(If):100mA;光功率输出:35mW/sr;封装:PLCC-2 |
||
| 预算单价 |
¥ 30.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:红外发射二极管;波长:940nm;正向电压(Vf):1.35V;正向电流(If):100mA;光功率输出:35mW/sr;封装:PLCC-2 |
||
采购清单28
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
26 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:22Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:22Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单29
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FPGA |
6 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:SoC FPGA(系统级芯片 FPGA);系列:Xilinx Zynq UltraScale+ 系列;逻辑单元(Logic Cells):930,000;处理器核心:四核 ARM Cortex-A53 + 双核 ARM Cortex-R5;DSP Slices:2,520;块 RAM:32.1 Mb;高速收发器:16.3 Gbps(GTH 收发器);工作电压:0.85V 核心电压,1.8V 辅助电压;工作温度范围:-40°C 至 +100°C(宽温工业级);封装:FFVB1156(1156 引脚 Flip-Chip BGA) |
||
| 预算单价 |
¥ 5,400.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:SoC FPGA(系统级芯片 FPGA);系列:Xilinx Zynq UltraScale+ 系列;逻辑单元(Logic Cells):930,000;处理器核心:四核 ARM Cortex-A53 + 双核 ARM Cortex-R5;DSP Slices:2,520;块 RAM:32.1 Mb;高速收发器:16.3 Gbps(GTH 收发器);工作电压:0.85V 核心电压,1.8V 辅助电压;工作温度范围:-40°C 至 +100°C(宽温工业级);封装:FFVB1156(1156 引脚 Flip-Chip BGA) |
||
采购清单30
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| DDR4 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:存储器;容量:32Gb(4GB);接口类型:并行接口;工作电压:2.5V 至 3.3V;工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
||
| 预算单价 |
¥ 82,000.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:存储器;容量:32Gb(4GB);接口类型:并行接口;工作电压:2.5V 至 3.3V;工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
||
采购清单31
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 运算放大器 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
工作电压:单电源供电:3V 至 32V;双电源供电:±1.5V 至 ±16V;输入失调电压:典型值 2mV;输入偏置电流:典型值 20nA;封装:SOIC-14 |
||
| 预算单价 |
¥ 500.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
工作电压:单电源供电:3V 至 32V;双电源供电:±1.5V 至 ±16V;输入失调电压:典型值 2mV;输入偏置电流:典型值 20nA;封装:SOIC-14 |
||
采购清单32
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 磁珠 |
58 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:片式磁珠;尺寸:2012(0805 封装,2.0mm x 1.2mm);阻抗值:220Ω;直流电阻(DCR):3.0Ω;工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
||
| 预算单价 |
¥ 150.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:片式磁珠;尺寸:2012(0805 封装,2.0mm x 1.2mm);阻抗值:220Ω;直流电阻(DCR):3.0Ω;工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
||
采购清单33
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
212 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:39Ω;精度:F (±1%); |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:39Ω;精度:F (±1%); |
||
采购清单34
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| AD转换器 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
分辨率:12位;封装:PDIP-20;采样率:66 kSPS |
||
| 预算单价 |
¥ 250.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
分辨率:12位;封装:PDIP-20;采样率:66 kSPS |
||
采购清单35
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 温度传感器 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
温度测量范围:-55°C 至 +125°C;精度:±1°C;分辨率:9 至 12 位;接口类型:I2C;工作电压:2.7V 至 5.5V;工作温度范围:-55°C 至 +125°C |
||
| 预算单价 |
¥ 60.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
温度测量范围:-55°C 至 +125°C;精度:±1°C;分辨率:9 至 12 位;接口类型:I2C;工作电压:2.7V 至 5.5V;工作温度范围:-55°C 至 +125°C |
||
采购清单36
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 电容器 |
60 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0402;电压:25V;容值:220pF |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0402;电压:25V;容值:220pF |
||
采购清单37
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
14 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:300Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:300Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单38
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
14 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:40.2Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:40.2Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单39
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
205 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0805;电压:10V;容值:4.7μF |
||
| 预算单价 |
¥ 50.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0805;电压:10V;容值:4.7μF |
||
采购清单40
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 电压电平转换器 |
6 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:16 位双向电压电平转换器;逻辑系列:74LVC;输入电压范围:A 端口:1.2V 至 3.6V;B 端口:1.65V 至 5.5V;输出电压范围:A 端口:1.2V 至 3.6V;B 端口:1.65V 至 5.5V;数据传输速率:最高 100Mbps;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:SSOP-48 |
||
| 预算单价 |
¥ 20.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:16 位双向电压电平转换器;逻辑系列:74LVC;输入电压范围:A 端口:1.2V 至 3.6V;B 端口:1.65V 至 5.5V;输出电压范围:A 端口:1.2V 至 3.6V;B 端口:1.65V 至 5.5V;数据传输速率:最高 100Mbps;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:SSOP-48 |
||
采购清单41
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FLASH |
36 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:DDR4 SDRAM 存储器;容量:16Gb(2GB);接口类型:DDR4;速度:3200 Mbps;工作电压:1.2V;工作温度范围:-40°C 至 +95°C;封装:BGA |
||
| 预算单价 |
¥ 200.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:DDR4 SDRAM 存储器;容量:16Gb(2GB);接口类型:DDR4;速度:3200 Mbps;工作电压:1.2V;工作温度范围:-40°C 至 +95°C;封装:BGA |
||
采购清单42
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 高分子钽电容 |
140 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:CAK55;电压:16V;容值:150μF |
||
| 预算单价 |
¥ 200.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:CAK55;电压:16V;容值:150μF |
||
采购清单43
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FLASH |
8 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:串行 NOR Flash 存储器;容量:2Gb(256MB);接口类型:SPI(串行外设接口);工作电压:2.7V 至 3.6V;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:SOIC-16 |
||
| 预算单价 |
¥ 200.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:串行 NOR Flash 存储器;容量:2Gb(256MB);接口类型:SPI(串行外设接口);工作电压:2.7V 至 3.6V;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:SOIC-16 |
||
采购清单44
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状电感器 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
电感值:2.2μH;尺寸:3012(3.0mm x 2.8mm);工作温度范围:-40°C 至 +125°C |
||
| 预算单价 |
¥ 70.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
电感值:2.2μH;尺寸:3012(3.0mm x 2.8mm);工作温度范围:-40°C 至 +125°C |
||
采购清单45
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
38 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:1MΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:1MΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单46
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
21 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0603;电压:10V;容值:1μF |
||
| 预算单价 |
¥ 40.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0603;电压:10V;容值:1μF |
||
采购清单47
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
18 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:150Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:150Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单48
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
123 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:4.7KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:4.7KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单49
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
123 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0402;电压:25V;容值:0.01μF |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0402;电压:25V;容值:0.01μF |
||
采购清单50
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
14 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:115KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:115KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单51
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
188 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:33Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:33Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单52
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
34 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:470Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:470Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单53
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FPGA芯片 |
2 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:高端 FPGA;高速收发器:支持 32.75 Gbps(GTY 收发器);支持 16.3 Gbps(GTH 收发器)工作电压:核心电压:0.85V;辅助电压:1.8V;封装:FLGB2104 |
||
| 预算单价 |
¥ 24,000.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:高端 FPGA;高速收发器:支持 32.75 Gbps(GTY 收发器);支持 16.3 Gbps(GTH 收发器)工作电压:核心电压:0.85V;辅助电压:1.8V;封装:FLGB2104 |
||
采购清单54
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
14 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:1.5KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:1.5KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单55
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
56 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:3216 (1206);阻值:25Ω;精度:T (±0.01%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:3216 (1206);阻值:25Ω;精度:T (±0.01%) |
||
采购清单56
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
26 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:140KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:140KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单57
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 接口芯片 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:四路差分线路接收器;逻辑系列:AM26LV32;输入电压范围:±15V(差分输入);输出电压范围:0V 至 VCC(与 TTL/CMOS 兼容);工作电压:3.3V 或 5V;数据传输速率:最高 32Mbps;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:SOIC-16 |
||
| 预算单价 |
¥ 40.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:四路差分线路接收器;逻辑系列:AM26LV32;输入电压范围:±15V(差分输入);输出电压范围:0V 至 VCC(与 TTL/CMOS 兼容);工作电压:3.3V 或 5V;数据传输速率:最高 32Mbps;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:SOIC-16 |
||
采购清单58
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
101 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:1KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:1KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单59
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FPGA芯片 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:FPGA(现场可编程门阵列);系列:Actel ProASIC3E 系列;逻辑单元(Logic Cells):3,000,000(等效系统门);用户 I/O 数量:315;块 RAM:108 Kb;工作电压:1.5V 核心电压,3.3V I/O 电压;工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级);封装:FG484(484 引脚 Fine-Pitch BGA) |
||
| 预算单价 |
¥ 5,600.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:FPGA(现场可编程门阵列);系列:Actel ProASIC3E 系列;逻辑单元(Logic Cells):3,000,000(等效系统门);用户 I/O 数量:315;块 RAM:108 Kb;工作电压:1.5V 核心电压,3.3V I/O 电压;工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级);封装:FG484(484 引脚 Fine-Pitch BGA) |
||
采购清单60
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
62 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0603;电压:10V;容值:0.47μF |
||
| 预算单价 |
¥ 30.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0603;电压:10V;容值:0.47μF |
||
采购清单61
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| ADC |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
分辨率:12位;封装:PDIP-20;采样率:66 kSPS |
||
| 预算单价 |
¥ 280.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
分辨率:12位;封装:PDIP-20;采样率:66 kSPS |
||
采购清单62
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
46 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:10Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:10Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单63
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
63 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:240Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:240Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单64
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
18 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);值:390Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);值:390Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单65
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
26 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:36Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:36Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单66
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
14 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:2.49KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:2.49KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单67
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
14 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:18.7KΩ;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:18.7KΩ;精度:F (±1%) |
||
采购清单68
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 发光二极管 |
29 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:红外发射二极管;波长:940nm;正向电压(Vf):1.35V;正向电流(If):100mA;光功率输出:35mW/sr;封装:PLCC-2 |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:红外发射二极管;波长:940nm;正向电压(Vf):1.35V;正向电流(If):100mA;光功率输出:35mW/sr;封装:PLCC-2 |
||
采购清单69
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FPGA芯片 |
2 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:FPGA(现场可编程门阵列);系列:Actel ProASIC3E 系列;逻辑单元(Logic Cells):3,000,000(等效系统门);用户 I/O 数量:315块 RAM:108 Kb;工作电压:1.5V 核心电压,3.3V I/O 电压;工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级);封装:FGG484(484 引脚 Fine-Pitch BGA) |
||
| 预算单价 |
¥ 5,700.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:FPGA(现场可编程门阵列);系列:Actel ProASIC3E 系列;逻辑单元(Logic Cells):3,000,000(等效系统门);用户 I/O 数量:315块 RAM:108 Kb;工作电压:1.5V 核心电压,3.3V I/O 电压;工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级);封装:FGG484(484 引脚 Fine-Pitch BGA) |
||
采购清单70
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
66 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1210;电压:10V;容值:22μF |
||
| 预算单价 |
¥ 70.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1210;电压:10V;容值:22μF |
||
采购清单71
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| SMD陶瓷电容 |
1685 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:0402;电压:25V;容值:0.1μF |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:0402;电压:25V;容值:0.1μF |
||
采购清单72
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
18 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:499Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:499Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单73
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| FLASH |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:NAND Flash 存储器;容量:128Gb(16GB);接口类型:Toggle DDR 2.0;工作电压:2.7V 至 3.6V;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:BGA |
||
| 预算单价 |
¥ 200.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:NAND Flash 存储器;容量:128Gb(16GB);接口类型:Toggle DDR 2.0;工作电压:2.7V 至 3.6V;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:BGA |
||
采购清单74
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| Flash芯片 |
9 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
类型:并行 NOR Flash 存储器;容量:1Gb(128MB);接口类型:并行(x8/x16);工作电压:2.7V 至 3.6V;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:BGA |
||
| 预算单价 |
¥ 90.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
类型:并行 NOR Flash 存储器;容量:1Gb(128MB);接口类型:并行(x8/x16);工作电压:2.7V 至 3.6V;工作温度范围:-40°C 至 +85°C;封装:BGA |
||
采购清单75
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 片状厚膜电阻 |
34 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
封装:1005 (0402);阻值:100Ω;精度:F (±1%) |
||
| 预算单价 |
¥ 10.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
封装:1005 (0402);阻值:100Ω;精度:F (±1%) |
||
采购清单76
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 以太网收发器 |
3 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
接口类型:10/100/1000Mbps 千兆以太网;支持协议:IEEE 802.3、IEEE 802.3u、IEEE 802.3ab;工作电压:1.2V 核心电压,2.5V/3.3V I/O 电压;工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
||
| 预算单价 |
¥ 100.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
接口类型:10/100/1000Mbps 千兆以太网;支持协议:IEEE 802.3、IEEE 802.3u、IEEE 802.3ab;工作电压:1.2V 核心电压,2.5V/3.3V I/O 电压;工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
||
采购清单77
| 采购商品 |
采购数量 |
计量单位 |
所属分类 |
| 温度传感器 |
4 |
个 |
半导体器件参数测量仪 |
| 型号 |
温度测量范围:-55°C 至 +125°C;分辨率:9 至 12 位;接口类型:1-Wire;工作电压:3.0V 至 5.5V;工作温度范围:-55°C 至 +125°C |
||
| 预算单价 |
¥ 20.00 |
||
| 技术参数及配置要求 |
温度测量范围:-55°C 至 +125°C;分辨率:9 至 12 位;接口类型:1-Wire;工作电压:3.0V 至 5.5V;工作温度范围:-55°C 至 +125°C |
||
2025-07-22