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广州华星第8.6代氧化物半导体新型显示器件生产线项目(ph2)

审批

广东-广州-黄埔区

发布时间： 2025年07月29日

项目详情

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1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
****0101MA9W1RMNXR	张海涛
李飞扬	省市**区
省市区市区（中新知识城）亿创街1号406房之417（仅限办公）

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

**华星第8.6代氧化物半导体新型显示器件生产线项目(ph2)	****

2021版本:078-计算机制造	C3974-C3974-显示器件制造
	****区 ****区
经度:113.584167 纬度: 23.220000	市黄管理局**审批局）
	2021-06-30
穗开审批环评〔2021〕88号	****0101MA9W1RMNXR001U
2023-03-21	****000
135500	****
****0101MA9W1RMNXR	市**公司
****0101MA5ATGAK44	****公司,**公司,****公司
**0101MA5AX12R1E,1702MA55J2TM4T,914******524540G	2024-08-01

2024-12-26	2025-01-24
	https://www.****.com/gs/detail/2?id=41226UvE1R

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

**	**
无

规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

**华星第8.6代氧化物半导体新型显示器件生产线项目建设内容：主要包括1栋3-5F阵列厂房、1栋4-5F彩膜成盒厂房、1栋4F预留模组厂房、1栋3F综合动力站、1栋2F废水处理站、1栋1F化学品供应回收间、3栋1F化学品库、1栋1F特气站、1栋IF一般仓库、1栋1F硅烷站、一个大宗气体站，以阵列玻璃基板、靶材、光刻胶、蚀刻液、硝酸、清洗剂、剥离液、氨气等为主要原辅材料，年产中小尺寸高附加值IT显示屏（包括Monitor、Notebook、平板、手机）车载显示器、医疗、工控、航空等专业显示器、商用显示面板等共216万张。项目生产线24小时连续运行，年生产365天。	项目采取分两期投产分两期期验收的模式。华星第8.6代氧化物半导体新型显示器件生产线项目（ph1）已验收完毕；本次验收为华星第8.6代氧化物半导体新型显示器件生产线项目（ph2）。本次验收内容：华星第8.6代氧化物半导体新型显示器件生产线项目（ph2）位于省市区街翟洞片区大道以北、禾丰市政路以东。ph2以阵列玻璃基板、靶材、光刻胶、蚀刻液、硝酸、清洗剂、剥离液、氨气等为主要原辅材料，年产中小尺寸高附加值 IT 显示屏（包括 Monitor、Notebook、平板、手机）、车载显示器、医疗、工控、航空等专业显示器、商用显示面板等共 108万张。建成后全厂年产中小尺寸高附加值 IT 显示屏（包括 Monitor、Notebook、平板、手机）、车载显示器、医疗、工控、航空等专业显示器、商用显示面板等共 216万张。
增加4台金属真空溅射机、1台高温退火炉、1台组立前预烘烤炉、13台框胶固化炉等设备；

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

项目工艺流程包括：TFT-LCD生产工艺流程、用于废液回收的剥离液回收工艺流程、公辅工程的纯水制备工艺流程。一、TFT-LCD 生产工艺流程 TFT-LCD 显示屏制造生产工艺在玻璃基板表面有清洗、化学气相沉积、溅射金属膜、涂胶、曝光、显影、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等工序，包括形成栅极、有源层硅岛、源漏电极、接触过孔、像素电极等过程，这些工序反复交叉，经热处理成为基板中间产品后，再以有机溶剂或纯水清洗干净，充填液晶，盒分割，贴偏光片，最后进行组装测试。包括检查和测试在内实际达到100多道的工艺步数组成液晶显示屏生产的全过程，同时生产过程中使用多种化学有机溶剂、特殊气体和配套动力。TFT-LCD 生产工艺流程概况起来可以分为：阵列工程、彩膜工程、成盒工程和模组工程四部分组成，各部分流程介绍如下： 1、阵列工程（Array）阵列生产车间负责阵列基板的生产，包括玻璃基板清洗、化学气相沉积、溅射、光刻、刻蚀、剥离等工序。阵列工程使用外购的专用玻璃基板，充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积（CVD）的方法形成半导体膜或隔离膜，通过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤岛、源漏电极及引线、接触过孔、像素电极、经光刻胶涂敷、曝光、显影等光刻工艺并经湿法蚀刻、干法蚀刻后，剥离掉多余的光刻胶，经热处理把半导体特性作均一化处理后即制成阵列玻璃基板。在阵列过程中需要多次进行基板清洗、沉积、光刻、干法/湿法蚀刻、剥离，使用的化学品和特殊气体种类较多，本项目的污染源也主要来自于此，其特点与集成电路生产的前工序（芯片制造）类似。项目阵列工程根据曝光次数的不同，大致可以分为曝光四次、曝光五次、曝光六次三种工艺。 ① 清洗清洗是TFT生产过程中非常重要的一道生产环节，围绕玻璃面板进行，包括有玻璃基板的清洗、化学气相沉积后的清洗、溅射金属膜后的清洗、剥离时清洗以及成盒过程的清洗等。对玻璃面板清洗是完全清除玻璃面板表面的尘埃颗粒、残留的有机物和吸附在表面的金属粒子。最主要的清洗方式是将玻璃面板沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗。由于TFT-LCD生产对污染要求非常严格，因而通常使用清洗剂（无机强碱、螯合剂、表面活性剂、纯水）作为清洗剂。本项目的清洗工艺设计充分贯彻了国家关于“清洁生产”和“循环经济”的要求，所用工艺设备自带有采用逆流清洗等先进的清洗方式，在清洗过程中，将清洗剂重复使用，最大限度地降低了高纯水、化学品等物料消耗，从而在生产过程中从源头有效地减少了废水、污染物的排放量。清洗过程中，大部分清洗液得到了重复回用，部分无法回收高浓度的作为废液排出，部分清洗液挥发以废气形式排除，部分排放到废水中。 ② 化学气相沉积（CVD）化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）是以单独的或综合的利用热能、电浆放电、紫外光照射等形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上沉积，形成稳定的固态物质膜的工业过程。化学气相沉积示意图见图3.6-3。 CVD技术是半导体集成电路中最基本也是最重要的一种长薄膜方法。在CVD的反应中，任何参与反应的气体分子的分解都需要一定的激发活化的能量，电浆增强化学气相沉积法是反应气体从辉光放电等离子场中获得能量，激发并增强化学反应，从而实现化学气相沉积的技术。PECVD中用的发光放电等离子体属于非平衡等离子体。在此类的等离子体中，自由电子的绝对温度通常比平均气体温度高1到2个数量级，这些高能电子撞击反应物气体分子，激发并电离，产生化学性质很活泼的自由基团，并使硅的表面产生更为活泼的表面结构，从而加快了低温下的化学反应。在CVD工序反应器中，反应气体（SiH4、PH3、NF3、NH3等）和携带气体（H2、O2、Ar、N2等）不断流过反应室，大部分特殊气体发生反应消耗，并生成气态副产物，未反应的气体由于混入大量废气，成分复杂，难以再回收利用，因此，这些气体将连同废气，最终以工艺尾气的形式先通过生产设备自带的POU设备（Point of Use）进行燃烧处理（以天然气助燃）或电浆法高温裂解，剩余尾气再通过废气洗涤塔湿式处理后排放。 ③ 溅射物理气相沉积技术（Physical Vapor Deposition，PVD），物理气相沉积主要是一种物理制程而非化学制程，见图3.6-4。 PVD 技术一般使用氩等惰性气体，经由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（铜、氧化铟锡、钼钛等）如雪片般沉积在玻璃表面。制程反应室内部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再通过微影图案化（patterned）与蚀刻，来得到半导体元件所要的导电电路。 TFT-LCD生产通常采用铜、ITO（铟锡合金，In2O3/SnO2）、Mo靶材作为溅射的材料。通过溅射工序，这些金属靶材大部分进入产品，仅有少量多余的沉积。 ④ 光刻（包括涂胶、曝光和显影）光刻技术，简单的说就是希望将设计好的线路图形，完整且精确地复制到玻璃基板上，过程如图3.6-5 所示。涂胶是在清洗后的玻璃基板表面均匀涂上一层光刻胶。光刻胶主要由对光与能量非常敏感的高分子聚合物和有机溶剂（稀释剂）组成，前者是光刻胶的主体，主要成份为酚醛树脂、丙二醇醚酯等，后者是光刻胶的介质，主要成份为丙二醇单甲醚乙酸酯。为使光刻胶牢固附着在玻璃面板表面，涂匀胶后要进行烘干，由于烘干温度较低，光刻胶中的有机溶剂挥发成为有机废气，而光刻胶中的高分子聚合物和光敏剂等作为涂层牢固地附着在基质表面。光刻胶对很窄的紫外光敏感，被光照射后发生化学变化，很容易被清洗剂去除，而没有感光的光刻胶则不会被清洗去除。曝光就是利用光刻胶的这种特性，使用光刻机、将事先设计好的电路通过掩模版以照像术透射到面板表面，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质。显影是用显影液（2.38%的四甲基氢氧化铵TMAH 溶液）将感光的光刻胶去除，在光刻胶上形成了沟槽，使下面的面板暴露出来，以便于下一道工序进行刻蚀；而没有感光的光刻胶则不会被清洗下来，从而使下面的面板得以保护。由于光刻胶使用后纯度难以满足工艺要求，光刻胶废液将通过管道系统回收到废液间。高浓度的显影液则通过工艺设备自带的回收系统将其重复回用，大大减少了物料消耗，在生产过程中从源头有效地减少了污染物的排放量。在光刻过程中将会产生有机废气和少量碱性废气、有机废水、有机废液（光刻胶和稀释剂）等。 ⑤ 干法刻蚀（DE）和湿法刻蚀（WE）干法刻蚀（Dry Etching）：干法刻蚀利用相关性气体并使其活化而与蚀材发生化学反应并将生成物带离基材以达到刻蚀的目的，如活性离子蚀刻，通常用于非金属薄膜蚀刻为一非均向性的蚀刻，最为各种反应器广泛使用的方法，便是结合①物理性的离子轰击②化学反应的蚀刻。此种方式兼具非等向性与高蚀刻选择比等双重优点，蚀刻的进行主要靠化学反应来达成，以获得高选择比。而非等向性蚀刻的达成，则是靠再沉积的产物或聚合物，沉积在蚀刻图形上，在表面的沉积物可为离子打掉，故蚀刻可继续进行，而在侧壁上的沉积物，因未受离子轰击而保留下来，阻隔了蚀刻表面与反应气体的接触，使得侧壁不受蚀刻，而获得非等向性蚀刻，并在机台近端装设燃烧水洗式局域废气处理洗涤塔处理制程后端排气，维护厂区安全及良好的环境空气品质。干法刻蚀（DE）是在等离子气态氛围中选择性腐蚀基材的过程，刻蚀气体通常含有氟等离子体或碳等离子体，因此刻蚀气体使用的有SF6、Cl2 气体。在干刻工序的反应器中，大部分刻蚀气体与基材发生反应消耗，并产生气态副产物（如SiF4、HCl、SiCl4 等），未反应的气体由于混入大量废气，成分复杂，难以再回收利用，因此，这些气体将连同气态副产物最终以有害废气的形式通过废气洗涤塔湿式处理后排放。湿法蚀刻（Wet Etching）：湿法刻蚀利用相关化学溶剂与蚀材发生化学反应达到蚀刻的目的。常用于金属性基材蚀刻并为一均向性蚀刻。湿蚀刻是将玻璃浸没于适当的化学溶液中，或将化学溶液喷洒至芯片上，经由溶液与被蚀刻物间的化学反应，来移除薄膜表面的原子，以达到蚀刻的目的。湿蚀刻三步骤为扩散→反应→扩散出。湿蚀刻进行时，透过化学溶剂厚度控制器和自动补酸系统，依酸槽化学药品厚度情况，即时补充消耗的药液及监控酸槽内的药液厚度情况。湿法刻蚀过程中，使用过的高浓度刻蚀液通过刻蚀机自带的回收系统重复回用，当其浓度难以满足工艺要求才更换，刻蚀液在生产过程中重复回用大大减少了刻蚀液的消耗量，从源头有效地减少了污染物的排放量。 IGZO湿法刻蚀使用硝酸、硫酸与IGZO发生反应，铜湿法刻蚀使用铜蚀刻与金属发生反应，AG湿法刻蚀使用磷酸、硝酸、醋酸与AG发生反应，取得设定电路。 ⑥剥离已经蚀刻出所需求的图形的基板，利用相关化学溶剂与光刻胶发生化学反应，将覆盖于图形上的光刻胶去除以便进行后序工程。剥离就是使用剥离液将玻璃基板上多余的光刻胶剥离的过程。去光阻液经浓度控制器监控酸槽内的溶剂浓度情況，调整换溶剂频率，并透过回收系统再生后，直接可再利用于生产中，提高其使用效率及利用率。在剥离过程中剥离液大部分变为有机废液，少量挥发或排入到废水里，因此会产生有机废气、有机废水和有机废液（剥离液）等。 2、彩膜工程（CF）彩色滤光片（Color Filter，简称CF）是TFT-LCD的重要组成部分，CF的质量直接影响TFT-LCD 的性能，其基本结构是由玻璃基板（Glass Substrate）、黑色矩阵（Black Matrix）、彩色层（Color Layer）及ITO膜所组成。 ①玻璃基板：采用无碱玻璃，是整个彩色滤光片加工的载体。 ②ITO导电层：由于CF将作为TFT-LCD面板的另一个共通电极，因此，在完成保护膜制作后，在RGB光阻层及保护膜层上方，还需要溅镀一层透明的导电层。常用的溅射材料为ITO（铟锡合金，In2O3/SnO2）靶材。 ③BM层（Black Matrix 层）：为了提高LCD的对比度，防止TFT元件产生光漏电流，与遮掩LCD 显示时的漏光等不良现象。 ④RGB层（红色/绿色/蓝色层）：LCD之所以会有颜色，是因为背光光源的白光通过CF上的RGB 三个色层时，分别会产生红色、绿色、蓝色三种颜色，通过这色的组合而构成各种色彩。 ⑤IOC层：透阻层，为PS工艺提供更平坦的地形。 ⑥PS层（Photo Spacer 层）：传统TFT-LCD 面板工程成盒工序中，在阵列玻璃与彩膜玻璃（彩色滤光片）之间由随机洒布的间隔球（spacer bead）来支撑，具有：在间隔球周围有漏光现象，容易产生白点等缺点，为了克服这些缺点，开发出以光刻胶柱状物（Photo Spacer）来取代传统的间隔球（spacer bead），有利于提高LCD的对比度。PS层采用的制造工艺与RGB层相同。 CF工艺的最大特色为“大面积”的工艺，其制作需要在大面积基板上进行真空镀膜、涂布、照相显影及蚀刻等工艺，工艺稳定度及产品均匀性是工艺难点。此外，制造环境洁净度对于成品率而言具有决定性影响，如何维持制造环境的高洁净度，也是CF工艺的重要课题。经过不断的研究改进，CF的制造方法中，能符合经济效益、工艺稳定及功能需求三方面要求的，主要有染色法、印刷法、颜料分散法、电着法等四种方法。彩色滤光片目前通常的工艺技术是采用颜料分散法面工艺实现，即把红/绿/蓝三色颜料分别掺和在光刻胶中，再用匀胶、曝光、显影等平面工艺分别制作黑色矩阵，其工艺流程大致分为五部分，即：溅射ITO膜、BM（黑色矩阵）、RGB彩色矩阵、OC平坦层和PS层生成等工序。项目采用的CF生产技术为颜料分散法。颜料分散法除了不受限于图素配置选择性，还可以获得良好的分光特性，同时又具有高耐光、耐热性，为目前生产工艺主流。这一方法主要组成材料除玻璃母板外，还有黑色矩阵、彩色滤光膜层、ITO导电膜等。 3、成盒工程（Cell）成盒车间负责成盒制作工序，主要由洗净、配向膜（PI）涂布、配向膜（PI）硬化、摩擦配向或者光配向、框胶涂布、液晶滴下、真空对位贴合、紫外线固化、框胶硬化、切割裂片、面板检查等工程步骤组成。生产制作过程先将阵列基板及彩膜基板实施清洗作业，去除基板上异物及污染物后表面涂上配向膜，经烘烤固化，再经过摩擦或者光配向形成沟槽，在彩膜基板上实施框胶涂布，液晶滴入处理接着进行真空下阵列及彩膜基板的位置对准贴合，再以紫外线照射将框胶硬化后进入分断工程。切割后依照基板上所规划的形式将基板分割成数片小面板（Panel），加入显示信号做画面画像检查即完成成盒工程作业。成盒工程具体工艺流程见图3.6-9。 4、模组工程模组工程是将液晶显示面板二次切割、贴附偏光板后，与外部驱动芯片和信号基板相连接，并组装背光源和防护罩，在加温状态下作老化处理，经过最后电气特性检查后即成为LCD模块，此模块可供下游厂家使用。模组工程具体工艺流程见图3.6-10。 ①清洗采用纯水对切割磨边后的液晶面板表面进行清洗，为偏光板贴附做准备。液晶面板由传送带传输至清洗室，先用去离子水对液晶面板进行喷射清洗，再用滚动的毛刷和研磨带擦拭液晶面板表面进行清理，同时伴有去离子水的喷洒。再对液晶面板进行喷淋清洗，清洗后的液晶面板采用压缩空气风刀将液晶面板表面的水滴吹干。清洗过程不添加清洗剂，清洗全过程均处于密闭的空间内。该过程产生一般清洗废水，主要污染物为SS。 ② 偏光板（POL）贴附为保护偏光板的物理特性，偏光板两侧各复合一层具有保护功能的离型膜。偏光板贴附前，需先去除保护的离型膜，再与液晶面板贴合，该过程由偏贴机自动操作进行，过程中会产生固体废物离型膜。 ③加压脱泡对偏光板在贴附过程中形成的气泡进行消除。 ④端子清洁为了清除面板绑定（Bonding）区域的异物，防止端子异物不良，用异丙醇对液晶面板的绑定区域进行清洁。端子清洁于密闭空间内由蘸取异丙醇的无纺布滚轮擦拭。端子清洁过程异丙醇挥发会产生有机废气，由位于端子清洁机的清洁滚轮上方抽气收集，通过专用管道，至彩膜成盒厂房有机废气处理系统处理后排放。该工序还会产生含异丙醇的废擦拭无纺布。 ⑤异方性导电胶膜（ACF）贴附异方性导电胶膜ACF的组成主要包含导电粒子及绝缘胶材两部分，上下各有一层保护膜来保护主成分。异方性导电胶膜一般为卷状，使用时先将异方性导电胶膜卷撕去上层保护膜（Cover Film），放入ACF贴附机内，设定贴附的长度和位置。通过上料系统将液晶面板放到定位台，将工作台移动到压头下方的液晶面板绑定区域，由自动切割系统切断ACF胶膜，将异方性导电胶膜贴附到液晶面板的绑定区域，热压贴附（70℃，1MPa，1~3 秒），同时剥离ACF底膜（Base Film），通过ACF自动卷带系统收带，并准备下一段贴附。该过程会产生固体废物，即异方性导电胶膜的保护膜及ACF胶膜卷芯。 ⑥热压连接采用ACF自动贴附机进行操作，在ACF在170~190℃、10秒、3MPa 压力条件下，使异方性导电胶膜的热固性树脂在高温下聚合硬化将两种不同材料连在一起，以提供足够的机械连接强度，同时导电粒子表层的导电层（Ni/Au层）被压扁/压裂，并接触上下电极，形成通路，达到IC、FPC、PCBA 与液晶面板导通的效果。 ⑦点胶在常温下使用点胶机将塔菲胶涂在液晶面板的端子区上，使产品封闭，利用0.2kg 的压力进行封口，该工序会产生有机废气。点胶有机废气上方抽气收集，通过专用管道，至彩膜成盒厂房有机废气处理系统处理后排放。 ⑧背光源与包边胶组合将半成品液晶面板与背光源进行组装，该过程会产生废包装盒。 ⑨老化测试在50~60℃的条件下，LCD放置于老化炉内约3小时。 ⑩终检产品置于LCM电检机固定位置上，电检过程逐个显示画面作对比，并对LCM产品进行非功能性检验，检验产品外表是否有脏点、异物、划痕等外观不良现象。终检合格产品用相应的包装标准和工艺，将合格产品装配到包装盒内。二、剥离液回收工艺铜剥离液回收系统（SRS）回收循环利用原理：铜剥离液中主要含有NMF（N-甲基甲酰胺：54.2±2%）、GLYCOL（二乙二醇丁醚：40±2%）、AMINE（胺类物质：5±1%）、ADDITIVE（添加剂：0.8±0.3%）等，其中NMF（N-甲基甲酰胺）和GLYCOL（二乙二醇丁醚）为可回收的有机溶剂。SRS回收原理即为设定N-甲基甲酰胺和二乙二醇丁醚的沸点，将其蒸馏并冷凝取出，而后再通过剥离液混合系统将其余成分按照原始比例混合成合格的成品，**工厂再使用。铜剥离液新液经过制程生产线后，主要分为：可回收利用之铜剥离液、水、光阻及其他高温加热产生之分解及缩合物等。回收系统即是蒸馏出剥离液再利用，将其他物质排除的设备。制程设备排下的废剥离液由used stripper（剥离液废液输送单元）进入回收系统。heater column（加热塔）及separation column（精馏分离塔）去除高沸点不纯物（如光阻等），因废剥离液属易结垢、易结晶之溶剂，故heater column（加热塔）选用强制循环式蒸发器。蒸发器产生之蒸气经separation column（分离塔）后，送入distillation column（精馏塔）藉由re-boiling column（再沸器）及condensing column（冷凝器）再去除低沸点不纯物（如水等）。整个制程使用真空蒸发，使废剥离液于减压条件下降低沸点，避免因高温变质，故于最末端使用vacuum pump（真空泵），操作压力约1.0～2.0kpa。剥离液回收系统主要是对工艺过程使用后的剥离液采用蒸馏塔（利用不同沸点）将有效成分分离回收后重新回用于生产过程。产生的污染源为冷凝器废水、薄膜蒸发器残渣、真空泵排水。真空泵抽排气主要污染物为总VOCs，纳入阵列车间的Q6 剥离废气处理系统进行处理；真空泵排水属于有机废水，处理站有机废水处理系统处理；薄膜蒸发器残渣，属于危险废物，委托危险废物处置单位进行处置。剥离液回收系统所用蒸汽由协鑫管道蒸汽提供。剥离液浓度平衡系统：若剥离液为二种以上之物质组成，则于蒸馏回收后，其组成比率将变更，需再经调整后才可再利用。图3.6-12 为批次式（batch type）浓度调整系统之流程图。当进行浓度调整时，reclaim chemical（回收化学品，即回收剥离液）经V2 阀加到blending tank（混合调配桶槽），达预设之重量后，V3 阀开启并以pump（泵浦）进行循环，藉由密度指示控制器（Density Indicator Controller, DIC）获得回收液之浓度。经可程序化逻辑控制器（Programmable Logical Controller, PLC）计算求得mixing chemical（混合化学品，即调配添加物）应加入之重量，开启V1 阀将所需之mixing chemical（混合化学品，即调配添加物）加入后，再次进行循环并经DIC确认浓度正确后，即可将V4 阀开启，经浓度调整完成之回收液即可输送至化学品供应系统，达到再生之循环。三、纯水制备工艺自来水经ACF+2B3T+UV+5um 精密过滤器+RO+混床+1um精密过滤器+换热器+抛光混床+0.1um 精密过滤器后供生产机台使用。 ① 纯水制备系统 CUB纯水制备系统主要包括MMF过滤器、AC碳过滤器、阴阳离子床、UV、RO。再生废水主要污染物为杂质及盐类（Ca2+、Mg2+离子等），进入酸碱废水处理系统。 ② 纯水抛光区纯水抛光区主要包括HEX加热、紫外消毒、抛光（树脂表面处理）和过滤。处理过程不会产生浓水。	项目工艺流程包括：TFT-LCD生产工艺流程、用于废液回收的剥离液回收工艺流程、公辅工程的纯水制备工艺流程。一、TFT-LCD 生产工艺流程 TFT-LCD 显示屏制造生产工艺在玻璃基板表面有清洗、化学气相沉积、溅射金属膜、涂胶、曝光、显影、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等工序，包括形成栅极、有源层硅岛、源漏电极、接触过孔、像素电极等过程，这些工序反复交叉，经热处理成为基板中间产品后，再以有机溶剂或纯水清洗干净，充填液晶，盒分割，贴偏光片，最后进行组装测试。包括检查和测试在内实际达到100多道的工艺步数组成液晶显示屏生产的全过程，同时生产过程中使用多种化学有机溶剂、特殊气体和配套动力。TFT-LCD 生产工艺流程概况起来可以分为：阵列工程、彩膜工程、成盒工程和模组工程四部分组成，各部分流程介绍如下： 1、阵列工程（Array）阵列生产车间负责阵列基板的生产，包括玻璃基板清洗、化学气相沉积、溅射、光刻、刻蚀、剥离等工序。阵列工程使用外购的专用玻璃基板，充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积（CVD）的方法形成半导体膜或隔离膜，通过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤岛、源漏电极及引线、接触过孔、像素电极、经光刻胶涂敷、曝光、显影等光刻工艺并经湿法蚀刻、干法蚀刻后，剥离掉多余的光刻胶，经热处理把半导体特性作均一化处理后即制成阵列玻璃基板。在阵列过程中需要多次进行基板清洗、沉积、光刻、干法/湿法蚀刻、剥离，使用的化学品和特殊气体种类较多，本项目的污染源也主要来自于此，其特点与集成电路生产的前工序（芯片制造）类似。项目阵列工程根据曝光次数的不同，大致可以分为曝光四次、曝光五次、曝光六次三种工艺。 ① 清洗清洗是TFT生产过程中非常重要的一道生产环节，围绕玻璃面板进行，包括有玻璃基板的清洗、化学气相沉积后的清洗、溅射金属膜后的清洗、剥离时清洗以及成盒过程的清洗等。对玻璃面板清洗是完全清除玻璃面板表面的尘埃颗粒、残留的有机物和吸附在表面的金属粒子。最主要的清洗方式是将玻璃面板沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗。由于TFT-LCD生产对污染要求非常严格，因而通常使用清洗剂（无机强碱、螯合剂、表面活性剂、纯水）作为清洗剂。本项目的清洗工艺设计充分贯彻了国家关于“清洁生产”和“循环经济”的要求，所用工艺设备自带有采用逆流清洗等先进的清洗方式，在清洗过程中，将清洗剂重复使用，最大限度地降低了高纯水、化学品等物料消耗，从而在生产过程中从源头有效地减少了废水、污染物的排放量。清洗过程中，大部分清洗液得到了重复回用，部分无法回收高浓度的作为废液排出，部分清洗液挥发以废气形式排除，部分排放到废水中。 ② 化学气相沉积（CVD）化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）是以单独的或综合的利用热能、电浆放电、紫外光照射等形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上沉积，形成稳定的固态物质膜的工业过程。化学气相沉积示意图见图3.6-3。 CVD技术是半导体集成电路中最基本也是最重要的一种长薄膜方法。在CVD的反应中，任何参与反应的气体分子的分解都需要一定的激发活化的能量，电浆增强化学气相沉积法是反应气体从辉光放电等离子场中获得能量，激发并增强化学反应，从而实现化学气相沉积的技术。PECVD中用的发光放电等离子体属于非平衡等离子体。在此类的等离子体中，自由电子的绝对温度通常比平均气体温度高1到2个数量级，这些高能电子撞击反应物气体分子，激发并电离，产生化学性质很活泼的自由基团，并使硅的表面产生更为活泼的表面结构，从而加快了低温下的化学反应。在CVD工序反应器中，反应气体（SiH4、PH3、NF3、NH3等）和携带气体（H2、O2、Ar、N2等）不断流过反应室，大部分特殊气体发生反应消耗，并生成气态副产物，未反应的气体由于混入大量废气，成分复杂，难以再回收利用，因此，这些气体将连同废气，最终以工艺尾气的形式先通过生产设备自带的POU设备（Point of Use）进行燃烧处理（以天然气助燃）或电浆法高温裂解，剩余尾气再通过废气洗涤塔湿式处理后排放。 ③ 溅射物理气相沉积技术（Physical Vapor Deposition，PVD），物理气相沉积主要是一种物理制程而非化学制程，见图3.6-4。 PVD 技术一般使用氩等惰性气体，经由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（铜、氧化铟锡、钼钛等）如雪片般沉积在玻璃表面。制程反应室内部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再通过微影图案化（patterned）与蚀刻，来得到半导体元件所要的导电电路。 TFT-LCD生产通常采用铜、ITO（铟锡合金，In2O3/SnO2）、Mo靶材作为溅射的材料。通过溅射工序，这些金属靶材大部分进入产品，仅有少量多余的沉积。 ④ 光刻（包括涂胶、曝光和显影）光刻技术，简单的说就是希望将设计好的线路图形，完整且精确地复制到玻璃基板上，过程如图3.6-5 所示。涂胶是在清洗后的玻璃基板表面均匀涂上一层光刻胶。光刻胶主要由对光与能量非常敏感的高分子聚合物和有机溶剂（稀释剂）组成，前者是光刻胶的主体，主要成份为酚醛树脂、丙二醇醚酯等，后者是光刻胶的介质，主要成份为丙二醇单甲醚乙酸酯。为使光刻胶牢固附着在玻璃面板表面，涂匀胶后要进行烘干，由于烘干温度较低，光刻胶中的有机溶剂挥发成为有机废气，而光刻胶中的高分子聚合物和光敏剂等作为涂层牢固地附着在基质表面。光刻胶对很窄的紫外光敏感，被光照射后发生化学变化，很容易被清洗剂去除，而没有感光的光刻胶则不会被清洗去除。曝光就是利用光刻胶的这种特性，使用光刻机、将事先设计好的电路通过掩模版以照像术透射到面板表面，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质。显影是用显影液（2.38%的四甲基氢氧化铵TMAH 溶液）将感光的光刻胶去除，在光刻胶上形成了沟槽，使下面的面板暴露出来，以便于下一道工序进行刻蚀；而没有感光的光刻胶则不会被清洗下来，从而使下面的面板得以保护。由于光刻胶使用后纯度难以满足工艺要求，光刻胶废液将通过管道系统回收到废液间。高浓度的显影液则通过工艺设备自带的回收系统将其重复回用，大大减少了物料消耗，在生产过程中从源头有效地减少了污染物的排放量。在光刻过程中将会产生有机废气和少量碱性废气、有机废水、有机废液（光刻胶和稀释剂）等。 ⑤ 干法刻蚀（DE）和湿法刻蚀（WE）干法刻蚀（Dry Etching）：干法刻蚀利用相关性气体并使其活化而与蚀材发生化学反应并将生成物带离基材以达到刻蚀的目的，如活性离子蚀刻，通常用于非金属薄膜蚀刻为一非均向性的蚀刻，最为各种反应器广泛使用的方法，便是结合①物理性的离子轰击②化学反应的蚀刻。此种方式兼具非等向性与高蚀刻选择比等双重优点，蚀刻的进行主要靠化学反应来达成，以获得高选择比。而非等向性蚀刻的达成，则是靠再沉积的产物或聚合物，沉积在蚀刻图形上，在表面的沉积物可为离子打掉，故蚀刻可继续进行，而在侧壁上的沉积物，因未受离子轰击而保留下来，阻隔了蚀刻表面与反应气体的接触，使得侧壁不受蚀刻，而获得非等向性蚀刻，并在机台近端装设燃烧水洗式局域废气处理洗涤塔处理制程后端排气，维护厂区安全及良好的环境空气品质。干法刻蚀（DE）是在等离子气态氛围中选择性腐蚀基材的过程，刻蚀气体通常含有氟等离子体或碳等离子体，因此刻蚀气体使用的有SF6、Cl2 气体。在干刻工序的反应器中，大部分刻蚀气体与基材发生反应消耗，并产生气态副产物（如SiF4、HCl、SiCl4 等），未反应的气体由于混入大量废气，成分复杂，难以再回收利用，因此，这些气体将连同气态副产物最终以有害废气的形式通过废气洗涤塔湿式处理后排放。湿法蚀刻（Wet Etching）：湿法刻蚀利用相关化学溶剂与蚀材发生化学反应达到蚀刻的目的。常用于金属性基材蚀刻并为一均向性蚀刻。湿蚀刻是将玻璃浸没于适当的化学溶液中，或将化学溶液喷洒至芯片上，经由溶液与被蚀刻物间的化学反应，来移除薄膜表面的原子，以达到蚀刻的目的。湿蚀刻三步骤为扩散→反应→扩散出。湿蚀刻进行时，透过化学溶剂厚度控制器和自动补酸系统，依酸槽化学药品厚度情况，即时补充消耗的药液及监控酸槽内的药液厚度情况。湿法刻蚀过程中，使用过的高浓度刻蚀液通过刻蚀机自带的回收系统重复回用，当其浓度难以满足工艺要求才更换，刻蚀液在生产过程中重复回用大大减少了刻蚀液的消耗量，从源头有效地减少了污染物的排放量。 IGZO湿法刻蚀使用硝酸、硫酸与IGZO发生反应，铜湿法刻蚀使用铜蚀刻与金属发生反应，AG湿法刻蚀使用磷酸、硝酸、醋酸与AG发生反应，取得设定电路。 ⑥剥离已经蚀刻出所需求的图形的基板，利用相关化学溶剂与光刻胶发生化学反应，将覆盖于图形上的光刻胶去除以便进行后序工程。剥离就是使用剥离液将玻璃基板上多余的光刻胶剥离的过程。去光阻液经浓度控制器监控酸槽内的溶剂浓度情況，调整换溶剂频率，并透过回收系统再生后，直接可再利用于生产中，提高其使用效率及利用率。在剥离过程中剥离液大部分变为有机废液，少量挥发或排入到废水里，因此会产生有机废气、有机废水和有机废液（剥离液）等。 2、彩膜工程（CF）彩色滤光片（Color Filter，简称CF）是TFT-LCD的重要组成部分，CF的质量直接影响TFT-LCD 的性能，其基本结构是由玻璃基板（Glass Substrate）、黑色矩阵（Black Matrix）、彩色层（Color Layer）及ITO膜所组成。 ①玻璃基板：采用无碱玻璃，是整个彩色滤光片加工的载体。 ②ITO导电层：由于CF将作为TFT-LCD面板的另一个共通电极，因此，在完成保护膜制作后，在RGB光阻层及保护膜层上方，还需要溅镀一层透明的导电层。常用的溅射材料为ITO（铟锡合金，In2O3/SnO2）靶材。 ③BM层（Black Matrix 层）：为了提高LCD的对比度，防止TFT元件产生光漏电流，与遮掩LCD 显示时的漏光等不良现象。 ④RGB层（红色/绿色/蓝色层）：LCD之所以会有颜色，是因为背光光源的白光通过CF上的RGB 三个色层时，分别会产生红色、绿色、蓝色三种颜色，通过这色的组合而构成各种色彩。 ⑤IOC层：透阻层，为PS工艺提供更平坦的地形。 ⑥PS层（Photo Spacer 层）：传统TFT-LCD 面板工程成盒工序中，在阵列玻璃与彩膜玻璃（彩色滤光片）之间由随机洒布的间隔球（spacer bead）来支撑，具有：在间隔球周围有漏光现象，容易产生白点等缺点，为了克服这些缺点，开发出以光刻胶柱状物（Photo Spacer）来取代传统的间隔球（spacer bead），有利于提高LCD的对比度。PS层采用的制造工艺与RGB层相同。 CF工艺的最大特色为“大面积”的工艺，其制作需要在大面积基板上进行真空镀膜、涂布、照相显影及蚀刻等工艺，工艺稳定度及产品均匀性是工艺难点。此外，制造环境洁净度对于成品率而言具有决定性影响，如何维持制造环境的高洁净度，也是CF工艺的重要课题。经过不断的研究改进，CF的制造方法中，能符合经济效益、工艺稳定及功能需求三方面要求的，主要有染色法、印刷法、颜料分散法、电着法等四种方法。彩色滤光片目前通常的工艺技术是采用颜料分散法面工艺实现，即把红/绿/蓝三色颜料分别掺和在光刻胶中，再用匀胶、曝光、显影等平面工艺分别制作黑色矩阵，其工艺流程大致分为五部分，即：溅射ITO膜、BM（黑色矩阵）、RGB彩色矩阵、OC平坦层和PS层生成等工序。项目采用的CF生产技术为颜料分散法。颜料分散法除了不受限于图素配置选择性，还可以获得良好的分光特性，同时又具有高耐光、耐热性，为目前生产工艺主流。这一方法主要组成材料除玻璃母板外，还有黑色矩阵、彩色滤光膜层、ITO导电膜等。 3、成盒工程（Cell）成盒车间负责成盒制作工序，主要由洗净、配向膜（PI）涂布、配向膜（PI）硬化、摩擦配向或者光配向、框胶涂布、液晶滴下、真空对位贴合、紫外线固化、框胶硬化、切割裂片、面板检查等工程步骤组成。生产制作过程先将阵列基板及彩膜基板实施清洗作业，去除基板上异物及污染物后表面涂上配向膜，经烘烤固化，再经过摩擦或者光配向形成沟槽，在彩膜基板上实施框胶涂布，液晶滴入处理接着进行真空下阵列及彩膜基板的位置对准贴合，再以紫外线照射将框胶硬化后进入分断工程。切割后依照基板上所规划的形式将基板分割成数片小面板（Panel），加入显示信号做画面画像检查即完成成盒工程作业。成盒工程具体工艺流程见图3.6-9。 4、模组工程模组工程是将液晶显示面板二次切割、贴附偏光板后，与外部驱动芯片和信号基板相连接，并组装背光源和防护罩，在加温状态下作老化处理，经过最后电气特性检查后即成为LCD模块，此模块可供下游厂家使用。模组工程具体工艺流程见图3.6-10。 ①清洗采用纯水对切割磨边后的液晶面板表面进行清洗，为偏光板贴附做准备。液晶面板由传送带传输至清洗室，先用去离子水对液晶面板进行喷射清洗，再用滚动的毛刷和研磨带擦拭液晶面板表面进行清理，同时伴有去离子水的喷洒。再对液晶面板进行喷淋清洗，清洗后的液晶面板采用压缩空气风刀将液晶面板表面的水滴吹干。清洗过程不添加清洗剂，清洗全过程均处于密闭的空间内。该过程产生一般清洗废水，主要污染物为SS。 ② 偏光板（POL）贴附为保护偏光板的物理特性，偏光板两侧各复合一层具有保护功能的离型膜。偏光板贴附前，需先去除保护的离型膜，再与液晶面板贴合，该过程由偏贴机自动操作进行，过程中会产生固体废物离型膜。 ③加压脱泡对偏光板在贴附过程中形成的气泡进行消除。 ④端子清洁为了清除面板绑定（Bonding）区域的异物，防止端子异物不良，用异丙醇对液晶面板的绑定区域进行清洁。端子清洁于密闭空间内由蘸取异丙醇的无纺布滚轮擦拭。端子清洁过程异丙醇挥发会产生有机废气，由位于端子清洁机的清洁滚轮上方抽气收集，通过专用管道，至彩膜成盒厂房有机废气处理系统处理后排放。该工序还会产生含异丙醇的废擦拭无纺布。 ⑤异方性导电胶膜（ACF）贴附异方性导电胶膜ACF的组成主要包含导电粒子及绝缘胶材两部分，上下各有一层保护膜来保护主成分。异方性导电胶膜一般为卷状，使用时先将异方性导电胶膜卷撕去上层保护膜（Cover Film），放入ACF贴附机内，设定贴附的长度和位置。通过上料系统将液晶面板放到定位台，将工作台移动到压头下方的液晶面板绑定区域，由自动切割系统切断ACF胶膜，将异方性导电胶膜贴附到液晶面板的绑定区域，热压贴附（70℃，1MPa，1~3 秒），同时剥离ACF底膜（Base Film），通过ACF自动卷带系统收带，并准备下一段贴附。该过程会产生固体废物，即异方性导电胶膜的保护膜及ACF胶膜卷芯。 ⑥热压连接采用ACF自动贴附机进行操作，在ACF在170~190℃、10秒、3MPa 压力条件下，使异方性导电胶膜的热固性树脂在高温下聚合硬化将两种不同材料连在一起，以提供足够的机械连接强度，同时导电粒子表层的导电层（Ni/Au层）被压扁/压裂，并接触上下电极，形成通路，达到IC、FPC、PCBA 与液晶面板导通的效果。 ⑦点胶在常温下使用点胶机将塔菲胶涂在液晶面板的端子区上，使产品封闭，利用0.2kg 的压力进行封口，该工序会产生有机废气。点胶有机废气上方抽气收集，通过专用管道，至彩膜成盒厂房有机废气处理系统处理后排放。 ⑧背光源与包边胶组合将半成品液晶面板与背光源进行组装，该过程会产生废包装盒。 ⑨老化测试在50~60℃的条件下，LCD放置于老化炉内约3小时。 ⑩终检产品置于LCM电检机固定位置上，电检过程逐个显示画面作对比，并对LCM产品进行非功能性检验，检验产品外表是否有脏点、异物、划痕等外观不良现象。终检合格产品用相应的包装标准和工艺，将合格产品装配到包装盒内。二、剥离液回收工艺铜剥离液回收系统（SRS）回收循环利用原理：铜剥离液中主要含有NMF（N-甲基甲酰胺：54.2±2%）、GLYCOL（二乙二醇丁醚：40±2%）、AMINE（胺类物质：5±1%）、ADDITIVE（添加剂：0.8±0.3%）等，其中NMF（N-甲基甲酰胺）和GLYCOL（二乙二醇丁醚）为可回收的有机溶剂。SRS回收原理即为设定N-甲基甲酰胺和二乙二醇丁醚的沸点，将其蒸馏并冷凝取出，而后再通过剥离液混合系统将其余成分按照原始比例混合成合格的成品，**工厂再使用。铜剥离液新液经过制程生产线后，主要分为：可回收利用之铜剥离液、水、光阻及其他高温加热产生之分解及缩合物等。回收系统即是蒸馏出剥离液再利用，将其他物质排除的设备。制程设备排下的废剥离液由used stripper（剥离液废液输送单元）进入回收系统。heater column（加热塔）及separation column（精馏分离塔）去除高沸点不纯物（如光阻等），因废剥离液属易结垢、易结晶之溶剂，故heater column（加热塔）选用强制循环式蒸发器。蒸发器产生之蒸气经separation column（分离塔）后，送入distillation column（精馏塔）藉由re-boiling column（再沸器）及condensing column（冷凝器）再去除低沸点不纯物（如水等）。整个制程使用真空蒸发，使废剥离液于减压条件下降低沸点，避免因高温变质，故于最末端使用vacuum pump（真空泵），操作压力约1.0～2.0kpa。剥离液回收系统主要是对工艺过程使用后的剥离液采用蒸馏塔（利用不同沸点）将有效成分分离回收后重新回用于生产过程。产生的污染源为冷凝器废水、薄膜蒸发器残渣、真空泵排水。真空泵抽排气主要污染物为总VOCs，纳入阵列车间的Q6 剥离废气处理系统进行处理；真空泵排水属于有机废水，处理站有机废水处理系统处理；薄膜蒸发器残渣，属于危险废物，委托危险废物处置单位进行处置。剥离液回收系统所用蒸汽由协鑫管道蒸汽提供。剥离液浓度平衡系统：若剥离液为二种以上之物质组成，则于蒸馏回收后，其组成比率将变更，需再经调整后才可再利用。图3.6-12 为批次式（batch type）浓度调整系统之流程图。当进行浓度调整时，reclaim chemical（回收化学品，即回收剥离液）经V2 阀加到blending tank（混合调配桶槽），达预设之重量后，V3 阀开启并以pump（泵浦）进行循环，藉由密度指示控制器（Density Indicator Controller, DIC）获得回收液之浓度。经可程序化逻辑控制器（Programmable Logical Controller, PLC）计算求得mixing chemical（混合化学品，即调配添加物）应加入之重量，开启V1 阀将所需之mixing chemical（混合化学品，即调配添加物）加入后，再次进行循环并经DIC确认浓度正确后，即可将V4 阀开启，经浓度调整完成之回收液即可输送至化学品供应系统，达到再生之循环。三、纯水制备工艺自来水经ACF+2B3T+UV+5um 精密过滤器+RO+混床+1um精密过滤器+换热器+抛光混床+0.1um 精密过滤器后供生产机台使用。 ① 纯水制备系统 CUB纯水制备系统主要包括MMF过滤器、AC碳过滤器、阴阳离子床、UV、RO。再生废水主要污染物为杂质及盐类（Ca2+、Mg2+离子等），进入酸碱废水处理系统。 ② 纯水抛光区纯水抛光区主要包括HEX加热、紫外消毒、抛光（树脂表面处理）和过滤。处理过程不会产生浓水。四、新增铝蚀刻工艺项目工艺调整部分为新增铝蚀刻工艺，工艺调整部分为湿法蚀刻，湿法刻蚀是利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。包括三个基本过程：刻蚀、冲洗和甩干。湿法蚀刻的微观反应过程，首先溶液里的反应物利用浓度差通过扩散作用达到被蚀刻薄膜表面，然后反应物与薄膜表面的分子产生化学反应，并产生各种生成物，最后生成物通过扩散作用到达溶液中，随着溶液被排出。湿法蚀刻的影响因素分别为：反应温度，溶液浓度，蚀刻时间和溶液的搅拌作用。根据化学反应原理，温度越高，反应物浓度越大，蚀刻速率越快，蚀刻时间越短，搅拌作用可以加速反应物和生成物的质量传输，相当于加快扩散速度，增加反应速度。当图形尺寸大于3μm时，湿法刻蚀广泛用于半导体生产的图形化过程。湿法刻蚀具有非常好的选择性和高刻蚀速率，这根据刻蚀剂的温度和厚度而定。相对于干法刻蚀，湿法刻蚀的设备便宜很多，因为它不需要真空、射频和气体输送等系统。然而当图形尺寸缩小到3μm以下时，由于湿法刻蚀为等向性刻蚀轮廓，因此继续使用湿法刻蚀作为图形化刻蚀就变得非常困难，利用湿法刻蚀处理图形尺寸小于3μm的密集图形是不可能的。由于等离子体刻蚀具有非等向性刻蚀轮廓，在更精密的图形化刻蚀中，等离子体刻蚀就逐渐取代了湿法刻蚀。湿法刻蚀因高选择性被用于剥除晶圆表面的整面全区薄膜。铝湿法蚀刻液由磷酸65%、乙酸15%、水15%、硝酸5%和微量催化剂组成。蚀刻机理为先由HNO3将铝表面氧化为Al2O3，然后再由磷酸将其溶解去除，如此反复达到蚀刻目的。蚀刻过程中常搅拌或加入催化剂，以防止H2气体附着在铝的表面，抑制蚀刻的进行，造成蚀刻不均匀。醋酸则作为抑制剂防止硝酸过快分解。化学反应方程式如下： 2Al+6H3PO4→2Al（H2PO4）3+3H2↑ Al2O3＋6H3PO4→2Al（H2PO4）3+3H2O Al+4HNO3（稀）→Al（NO3）3+NO↑+2H2O 本次ph2新增的铝蚀刻工艺与规划的银蚀刻工艺（本次验收未建设）均为湿法蚀刻工艺，工艺流程、设备均一致，仅蚀刻过程采用的靶材及蚀刻液不同。
增加铝蚀刻工艺及相应原辅材料、环保设施；

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

施工期环境管理措施和要求（一）废水治理措施和要求施工期污水经处理后由市政**处理厂，所有外排污水水处理厂接纳要求。（二）废气治理措施和要求施工过程中，应严格落实“6个100%”扬尘控制措施，按照《市大气污染防治规定》等相关要求，对施工场地采取围蔽作业，**车行道路定期洒水，施工物料采取密封运输，出场车辆需经过冲洗，裸土、物料堆场应覆盖，最大限度减缓扬尘污染影响。（三）噪声防治措施和要求施工期间应选用低噪设备和工艺，加强施工机械的维护和保养。合理安排施工时间，避免在居民休息时间作业，特殊情况下需施工时间的，应按规定取得相关部门许可并预先公告。项目施工过程中执行《建筑施工场界环境噪声排放标准》（GB12523-2011）。（四）固体废弃物处理措施和要求施工过程中产生的建筑垃圾、余泥渣土应按《市建筑废弃物管理条例》等有关规定妥善处置。（五）生态保护措施和要求应做好施工现场的排水系统，并有计划地开挖土方，减少裸露地表面积和裸露时间，防止雨天造成水土流失。（六）应按照《保护局关于开展建筑施工扬尘排污费征收工作的通知》（穗环[2015]114号）的规定环境保护局进行建筑施工扬尘排污申报，并按要求缴纳扬尘排污费。运营期环境管理措施和要求（一）废水治理措施和要求 1.员工办公生活污水经三级化粪池、食堂含油污水经隔油隔渣池预处理，达到省《水污染物排放限值》（DB44/26-2001）第二时段三级标准后，排入市政污水管网由北水质净化厂一期集中处理。 2.生产废水中高氟废水（含氟废水、含氟废气洗涤塔废水、铜蚀刻废水）、低氟废水（银蚀刻废水、染料废水、有机废水、不含氟洗涤塔废水、TOC一般清洗废水、冷却塔废水、纯水系统废水）分别排入自建污水处理系统处理，CODcr、BOD、氟、铜、氨氮、总磷、银等污染物达到附件要求的排放标准，其余污染物达到《电子工业水污染物排放标准》（GB 39731-2020）表1中的间接排放标准后，进入配套水质净化厂进行深度处理。 3.处理站应安装在线监测装置，中心联网，实时监控水污染物的排放情况。 4.按照项目签订的协议之补充协议内容，本项目**政府投资建设，其环评报告另行编制报批。（二）废气治理措施和要求 1.阵列工程的湿法蚀刻工序产生的氢氟酸和氮氧化物集中收集，分别经碱液喷淋处理，达到省《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准后，分别经由Q1、Q2排气筒高空排放，排气口高度均为55米。 2.阵列工程的显影工序产生的氨气集中收集，经酸液喷淋处理，达到《恶臭污染物排放标准》（GB14554-1993）表2恶臭污染物排放标准值后，经由Q3排气筒高空排放，排气口高度为55米。 3.阵列工程的涂胶工序中使用PFA光阻的机台产生的VOCs集中收集，经沸石转轮浓缩-TO直燃式焚化炉系统处理，达到省《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）Ⅱ时段标准后，经由Q4排气筒高空排放，排气口高度为55米。 4.阵列工程的涂胶工序中其余机台产生的VOCs集中收集，经沸石转轮浓缩-RRTO旋转蓄热式焚化炉系统处理，达到省《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）II时段标准后，经由Q4排气筒高空排放，排气口高度为55米。 5.阵列工程的干法蚀刻、化学气相沉积等工艺产生的氮氧化物、颗粒物、氯气、氟化物、二氧化硫、氨气、硅烷和磷烷集中收集，经湿式静电除尘+三段立式洗涤塔处理，磷烷和硅烷达到《环境影响评价技术导则制药建设项目》（HJ 611-2011）中的多介质环境目标值估算DMEG值和《荷兰排放导则》（NER）计算结果中的较严值，氨气达到《恶臭污染物排放标准》（GB14554-1993）表2恶臭污染物排放标准值，其余污染物达到省《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准后，经由Q5排气筒高空排放，排气口高度为55米。 6.阵列工程的剥离工艺产生的VOCs集中收集，经冷凝+稀硫酸喷淋处理，达到省《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）II时段标准后，经由Q6排气筒高空排放，排气口高度为55米。 7.彩膜工程的ITO检查维修工序产生的氯化氢集中收集，经碱液喷淋处理，达到省《大气污染物排放限值》(DB44/27-2001)第二时段二级标准后，经由Q7排气筒高空排放，排气口高度为55 米。 8.彩膜工程的显影工序、成盒工程的清洗工序产生的含氢氧化钾的蒸气集中收集，经酸液喷淋处理后，经由Q8排气筒高空排放，排气口高度为55米。 9.彩膜工程的涂胶工序，成盒工程的涂PI、固化、返修工序和模组工程的擦拭工序产生的VOCs集中收集，经沸石转轮浓缩-RRTO系统处理，达到省《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）II时段标准后，经由Q9、Q10排气筒高空排放，排气口高度均为55米。 10.**处理站产生的硫化氢、氨气、臭气浓度、VOCs集中收集，经酸液、碱液、次氯酸钠三级喷淋塔处理，达到省《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）II时段标准和《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表2恶臭污染物排放标准值后，经由Q11排气筒高空排放，排气口高度为25米。 11.中水回用系统废气产生的硫化氢、氨气、臭气浓度、VOCs集中收集，经碱液喷淋处理，达到省《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）II时段标准和《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表2恶臭污染物排放标准值后，经由Q12排气筒高空排放，排气口高度为30米。 12.车间地面及设备表面清洁产生的VOCs集中收集，在满足省《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）II时段标准的前提下，经由PA1~PA20、PC1~PC17排气筒高空排放。 13.各燃烧炉产生的NOx、SO2、烟尘集中收集，在满足省《锅炉大气污染物排放标准》（DB44/765-2019）（不折算含氧量）表2锅炉大气污染物排放浓度限值的前提下，经由Q4、Q9、Q10排气筒高空排放，排气口高度为55米。 14.备用发电机产生的NOx、SO2、烟尘集中收集，经干式净化器DOC处理，达到省《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准后，经由Q15-Q20排气筒高空排放，排气口高度为28.7米。 15.食堂产生的油烟废气集中收集通过静电除油烟装置处理，达到《饮食业油烟排放标准（试行）》（GB18483-2001）后，通过内置烟道集中经由Q13、Q14排气筒高空排放，排气口高度均为20米。 16.各排气筒均应按有关环境监测规范要求设置取样孔及取样平台，以便环境监测部门进行取样监测。 17.废气处理系统应设置报警装置，当废气处理装置故障时，应同步停止相关生产设备和物料供应系统运行，杜绝污染物直接排放。 18.处理站应做好恶臭防治措施，调节池和生化反应池等主要产生恶臭污染物的池体均应加盖密闭，最大限度减少恶臭污染物无组织排放，避免对周边环境造成影响。 19.厂界VOCs应满足省《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）无组织排放浓度监控限值，厂区内VOCs无组织排放执行《挥发性有机物无组织排放控制标准》（GB37822-2019）表A.1特别排放限值，氟化物、氯化氢、氮氧化物、颗粒物、二氧化硫应满足省《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段无组织排放监控浓度限值，恶臭污染物应满足《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）二级标准。 20.项目大气污染物排放总量应控制在以下范围：VOCs≤82.729 t/a（其中有组织82.127t/a、Q4 排气筒排放19.868t/a、Q6 排气筒排放6.132 t/a、Q9排气筒排放22.667 t/a、Q10排气筒排放22.667 t/a）、颗粒物≤4.831 t/a、SO2≤4.025t/a、NOx≤19.89t/a。 21.应加强废气治理措施管理，保障废气治理措施高效、稳定运行，排气筒（Q4、Q9、Q10）应分别安装VOCs在线监控系统，中心联网，实时监控大气污染物的排放情况，确保污染物排放符合相应标准及总量要求。（三）噪声治理措施应对声源设备进行合理布设，同时采取隔声、降噪、防振等措施，确保厂界噪声符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）2类标准。（四）固体废弃物防治措施 1.Cu剥离液残液、废丙酮、废光刻胶、废液晶、废银蚀刻液、废IC芯片、废电子元器件、无机污泥、涂料染料废物、废电池、废矿物油、废NMP、废稀释剂彩膜、废稀释剂阵列、废实验试剂、废吸附材料、废液晶等属《国家危险废物名录》中的废物，应按有关规定进行收集，委托具有相应危险废物经营许可证资质的单位进行集中处理。危险废物暂存场应按照国家《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2001）的要求进行设置。应按时完成年度固体废物申报登记。可按照《固体废物鉴别标准通则》（GB34330-2017）的要求对相关危险废物鉴别后再根据鉴别结果最终确定管理方式。 2.废杂膜、废塑料栈板、废塑料管件、废PVC塑料、有机污泥等应委托公司回收或处理。 3.生活垃圾应按环卫部门的规定实行分类收集和处理。（五）风险防范及事故处理措施 1.应做好厂区危化品仓库环境管理，配备相应处理突发环境事件的设施和物资，明确环境应急事件处理第一责任人，定期开展环境安全教育。在发生环境污染事故第一时间，除本公司积极做好抢险工作以外，管理部门报告，并立即向周边环境敏感点发出应急通知，争取将环境污染事故消灭在萌芽状态，公司人员和周边居民产生不利影响。 2.厂区应按《报告表》要求设置4座合计容积15894m3的环境应急事故池。一旦发生事故性泄漏和火灾，应确保泄漏的化学品和消防过程产生的废水全部进入应急事故池，并将事故废水委托公司处理，杜绝直接排入雨水管网或自然水体。 3.应实现生产设备与污染治理设施联动，并制定相应的管理制度，确保污染治理设施出现故障等非正常情况时同步停止生产，避免产生非正常或事故性排放。 4.车间、固废堆场、仓库等应设置防渗防泄措施，避免事故性泄漏的污染物进入自然环境。 5．应及时将环境风险应急预案报生态环境部门备案。（六）应设专职部门负责该项目的环境管理工作，建立健全环境管理制度，确保污染治理设施正常运转，杜绝污染物超标和超总量排放。应妥善处置危险废物并承担监督责任，防止造成二次污染。（七）应按《关于印发省污染源排污口规范化设置导则的通知》（粤环[2008]42号）要求设置排污口。	施工期：项目施工期按照环评报告及批复要求落实了各项环境保护措施，未对周边环境造成明显不良影响。营运期：（一）废水 ph2生活污水依托原有三级化粪池处理、食堂含油污水经隔油隔渣池预处理后排入北水质净化厂处理达标后排放； ph2生产处理站处理后，排入北水质净化厂处理达标后排放；生产废水排放口均已经安装在线监测装置，**中心联网；建设单位已取得《城镇污水排入排水管网许可证》（穗开审批排水[2024]号第18号）。（二）废气 ph2阵列车间酸性蚀刻（使用Cu蚀刻液、HF）工序产生的酸性废气依托原有3 套（2用1备）两级卧式洗涤（水喷淋+碱喷淋）处理后，经原有1根59m高Q1排气筒排放； ph2阵列车间酸性蚀刻（使用硝硫酸、硝酸）工序产生的酸性废气以及ITO 检修工序产生的酸性依托原有2套（1用1备）三级立式洗涤（碱喷淋+氧化/还原/碱液+还原）处理后，经原有1根61m高Q2排气筒排放。 ph2阵列显影工序产生的碱性废气依托原有4套（3用1备）单级卧式洗涤（酸液喷淋）处理后，经原有1根59m高Q3排气筒排放。 ph2阵列涂胶工序产生的有机废气经4套（3用1备）沸石转轮+RRTO、2套（1用1备）沸石转轮+TO处理后，经原有1根61m高Q4排气筒排放。 ph2 阶段CVD废气、干蚀刻废气、钝化层沉积工序产生的工艺废气依托原有2套（1用1备）湿式静电除尘+四级立式洗涤（碱喷淋+氧化/还原/碱液+还原）处理后，经原有1根59m高Q5排气筒排放。 ph2阶段光阻剥离、剥离液回收工序产生的有机废气依托原有3套（2用1备）冷凝器+单级卧式洗涤（酸液喷淋）处理后，经原有1根61m 高Q6排气筒排放。彩膜工程显影液及成盒工程清洗工序产生的碱性废气经3套（2用1备）单级卧式洗涤（酸液喷淋）处理后，依托原有1根59m高的Q8排气筒排放。 ph2阶段彩膜工程涂胶工序、成盒工程配向固化和清洗工序、模组擦拭工序产生的有机废气分别经6套（5用1 备）沸石转轮+RRTO处理，依托原有2根59m高的Q9、Q10排气筒排放。 ph2处理站产生的废气依托原有3 套（2用1备）酸液、碱液、次氯酸钠三级喷淋塔集中处理喷淋处理后，经原有1根31m高Q11排气筒排放。 ph2阶段CUB处理站产生的废气依托原有1套两级立式喷淋塔（酸液、碱液）处理后，经原有1根34m高Q12排气筒排放。生产过程中清洗工序清洗剂挥发产生的有机废气分别通过56根（44用12备）排气筒直接排放（排气筒编号：PA1~PA25、PC1~PC19）。食堂产生的食堂油烟经2套静电式油烟净化器处理后分别通过1根19m 高的Q13和1根26m高的Q14排气筒排放。建设单位对Q4、Q9、Q10排气筒已分别安装总VOCs在线监控系统，中心联网。（三）噪声 ph2阶段选用了低噪声设备，合理布设了噪声源，同时采取隔声、减振等综合降噪措施。（四）固体废物废吸附材料（活性炭）、废包装物/容器、废吸附材料、废实验试剂、废RW液、废PI液、废液晶、废稀释剂、废NMP、RGB再生剥离废液、剥离液废液、废IC芯片、废电子元器件、废电池、废铝蚀刻液、离子交换树脂、废气废活性炭、废灯管、涂料染料废物、废丙酮、废酒精、含铜无机污泥、废光刻胶、除尘沉渣、CU剥离液残液、铝废剥离液、废矿物油等属于危险废物，委托有相应危公司处理处置；有机污泥、含氟无机污泥、废玻璃、废库板、废杂膜、废纸、废偏光片、废RO膜、废过滤网、废泡沫、废塑料、废背光源等属于一般工业固废，交由有相应经营**公司回收处理。
原环评规划“设置49用11备排气筒对一般排气排放（37根排气筒主要涉及酒精、丙酮挥发气（含总VOCs排放），12根排气筒排放为热气、水汽、洁净室微粒）”，但实际过程建设过程，废气收集无法区分出热气、水汽、洁净室微粒、酒精、丙酮挥发气，全厂设置44用12备一般废气排放口；含氟污泥已鉴定为一般固体废物管理，交由相应处理能力单位处理。

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

无	无
无

3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）

0	0	0	0	0
0	0	0	0	0
0	0	0	0	0
0	0	0	0	0
0	0	0	0	0
****774.3	0	0	****774.3	0	/
2.0125	2.0085	4.025	4.021	2.009	/
9.945	2.9752	19.89	12.92	2.975	/
2.4155	3.5948	4.831	6.01	3.595	/
27.7	14.717	82.729	42.417	14.717	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

1	高氟废水排放口	项目高氟废水排放口外排的CODcr、BOD、氟、铜、氨氮、总磷、银等污染物达到环评批复“穗开审批环评【2021】88号”要求的排放标准，pH值、悬浮物、总氮、锌达到《电子工业水污染物排放标准》（GB 39731-2020）表1中的间接排放标准；废水色度达到**省地方标准《水污染物排放限值标准》（DB44/26-2001）限值要求；	ph2生产**处理站处理后，排入配套北水质净化厂处理达标后排放	检测2天，每天4次
2	低氟废水排放口	项目低氟废水排放口CODcr、BOD、氟、铜、氨氮、总磷、银等污染物达到环评批复“穗开审批环评【2021】88号”要求的排放标准，pH值、悬浮物、总氮、锌达到《电子工业水污染物排放标准》（GB 39731-2020）表1中的间接排放标准；色度达到**省地方标准《水污染物排放限值标准》（DB44/26-2001）限值要求；	ph2生产**处理站处理后，排入配套北水质净化厂处理达标后排放	检测2天，每天4次
3	生活污水排放口（WS-01、WS-02）	生活污水排放口（WS-01、WS-02）外排的PH、化学需氧量、BOD5、SS、氨氮、动植物油、总氮、总磷、LAS达到**省地方标准《水污染物排放限值》（DB44/26-2001）第二时段三级标准。	ph2生活污水依托原有三级化粪池处理、食堂含油污水经隔油隔渣池预处理后排入**北水质净化厂处理达标后排放；	检测2天，每天4次

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

1	酸性蚀刻酸性废气排放口Q1	酸性蚀刻酸性废气排放口Q1外排的氟化物达到**省地方标准《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准；	ph2阵列车间酸性蚀刻（使用Cu蚀刻液、HF）工序产生的酸性废气依托原有3 套（2用1备）两级卧式洗涤（水喷淋+碱喷淋）处理后，经原有1根59m高Q1排气筒排放；	检测2天，每天3次
2	阵列车间酸性蚀刻工序产生的酸性废气以及ITO检修工序酸性废气排放口Q2	阵列车间酸性蚀刻工序产生的酸性废气以及ITO检修工序酸性废气排放口Q2外排的氮氧化物、氯化氢达到**省地方标准《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）中的第二时段二级标准；	ph2阵列车间酸性蚀刻（使用硝硫酸、硝酸）工序产生的酸性废气以及ITO 检修工序产生的酸性依托原有2套（1用1备）三级立式洗涤（碱喷淋+氧化/还原/碱液+还原）处理后，经原有1根61m高Q2排气筒排放。	检测2天，每天3次
3	阵列显影碱性废气排放口Q3	阵列显影碱性废气排放口Q3外排的氨达到《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）中表2标准；	ph2阵列显影工序产生的碱性废气依托原有4套（3用1备）单级卧式洗涤（酸液喷淋）处理后，经原有1根59m高Q3排气筒排放。	检测2天，每天4次
4	阵列涂胶有机废气排放口Q4	阵列涂胶有机废气排放口Q4外排的总VOCs达到省地方标准《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）第II时段标准，外排的二氧化硫、氮氧化物、颗粒物达到省地方标准《锅炉大气污染物排放标准》（DB44/765-2019）（不折算含氧量）表2**锅炉标准，外排的非甲烷总烃达到《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/2367-2022）表1排放限值；	ph2阵列涂胶工序产生的有机废气经4套（3用1备）沸石转轮+RRTO、2套（1用1备）沸石转轮+TO处理后，经原有1根61m高Q4排气筒排放。	检测2天，每天3次
5	CVD废气、干蚀刻废气、钝化层沉积工艺废气排放口 Q5	CVD废气、干蚀刻废气、钝化层沉积工艺废气排放口 Q5外排的颗粒物、SO2、氯气、NOx、HCL达到省地方标准《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准，外排的氨达到《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）中表2标准，外排的氟化物达到省地方标准《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准；	ph2 阶段CVD废气、干蚀刻废气、钝化层沉积工序产生的工艺废气依托原有2套（1用1备）湿式静电除尘+四级立式洗涤（碱喷淋+氧化/还原/碱液+还原）处理后，经原有1根59m高Q5排气筒排放。	检测2天，每天3次（其中氨检测2天，每天4次）
6	光阻剥离、剥离液回收工序剥离液产生的有机废气排放口Q6	光阻剥离、剥离液回收工序剥离液产生的有机废气排放口Q6外排的总VOCs达到**省地方标准《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）第II时段标准，外排的非甲烷总烃达到《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/2367-2022）表1排放限值；	ph2阶段光阻剥离、剥离液回收工序产生的有机废气依托原有3套（2用1备）冷凝器+单级卧式洗涤（酸液喷淋）处理后，经原有1根61m 高Q6排气筒排放。	检测2天，每天3次
7	彩膜工程显影、成盒工程碱性废气Q8排气筒	/	彩膜工程显影液及成盒工程清洗工序产生的碱性废气经3套（2用1备）单级卧式洗涤（酸液喷淋）处理后，依托原有1根59m高的Q8排气筒排放。	/
8	彩膜工程涂胶、成盒工程配向固化和清洗、模组擦拭等工序有机废气排放口Q9；彩膜工程涂胶、成盒工程配向固化和清洗、模组擦拭等工序有机废气排口Q10	彩膜工程涂胶、成盒工程配向固化和清洗、模组擦拭等工序有机废气排放口Q9外排的总VOCs达到省地方标准《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）第II时段标准，外排的二氧化硫、氮氧化物、颗粒物达到省地方标准《锅炉大气污染物排放标准》（DB44/765-2019）（不折算含氧量）表2锅炉标准，外排的非甲烷总烃达到《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/ 2367-2022）表1排放限值；彩膜工程涂胶、成盒工程配向固化和清洗、模组擦拭等工序有机废气排口Q10外排的总VOCs达到省地方标准《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）第II时段标准，外排的二氧化硫、氮氧化物、颗粒物达到省地方标准《锅炉大气污染物排放标准》（DB44/765-2019）（不折算含氧量）表2锅炉标准，外排的非甲烷总烃达到《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/ 2367-2022）表1排放限值；	ph2阶段彩膜工程涂胶工序、成盒工程配向固化和清洗工序、模组擦拭工序产生的有机废气分别经6套（5用1 备）沸石转轮+RRTO处理，依托原有2根59m高的Q9、Q10排气筒排放。	检测2天，每天3次
9	生产废水处理废气排放口Q11	生产废水处理废气排放口Q11外排的硫化氢、氨、臭气浓度达到《恶臭污染物排放标准》（GB 14554-1993）表2恶臭污染物排放标准值，外排的总VOCs达到**省地方标准《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB 44/814-2010）表1排气筒总VOCs排放限值（Ⅱ时段），外排的非甲烷总烃达到《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB 44/2367-2022）表1挥发性有机物排放限值。	ph2****处理站产生的废气依托原有3 套（2用1备）酸液、碱液、次氯酸钠三级喷淋塔集中处理喷淋处理后，经原有1根31m高Q11排气筒排放。	检测2天，每天3次（其中硫化氢、氨、臭气浓度检测2天，每天4次）
10	CUB****处理站废气排放口Q12	CUB**处理站废气排放口Q12外排的总VOCs达到省地方标准《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）排放标准，外排的氨、硫化氢、臭气浓度达到《恶具污染物排放标准》（GB14554-93）中表2标准；外排的非甲烷总烃达到《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/2367-2022）表1排放限值；	ph2阶段CUB****处理站产生的废气依托原有1套两级立式喷淋塔（酸液、碱液）处理后，经原有1根34m高Q12排气筒排放。	检测2天，每天3次（其中硫化氢、氨、臭气浓度检测2天，每天4次）
11	食堂油烟废气排放口Q13、食堂油烟废气排放口Q14	食堂油烟废气排放口（Q13、Q14）外排的油烟达到《饮食业油烟排放标准（试行）》（GB 18483-2001）标准；	食堂产生的食堂油烟经2套静电式油烟净化器处理后分别通过1根19m 高的Q13和1根26m高的Q14排气筒排放。	检测2天，每天5次
12	一般排气筒（排气筒编号：PA1~PA25、PC1~PC19）	清洗工序有机工序废气排放口外排的总VOCs达到**省地方标准《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB44/814-2010）第Ⅱ时段排放浓度限值，外排的非甲烷总烃达到《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/ 2367-2022）表1排放限值；	生产过程中清洗工序清洗剂挥发产生的有机废气分别通过56根（44用12备）排气筒直接排放（排气筒编号：PA1~PA25、PC1~PC19）	检测2天，每天3次（按验收技术规范，抽取30%排放口：PA2、PA6、PA9、PA10、PA18、PA19、PC1、PC4、PC6、PC7、PC8、PC9、PC10、PC15、PA21、PA23、PA25）
13	厂界、厂区内无组织	厂界无组织总 VOCs达到省地方标准《家具制造行业挥发性有机化合物排放标准》（DB 44/814-2010 ）表2无组织排放监控点浓度限值；厂界无组织臭气浓度、氨、硫化氢达到《恶臭污染物排放标准》（GB 14554-93）表1二级新扩改建标准限值；厂界无组织氮氧化物、二氧化硫、颗粒物、氯化氢、氟化物、氯气达到省地方标准《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段无组织排放监控点浓度限值。厂区内（厂房外）非甲烷总烃浓度达到《挥发性有机物无组织排放控制标准》（GB 37822-2019）表A1厂区内VOCs无组织特别排放限值，也满足《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/ 2367-2022）厂区内无组织排放限值要求。	/	检测2天，每天3次（其中臭气浓度、氨、硫化氢检测2天，每天4次）

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

厂界四周

厂界噪声达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）2类标准。

ph2阶段选用了低噪声设备，合理布设了噪声源，同时采取隔声、减振等综合降噪措施。

检测2天，每天2次

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

1.Cu剥离液残液、废丙酮、废光刻胶、废液晶、废银蚀刻液、废IC芯片、废电子元器件、无机污泥、涂料染料废物、废电池、废矿物油、废NMP、废稀释剂彩膜、废稀释剂阵列、废实验试剂、废吸附材料、废液晶等属《国家危险废物名录》中的废物，应按有关规定进行收集，委托具有相应危险废物经营许可证资质的单位进行集中处理。危险废物暂存场应按照国家《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2001）的要求进行设置。应按时完成年度固体废物申报登记。可按照《固体废物鉴别标准通则》（GB34330-2017）的要求对相关危险废物鉴别后再根据鉴别结果最终确定管理方式。 2.废杂膜、废塑料栈板、废塑料管件、废PVC塑料、有机污泥等应委托****公司回收或处理。 3.生活垃圾应按环卫部门的规定实行分类收集和处理。

废吸附材料（活性炭）、废包装物/容器、废吸附材料、废实验试剂、废RW液、废PI液、废液晶、废稀释剂、废NMP、RGB再生剥离废液、剥离液废液、废IC芯片、废电子元器件、废电池、废铝蚀刻液、离子交换树脂、废气废活性炭、废灯管、涂料染料废物、废丙酮、废酒精、含铜无机污泥、废光刻胶、除尘沉渣、CU剥离液残液、铝废剥离液、废矿物油等属于危险废物，委托有相应危****公司处理处置；有机污泥、含氟无机污泥、废玻璃、废库板、废杂膜、废纸、废偏光片、废RO膜、废过滤网、废泡沫、废塑料、废背光源等属于一般工业固废，交由有相应经营****公司回收处理。

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

1.应做好厂区危化品仓库环境管理，配备相应处理突发环境事件的设施和物资，明确环境应急事件处理第一责任人，定期开展环境安全教育。在发生环境污染事故第一时间，除本公司积极做好抢险工作以外，****管理部门报告，并立即向周边环境敏感点发出应急通知，争取将环境污染事故消灭在萌芽状态，****公司人员和周边居民产生不利影响。 2.厂区应按《报告表》要求设置4座合计容积15894m3的环境应急事故池。一旦发生事故性泄漏和火灾，应确保泄漏的化学品和消防过程产生的废水全部进入应急事故池，并将事故废水委托****公司处理，杜绝直接排入雨水管网或自然水体。 3.应实现生产设备与污染治理设施联动，并制定相应的管理制度，确保污染治理设施出现故障等非正常情况时同步停止生产，避免产生非正常或事故性排放。 4.车间、固废堆场、仓库等应设置防渗防泄措施，避免事故性泄漏的污染物进入自然环境。 5．应及时将环境风险应急预案报生态环境部门备案。

****已制定突发环境事故制度并成立环境风险事故应急救援“****小组”，由厂长、副厂长及生产、安全、环保等部门领导组成，加强日常管理工作，一旦发生环境事故，采取相应的事故应急处理措施，减少对环境的风险。建设****生态环境局**分局《企业事业单位突发环境事件应急预案备案表》（编号：440112-2022-0116-M）。根据环评要求，已按要求设置：设置了低氟废水应急池，容积为6697m3；高氟废水应急池，容积为6559m3；应急雨水收集池1，容积为1950m3；应急雨水收集池2，容积为2280m3；应急雨水收集池3，容积为2821m3，应急事故池总容积共为20307m3。项目安装有毒有害气体探测与报警系统、警报监控系统、警示灯、语音广播、消防洒水系统。

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程