热激励去极化电流和高低温数字电桥多功能测试系统

发布时间: 2025年07月30日
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****2025年9月政府采购意向-热激励去极化电流和高低温数字电桥多功能测试系统 详细情况
热激励去极化电流和高低温数字电桥多功能测试系统
项目所在采购意向: ****2025年9月政府采购意向
采购单位: ****
采购项目名称: 热激励去极化电流和高低温数字电桥多功能测试系统
预算金额: 595.000000万元(人民币)
采购品目:
A****0205集成电路参数测量仪,A****0204半导体器件参数测量仪
采购需求概况 :
1.拟采购高低温数字电桥多功能测试系统5套,该设备主要对集成电路芯片、器件进行高低温极限条件下性能测试。每套设备测试温度范围:-160℃-1000℃;控温精度:±0.5℃;升温斜率:0-10°C/min,典型值3°C/min。每套配置高精密阻抗测量模块,测量频率范围:10Hz~30MHz,最小频率分辨率:1mHz;阻抗测量精度:0.08%,典型值≤±0.045%;阻抗范围:1mΩ~100MΩ;偏置电压:±40V;最大扫描点数:1601;损耗精度范围:≤5*10-4。 2.拟采购热激励去极化电流测试系统5套,该设备对电介质材料热激励去极化过程中产生的微弱电流进行测试,同时测量电流密度、电荷变化、介电常数变化等参数,获取材料电学特性。 3.拟采购虚实联动测试系统5套,每套设备配置远程前置放大器8块、基础数据通信板卡2块;每套设备配置半导体参数分析仪2块、多功能实验基础平台2块,包含8块源测试单元(SMU)板卡、2块LCR测量单元板卡、2块器件工艺联动模型板卡、2块微纳电子器件模型板卡、2块机器学习模型板卡、2块半导体设备实景操作板卡,支持6种集成电路测试与分析,支持真实工业场景中晶圆级器件(包含JFET、HEMT、FinFET、TFT等器件)的多性能测试,电流测量精度到0.1fA(1e-16A)。 4.合同签订之日起60天内交货至****指定地址,环境改造、安装调试均由供货方免费提供。设备购买3年内供货方免费上门维修、免费提供配件,如需寄回原厂,所产生的邮寄费由供货方提供。
预计采购时间: 2025-09
备注:

本次公开的****政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写

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2025-07-30
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