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一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法（项目编号ZL2025TJ3000088）交易公告
招标详情
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转让/许可标的基本情况
| 标的名称 | 一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法 | 项目编号 | **** |
| 挂牌开始时间 | 2025-08-04 | 挂牌截止时间标书代写 | 2025-12-31 |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 专利号 | 202****50487.1 | ||
| 授权日期 | 2025-06-20 | 到期时间 | 2044-08-21 |
| 应用领域 | 其他(电子核心产业) | ||
| 简介 | 本发明公开了一种PVT法生长高纯4HSiC单晶的方法，属于半导体技术领域。在SiC晶体生长之前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，具体为：将SiC衬底的Si面裸露，C面遮掩；衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂电极；阳极与阴极对称放置，将SiC衬底置于电解液中，连接电源对衬底生长面进行电化学刻蚀；将电化学刻蚀好的衬底继续置于电解液中浸泡，再置于去离子水中浸泡超声，最后用惰性气体吹干。本发明提供的一种PVT法生长高纯4HSiC单晶的方法，在SiC晶体PVT法生长前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，能够提供更多的成核位点，降低4H在Si面成核能，为4HSiC成核生长提供窗口，减少氮元素的吸收，稳定高纯4HSiC单晶的生长。 | ||
| 拟转让/许可方式 | 拟交易底价 | 入门费加提成费支付：采用入门费和提成费相结合的方式，其中入门费为5万元，提成费按当年度合同产品净销售额的5%提取。 | |
转让/许可方基本情况
| 转让/许可方类型 | 认证名称 | **** | |
| 注册地址 | 注册资本 |
受让方资格条件
| 转让/许可范围 | 中国 | ||
| 受让方资格条件 | 无 | ||
| 保证金要求 | 无需交保证金 | ||
招标进度跟踪
2025-08-05
招标公告
一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法（项目编号ZL2025TJ3000088）交易公告
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