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电子束蒸发
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3600000.00
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zycgr220****32025年8至12月政府采购意向-电子束蒸发 详细情况
| 电子束蒸发 | |
| 项目所在采购意向： | zycgr220****32025年8至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | zycgr****1903 |
| 采购项目名称： | 电子束蒸发 |
| 预算金额： | 360.000000万元(人民币) |
| 采购品目： |
A****0699其他试验仪器及装置
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| 采购需求概况 ： |
脑机接口神经电极中试平台需具备完整的微纳加工能力，电子束蒸发是形成高质量电极材料（如金、钛、铂等）、引线金属层及功能性界面修饰膜（如Ir、AlO等）的关键工艺，补充并拓展磁控溅射工艺的材料兼容性和沉积灵活性，是电极可靠性和性能提升的重要保障。（两台）
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| 预计采购时间： | 2025-08 |
| 备注： |
脑机接口神经电极中试平台需具备完整的微纳加工能力，电子束蒸发是形成高质量电极材料（如金、钛、铂等）、引线金属层及功能性界面修饰膜（如Ir、AlO等）的关键工艺，补充并拓展磁控溅射工艺的材料兼容性和沉积灵活性，是电极可靠性和性能提升的重要保障。（两台）
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本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写
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2025-08-08
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