多功能AI+光电薄膜材料与器件研发系统

A****2400真空获得及应用设备

采购标名称：多功能AI+光电薄膜材料与器件研发系统； 主要功能：用于多功能光电薄膜材料开发与器件制备。包括：Au、Ag、Al、MoO3、LiF等材料的真空蒸镀、氧化物薄膜的磁控溅射（ZnO、SiO2等）与原子层沉积（Al2O3、MgO、ZnO、SnO2、 Ga2O3、In2O3等）、溶液旋涂、真空退火、激光直写等功能。 数量：1 需满足质量：系统包括真空蒸镀设备（两台）、磁控溅射、原子层沉积、旋涂、真空退火、激光直写设备、传输腔、载入/载出腔、工艺手套箱。蒸镀与磁控溅射腔体由传输腔连接，其余设备放置于手套箱中，基片与掩模板在传输腔和载入/载出腔内由机械手传送。 蒸镀设备要求：金属蒸镀腔内蒸发源数量 6 组，有机蒸镀腔内蒸发源数量 8 组；真空性能：极限真空 ≤ 3.5×10-5 Pa，保压能力12 小时 ≤ 5 Pa。膜厚精度：金属蒸镀膜厚均匀性±5%，有机蒸镀±3%。基片有效尺寸：135×135 mm，可通过托盘兼容小尺寸基片 19×19 mm，数量 4×4；支持在线掩模板切换。 磁控溅射设备要求：极限真空≤3.5×10-5 Pa，抽真空速度，40分钟达到 5×10-4 pa，氮气环境时间缩短一半；3 套 3 寸磁控靶；3 路 MFC 流量控制；基片有效尺寸：135×135 mm，可通过托盘兼容小尺寸基片 19×19 mm，数量4×4。 传输腔：极限真空≤3.5×10-5 Pa；腔体保压：12 小时小于 5Pa；内含真空机械手，往返载入腔与蒸镀腔传送基片；4个工位，每个工位传输路径上有检测装置，用于检测机械手上基片有无状况。 载入/载出腔：极限真空≤3.5×10-5 Pa，抽真空速度，40 分钟达到 5×10-4 pa，氮气环境时间缩短一半；内含有 15层储存工位，可放置4层掩模板以及11层基片于托盘上。 原子层沉积：配置7个常温液态源管路、2个加热源管路、1个常规气态源及2路载气专用管路。反应腔体最高可加热温度不小于400℃，温度控制精度为±1℃。反应器可容纳平面尺寸为100mm ×100mm的三维样件。 激光直写：最小线宽：500 nm；最大加工区域：50 mm 50 mm；拼接误差≤250 nm；套刻误差≤250 nm。 服务要求： 提供2年质保，响应故障时间 ≤ 24 小时。 安全： 所有设备符合国家安全标准。 时限要求： 合同签订后30天内完成设备交付、安装及验收。