硅片采购

A****9900其他矿与矿物

1.测试片相关料号WAF****001，为p型测试片中的particle wafer，主要用于电阻率测试和颗粒测试，particle wafer对颗粒数量和粒径有限定要求，需求2400片。 2.dummy相关料号WAF****031，需求为挡片，电阻率要求0.5-100ohm，用途包括机台使用等，需求数量共计2000片。 3.测试片相关料号WAF****011，为括p型测试片中的control wafer，主要用于电阻率测试和颗粒测试，电阻率p control要求在8-12ohm，为关键参数项，需求1200片。 4.需求料号WAF****600需求为产品片，产品要求衬底厚度775um，衬底电阻率要求在1-3mohm，衬底掺杂要求为As，背封要求LTO 1500 A+/-10% + Poly 4000 A+/-10% + LTO 1000 A+/-10%，外延掺杂要求为磷烷，外延厚度要求7.0±5%um，电阻率要求0.25±5%ohm.cm，需求共计2500片。 5.需求料号WAF****040需求为产品片，产品要求衬底厚度775um，衬底电阻率要求在2.4-3.1mohm，衬底掺杂要求为B，背封要求LTO1500A +/- 10 % + Poly 4000 A +/- 10% + LTO 1000 A +/- 10%，外延掺杂要求为硼烷，外延第一层厚度要求2.0±5%um，电阻率要求0.1±6%ohm.cm；外延第二层厚度要求2.5±5%um，电阻率要求0.54±6%ohm.cm需求共计1800片。 6.需求料号WAF****340需求为产品片，产品要求衬底厚度775um，衬底电阻率要求在2.5-3.1mohm，衬底掺杂要求为B，背封要求LTO 1500 A +/-10% + Poly 4000 A+/-10% + LTO 1000A +/-10%，外延掺杂要求为硼烷，外延第一层厚度要求2.0±5%um，电阻率要求0.1±6%ohm.cm；外延第二层厚度要求3.4±5%um，电阻率要求0.85±6%ohm.cm需求共计500片。 7.需求料号WAF****860需求为产品片，产品要求衬底厚度775um，衬底电阻率要求在1-1.3mohm，衬底掺杂要求为ph，背封要求LTO 1500A +/- 10% + Poly 4000A +/-10% + LTO1000 A +/- 10 %，外延掺杂要求为磷烷，外延厚度要求3.4±5%um，电阻率要求0.24±5%ohm.cm，需求共计350片。