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| 碳化硅晶体生长炉 | |
| 项目所在采购意向: | ****2025年11月至2025年12月政府采购意向 |
| 采购单位: | **** |
| 采购项目名称: | 碳化硅晶体生长炉 |
| 预算金额: | 220.000000万元(人民币) |
| 采购品目: | |
| 采购需求概况 : |
采购内容:1、CVD 外延炉;2、液相法碳化硅晶体生长炉;3、籽晶压接机;主要功能或目标:1、CVD 外延炉:适用于碳化硅衬底的外延生长,支持同质或异质外延,能够满足不同应用场景器件制造所需的衬底要求,作为碳化硅外延单步工艺探索的主要设备,进一步提升碳化晶体制备的完整性和多样性,从而为碳化硅器件研制提供合格衬底材料。外延炉应包含尾气处理系统。 2、液相法碳化硅晶体生长炉:采用液相法生长技术,实现8吋及以下碳化硅晶体生长。设备需优化的热场,为晶体生长提供稳定的温度环境。可实现远程操作与监控,实时掌握生长过程。加热均匀,确保晶体生长过程的稳定性。测温准确,保障温度控制的精确性。真空系统稳定,提升晶体质量。 配备完善的安全报警系统,保障设备及操作人员的安全,满足最新液相法生长碳化硅晶体的实验要求。设备含 6寸 4HSiC的 P型生长工艺基础包。工艺包保证生长晶锭厚度 >1mm,表面光滑,晶型单一电阻电阻率均匀。设备含生长2炉6寸P型4HSiC的所有物料。 3、籽晶压接机:用于碳化硅晶体生长前准备工作,可完成8吋及以下籽晶的粘接工作,配备石墨纸和石墨托,确保粘接过程中温度、压力、涂胶均匀,无气泡产生,从而为后续晶体生长提供稳固的初始条件。 ;需满足的要求:满足功能目标。
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| 预计采购时间: | 2025-12 |
| 备注: |
无
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本次公开的****政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写