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双面模块封装工艺服务（XF-WSBX-2500456）延期公告

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浙江 -杭州

发布时间： 2025年10月09日

摘要信息

招标单位

招标编号

招标估价

招标联系人

招标代理机构

代理联系人

报名截止时间

投标截止时间

关键信息

模块工艺服务公告

招标详情

下文中****为隐藏内容，仅对千里马会员开放，如需查看完整内容请或拨打咨询热线： 400-688-2000

相关单位：

***********公司企业信息

延期信息

延期理由：

由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2025-10-12 12:00

项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式联系人联系电话签约时间要求到货时间要求预算总价发票要求含税要求送货要求安装要求收货地址供应商资质要求公告说明

双面模块封装工艺服务	****
2025-09-28 10:54:11	2025-10-12 12:00:00
****	货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额


￥400000.00





符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购清单1

采购商品采购数量计量单位所属分类

多芯片与基板烧结委托加工

个

其他服务

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 2600.00

详细技术要求：外形尺寸：烧结后基板的整体翘曲量 < 20 μm。机械性能：芯片与基板之间的剪切强度 > 130 MPa。工艺窗口：烧结温度 < 180℃ 烧结压力 < 5 MPa 烧结时间 < 5 分钟外观与洁净度：烧结后基板表面无可见氧化现象，无有机物残留。界面微观性能：烧结层孔隙率 < 5% 界面烧结材料的导热系数 > 300 W/(m﹒K)

质保期:1年;

采购清单2

采购商品采购数量计量单位所属分类

烧结芯片基板组件与Mo载体烧结

个

其他服务

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 2600.00

详细技术要求：外形尺寸：最终完成的烧结芯片基板组件（即芯片-基板-钼载体三层结构）整体翘曲量 < 20 μm。机械性能：芯片顶层的焊盘（如源极焊盘）与钼载体之间的剪切强度 > 110 MPa。工艺窗口：烧结温度 < 180℃ 烧结压力 < 5 MPa 烧结时间 < 5 分钟外观与洁净度：烧结后组件无可见氧化，无有机物残留。界面微观性能：芯片与基板之间的烧结层孔隙率 < 5%（此条要求可能针对的是第一道烧结工序的界面，需明确；若指本次烧结界面，则应修改为“与钼载体的烧结界面”）。界面烧结材料的导热系数 > 300 W/(m﹒K)

质保期:1年;

采购清单3

采购商品采购数量计量单位所属分类

双面烧结组件与散热器直冷烧结

个

其他服务

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 400.00

详细技术要求：工艺窗口：烧结压力 < 3 MPa 烧结温度 < 180℃ 烧结时间 < 10 分钟界面性能：界面剪切强度 > 90 MPa 界面导热系数 > 250 W/(m﹒K) 界面烧结层有机物残留率 < 0.5% 结构可靠性：烧结后，组件中的陶瓷基板（如DBC）的陶瓷层（如Al2O3或AlN）无断裂。陶瓷层断裂失效率 < 2%。组件整体翘曲度 < 0.1 mm。

质保期:1年;

采购清单4

采购商品采购数量计量单位所属分类

双面烧结组件与散热器塑封

个

其他服务

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 2000.00

详细技术要求：封装完整性：塑封体填充饱满，无可见气孔、裂纹或缺胶等缺陷，确保完全覆盖芯片、键合线及敏感区域。界面粘结强度：塑封材料与芯片表面、基板、散热器之间的剥离强度须满足AQG 324标准中的相关要求，确保初始粘结力达标。高低温循环可靠性：组件必须通过基于AQG 324标准的严格测试。具体需进行-40℃ 至 +175℃的被动温度循环或主动功率循环测试，累计1000小时后，通过超声波扫描显微镜（SAT）检测，塑封界面（如塑封料/芯片、塑封料/基板、塑封料/散热器）均无任何分层现象。长期耐久性与电性能稳定性：在可靠性测试后，组件除界面无分层层外，还需满足以下要求：电性能：关键电气参数（如门极漏电流、绝缘耐压等）衰减幅度不得超过初始值的10%。结构完整性：塑封体本身不得出现开裂、粉化等失效迹象。

质保期:1年;

采购清单5

采购商品采购数量计量单位所属分类

粗铜线键合

件

其他服务

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 400.00

详细技术要求：键合材料：使用直径10 mil（约250 μm）的粗铜键合线，连接SiC MOSFET门极焊盘与基板上的相应焊盘。键合强度：单根铜线的键合点剪切强度 > 10 MPa。键合形貌：键合线弧高的控制偏差为 ±0.1 mm。工艺良率：芯片打线（键合）过程的失效率（如断线、虚焊等） < 1%。因打线工艺导致的芯片损伤（如裂纹、崩角）失效率 < 1%。

质保期:1年;