南昌大学所持晶圆级室温工作半导体硒化铅中红外探测芯片及其产业化项目

发布时间: 2025年10月13日
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****所持晶圆级室温工作半导体硒化铅中红外探测芯片及其产业化项目

一、项目背景

项目所属行业为红外传感行业,依托自身深厚的技术积累,以及先进的红外晶体材料生长方式,致力于向市场推出室温版红外传感晶圆、机芯组件、传感器以及成像设备。得益于技术的创新,系统将具备更高的性能指标,或者创造出新的可能性。

红外传感器诞生之初被用于军用领域,是军用红外产品的关键器件,在导弹制导、军机吊舱、对空导弹等陆、海、空战场上有广泛的应用,红外装备精良与否直接决定和影响着武器现代化水平。随着成本的不断下降在民用领域的应用越来越广泛,民用红外仪最早得到广泛应用的是对成本容忍度较高的电力监测领域,后来由****生产、封装方式改变带来的价格下降,在安防监控、户外、工业监测、无人驾驶等领域快速渗透。红外探测技术是衡量国家科技实力、军事实力和经济实力的重要指标之一。

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图1:红外探测应用,(a)红外光的应用:军事侦察、红外制导、工业分析、医学检测;

(b)红外探测器不同的用途:高光谱成像、光谱仪、高光谱集成

二、关键技术特点、优势及前期应用

相较于传统薄膜生长需求高真空设备如分子束外延(MBE)等,团队提出了一种低真空、低温的和低成本的外延生长技术,可生长超连续、大尺寸和均匀性高的单晶铅盐薄膜(见图2);通过测量其光电性能,这种新红外光探测机制具有宽光谱响应范围(400nm-5.um),超快响应(~500 ns)、室温工作、高比探测率(D*为3.0×1010cm HZ1/2W-1)等优点,为实现研制单像素红外光谱仪的高灵敏、实时性奠定了技术基础。

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图2:(a)2 英寸单晶铅盐半导体薄膜晶圆;(b)光谱响应曲线;(c)超快响应速度

团队产品在红外气体吸收光谱中的应用(见图3),通过对比商用红外仪,本项目产品满足近红外至中红外波段的光谱吸收应用,相较于商用InGaAs(1-2.5 um光谱响应)或MCT(2-8 um),项目组研制的硒化铅中红外探测器无需液氮制冷、稳定性优越。

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图3 本项目探测器在吸收光谱仪中的应用

团队设计开发了多元阵列读取电路,并应用制备的32×32的面阵,实现了高清的红外成像(见图4)。

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图4 焦平面阵列及读出电路研制与热成像应用

三、资金筹措

公司最早期的资金全部来自团队自筹,已投入100万元现金。目前科研市场对产品反应热烈,为丰富产品类型和深耕百亿的红外市场,需筹集资金扩大生产产能和增加半导体生产设备。初步估算未来2年产品开发需要固定资产投资2000万元,****公司成立、建立生产线、初步建立销售网络等。计划首轮募资2500万元,投资后估值1.8亿元;第二轮募资6000万元,投资后估值7.2亿元。

四、联系方式

联系人:胡女士、万先生

联系电话:0791-****1192/****6621/****1087

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2025-10-13
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