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InSe晶体
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1(盒)
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2D Semiconductors
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InSe-Bridgman growth
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尺寸1 厘米尺寸, 直接带隙二维半导体1.26 eV, γ-硒化铟晶体,易于剥离,布里奇曼生长(纯度99.99999%),高结晶度,单晶, 高环境稳定性 ,无隐藏相,无非晶化
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