耐辐射器件等材料采购采购公告

序号

硬件名称

规格

数量/单位

配件

1

耐辐射器件

标品 具体参数见下文

1套

防静电包装袋

序号

文件内容

数量

备注

1

器件辐照测试报告

1套

序号

名称

数量

技术指标

注

1

散热片

500片

插槽兼容性

Intel LGA1851.****.LGA1200,LGA1156.****. LGA1150 and AMD AM5. AM4

尺寸：≤75 mm*135 mm*150 mm；

重量：≤550g；

NSPR：88；

风扇：≥120mm*120mm*15mm;

上轴转速1850RPM（±10%误差）；

下轴转速450RPM（±10%误差）；

上限气流：94.2m06/h；

上线噪音：23.9dB；

额定电压：12V；

耐辐射指标：总剂量100Gy；剂量率100Gy/h。

可参考NH-L12S参数

2

USB芯片

1000片

集成四个下游端口，一个上游端口；

HS (480 Mbps), FS (12 Mbps), and LS (1.5 Mbps)；

Internal 1.8v core supply；

External 3.3v I/O supply；

兼容Linux Driver- Win Driver（xp、7）；

封装：64-pin QFN；

工作温度：-40°C - 85°C；

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考LAN9514I-JZX

3

电源管理芯片

2000个

静电流：4.2mA

内部开关：无

封装/外壳：24-VFQFN 裸露焊盘

工作温度：-40°C ~ 125°C

供应商器件封装：24-VQFN（4x4）

可编程特性：限流，故障超时，OVP，开启电压

通道数 1

电压-供电：2.5V ~ 18V

类型：热交换控制器，OR 控制器。

耐辐射指标：总剂量100Gy；剂量率100Gy/h。

可参考TPS24741RGER

4

串行通信芯片

1000个

类型：收发器

驱动器数：1

接收器数：1

工作电压：5V

数据速率：2.5Mbps

节点数：32

静电保护：±2kV

工作温度：0℃~+70℃

静态电流：300uA

耐辐射指标：总剂量100Gy；剂量率100Gy/h。

可参考LTC491CS#PBF

5

拨码开关

1000个

电路结构：单刀单掷；

开关位数：4位；

额定电流：25mA；

额定电压：24V；

工作温度：-20℃~+70℃；

耐辐射指标：总剂量10000Gy；剂量率100Gy/h。

可参考A6H-4101（OMRON）

6

线性稳压芯片

1000个

工作电压：20V

输出类型：可调

输出电压：0V~15V

输出电流：500mA

电源纹波抑制比(PSRR)：76dB@(1MHz)

压差：260mV@(500mA)

噪声：0.8uVrms

特性：防静电保护；PG脚；短路保护；低ESR；过热保护；欠压锁定；过流保护；带使能；防倒灌

工作温度：-40℃~+150℃@Ta

输出极性：正极

输出通道数：1

耐辐射指标：总剂量100Gy；剂量率100Gy/h。

可参考LT3045HDD#TRPBF

7

隔离变压器

1000个

耐压7200V-1mA 3s

匝数比：1:1

端口数量：单口

速率：100M

电感值：350uH

隔离电压(Vrms)：7.2kV

工作温度：-40℃~+85℃

耐辐射指标：总剂量1000Gy；剂量率100Gy/h

可参考TB****0112

（CND-tek）

8

比较器

2000个

7 ns延迟；

工作电压：3V~10V；1.5V~5V

工作温度：-40℃~+85℃

共模抑制比(CMRR)：85dB

IOH = –3.2 mA, VIN > 250 mV

IOL = +3.2 mA, VIN > 250 mV

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考AD8561ARZ-REEL

9

无源晶振

2000个

频率稳定性：±20ppm

工作模式：第三次泛音

安装类型：表面贴装型

频率：114.285MHz

ESR（等效串联电阻）：80 Ohms

高度-安装（最大值）：0.031"（0.80mm）

负载电容：18pF

封装/外壳：4-SMD，无引线

工作温度：-40°C ~ 85°C

大小/尺寸：0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）

频率容差：±20ppm

大小/尺寸：0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考ABM8-166-114.285MHZ-T2

10

运算放大器

2000个

放大器数 单路

最大电源宽度(Vdd-Vss) 5V

输入失调电压(Vos) 200mV

压摆率(SR) 50V/us

工作温度 -40℃~+85℃

单电源 3V~5V

压控增益范围：0dB至80dB

增益为40dB时，电源电流为3 mA

工作频率范围：低频(LF)至18 MHz

可调增益范围

低噪声： 4.5 nV/√Hz

全差分信号路径

失调校正(调零)功能

带宽可调

1.5 V内部基准电压源

16引脚LFCSP

自动增益控制功能

对高动态范围信号具有宽增益范围

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考AD8338ACPZ-R7

11

存储芯片

1000个

铁电材料；

接口类型：SPI

存储容量：8Mbit

工作电压：1.8V~3.6V

工作电流：2.8mA

时钟频率(fc) ：50MHz

待机电流：7.5uA

睡眠模式电流(Izz)：100nA

工作温度：-40℃~+85℃

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考CY15B108QN-40SXI

12

功率管

1000个

漏源电压(Vdss)：1.2kV

连续漏极电流(Id) ：140A

导通电阻(RDS(on))：22.3mΩ@20V,75A

耗散功率(Pd) ：714W

阈值电压(Vgs(th))： 3.6V@23mA

输入电容(Ciss)：6.68nF

反向传输电容(Crss)：32pF

工作温度：-55℃~+175℃

类型：N沟道

输出电容(Coss)：361pF

封装：TO-247-4

耐辐射指标：总剂量50Gy；剂量率100Gy/h。

可参考S2M****120K

13

桥接芯片

1000个

封装LQFP-208(28x28)

接口类型：PCI

工作电压：3.3V

工作温度：-40℃~+85℃

支持两个32位、66-MHz PCI总线

提供内部两级仲裁，最多支持9个次级主线总设备。

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考PCI2050BIPDV

14

芯片插座

2000个

连接阻抗: 35mΩ max.

承受电压: 500V

绝缘电阻: 800M min.

Socket BGA Series 350Z CPU Socket

耐辐射指标：总剂量10000Gy；剂量率100Gy/h。

可参考PZ35021-2641-01H

15

静电放电保护器件

2000个

极性：双向

反向截止电压(Vrwm)：33V

钳位电压：54.7V

峰值脉冲电流(Ipp)：276.1A

峰值脉冲功率(Ppp)：15kW

击穿电压：36.9V

类型：TVS

封装：插件

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考15KPA33CA

16

光耦

1000个

输出类型：AC，DC（RF）

电压-负载：0V ~ 40V

封装/外壳：16-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

电路：SPST-NO（1 Form A）x 4

负载电流：160mA

供应商器件封装：16-SOP

导通电阻（最大值）：1.25 Ohms

端接样式：鸥翼

电压-输入：1.3VDC

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考AQS221FR2S

17

数字隔离器

1000个

最大数据速率：25Mbps

隔离电压(Vrms)：2500

CMTI(kV/us)：35kV/us

工作温度：-40℃~+105℃

工作电压(VCCA)：3V~5.5V

工作电压(VCCB)：3V~5.5V

传播延迟(tpd)：60ns

耐辐射指标：总剂量200Gy；剂量率100Gy/h。

可参考ADUM5402WCRWZ-1