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西政工出[2025]3号高裕第三代半导体可靠性测试设备研发生产基地项目施工

浙江 -杭州

发布时间： 2025年10月23日

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第三代半导体测试设备研发生产

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西政工出[2025]3号高裕第三代半导体可靠性****基地项目施工

项目编号	****
项目名称	西政工出[2025]3号高裕第三代半导体可靠性****基地项目施工
工程地址	单元XH020303-02地块，单元XH020303-03地块，南至单元XH020303-04地块，西至规划云烟路，北至**路	工程类别	工程施工
建筑层数	地上:9地下:1深埋:5.85高:49.98	投资总额	15000.0000万元
建筑结构	框架	工期	730天
最大跨度	8.4000米	建筑面积	31177.5000平方米
建设单位名称	****	初步设计批复文号	备案（赋码）信息表，无文号
设计单位	******公司	质量要求	合格
招标组织形式	自行招标	投标保证金额	0万元
代理单位	****	招标方式	直接发包
报建时间	2025-10-23	代理经办人	吴楚
项目经理资格要求	建筑工程—级	经办人	招管中心
承包资质要求	施工总承包企业建筑工程三级
备注信息