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深圳大学 - 竞价结果公告（CB105902025000953）
招标详情
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**** - 竞价结果公告（****）
发布时间：2025-10-28 16:27:03
申购单号： ****
申购主题： 基于CVD工艺的W电极阵列单元晶圆片
采购单位： ****
竞价开始时间： 2025-10-20 16:04:51
竞价截至时间： 2025-10-28 12:00:00
币种： 人民币
付款方式： 货到验收合格后付款
备注说明：
质疑说明： 如果对成交结果有异议，请在发布成交结果之日起三个工作日内向采购单位提出质疑
成交总额： 195000.00
送货时间： 合同签订后15个日历日内交货，产品如有附件、备品备件及专用工具应随产品一同交付
安装要求： 免费上门安装（含材料费）
收货地址：
| 基于CVD工艺的W电极阵列单元晶圆片 | 无 | 39600.00 | 39000.00 | (1) 质保期限为5年；(2) 提供优质的售后技术支持服务，开通热线电话接受甲方的电话技术咨询，如故障不能排除，须在48小时内提供解决方案和现场服务，待产品运行正常后撤离现场。如遇特殊情况，无法现场解决问题的，需提供备用货物服务保障正常工作。(3) 其他：若经过验证，交付晶圆样片的W电极及其他相关参数不符合要求，中标方应启动工艺根因分析，并基于分析结果免费重新优化CVD工艺参数、组织流片，确保再次交付的晶圆样片完全满足约定规格，若仍无法满足参数设计要求，则应承担由此造成的全部损失。 | 1.工艺参数：基于12英寸标准硅晶圆、55 nm CMOS工艺平台的纳米W（钨）基电极阵列晶圆片。须采用化学气相沉积（CVD）工艺，以保证电极质量，同时须实现深宽比不小于3:1的纳米结构填充。制备的纳米电极须满足以下关键指标：全晶圆范围内电极柱高度偏差≤±5%，特定规格电极直径偏差≤±5%，柱体垂直度偏差≤5°，侧壁粗糙度≤2 nm；圆柱形电极内部致密、无孔洞；电阻率介于40-1000 μΩ﹒cm之间；为确保界面可靠性，须环绕W电极与周围介质材料之间制备≤15nm厚的TiN（氮化钛）或WN（氮化钨）粘附层，以有效增强结合力并阻止元素互扩散。 2.结构参数：单元结构中的电极须为圆柱体，圆柱体高度不低于200-300 nm，且圆柱体直径须提供以90 nm为基准，在正负50 nm范围内至少三种可调规格的方案。****中心水平间距须控制在60 μm至100 μm范围内，同时部分纳米电极在底部需具备电学互联能力。 | 5.0片 | 12英寸标准硅晶圆片 | 195000.00 | **** |
招标进度跟踪
2025-10-28
中标通知
深圳大学 - 竞价结果公告（CB105902025000953）
当前信息
2025-10-20
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