南京大学半导体器件模型与可靠性测试系统

A****0204 半导体器件参数测量仪

****拟采购半导体器件模型与可靠性测试系统1套，主要采购需求如下：1.可测试器件和形式：MOSFET, SOI, FinFET, TFT, HV/LDMOS, BJT/HBT, JFET, Diode, Resistor 等；2.最大测试电压±100V，最大测试电流±100mA；3.系统噪声电流本底＜1×10-27A2/Hz；4.最小直流电流分辨率10pA；5.晶圆级别带宽：(1)@10-23A2/Hz：0.03Hz-10MHz；(2)@10-27 A2/Hz：0.03Hz-20KHz；6. 电压放大器：带宽＜0.03Hz-10MHz，电压噪声本底＜0.65nV/ (@5KHz)；7. 电流放大器：带宽＜0.03Hz-1MHz，电流噪声本底＜0.7pA/ (@5KHz)；8.测试速度（@10-27A2/Hz）：＜60 秒/偏置电压；9. 具备4个高精度源测量单元：量程：±200V/1A，最高输出功率：20W，最小电流测量精度：30fA，电流测量分辨率≤0.1fA，电压测量精度：30μV，四象限操作；10. 脉冲IV 测试：I-T测试的最快采样率≥1M；数据存储容量≥100000个点；量程：±200V/3A，最高输出功率：不低于400W，最小电流测量精度：5pA，电压测量精度：30μV，最小脉冲宽度：50μs；11.软件主要指标：(1)软件界面**易操作，同时满足测试控制、图形显示和数据分析需求；(2)支持1/f 噪声和RTN 噪声测试 ，具有专业的数据分析功能；(3)测试结果可导出供用户后续分析研究，测试数据可直接导入；12. 预留半导体器件建模软件接口，可与测试系统对接进行相应提参，建模软件主要要求：(1)支持最新模型，支持 BSIM4.8.1, BSIM-BULK 107.0, BSIM-CMG 111.1, BSIM IMG 103.0；(2)支持常用半导体器件或电路的建模，支持 Global 模型和 Bin 模型建模，支持 Compact 模型、宏模型和 Verilog-A 模型，支持内建BSIM4，BSIM6，BSIMIMG，BSIMCMG RTN模型；13.交货时间3个月内；14.提供原厂质保期不低于1年。