****MOSFET驱动剂量仪已具备采购条件,现公开邀请供应商参加谈判采购活动。
内部编号:ZKX****0801C897。
| 编号 |
属性 |
技术参数 |
| 1 |
数量 |
10组 |
| 2 |
阈值电压变化率 |
≥10mV/Gy |
| 3 |
测量范围 |
1Gy至100kGy(支持高剂量电离辐射场景) |
| 4 |
栅氧化层厚度 |
145nm、400nm、1000nm |
| 5 |
介电常数 |
3.9±0.2 (需通过椭圆偏振仪验证) |
| 6 |
晶体管类型 |
N型与P型双通道设计(支持差分信号检测) |
| 7 |
W/L |
|
| 8 |
读出电压范围 |
0.5V~8V |
| 9 |
温度范围 |
-55℃~+125℃ |
| 10 |
重复性 |
≤5% |
| 11 |
裸片尺寸 |
≤2mm×2mm×1mm |
| 12 |
引脚耐压 |
±15V(防反接保护) |
| 13 |
顶层硅厚度 |
55nm, 75nm, 100nm |
| 14 |
顶层硅位错密度 |
≤1006cm6305 |
| 15 |
顶层硅表面粗糙度 |
≤0.3nm |
| 16 |
衬底硅厚度 |
725μm±25μm |
| 17 |
电极材料 |
Ti/Au(厚度:Ti 10nm,Au 50nm) |
| 18 |
接触电阻 |
≤1Ω﹒mm |
| 19 |
器件类型 |
N型/P型MOSFET |
| 20 |
其他要求 |
1.需在交货时提供椭圆偏振仪测试、氧化层击穿测试、次级离子质谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X 射线光电子能谱等表征报告; 2.供货方报价时提供设计方案(包含TCAD模拟、工艺原理、工艺流程、关键控制参数等)、****MOSFET驱动剂量仪设计结构图及接线图、电场分析报告、测试方案及以往案例; 3.为保障项目顺利推进,实现对****MOSFET驱动剂量仪的深度定制与品质把控,需方需参加到****MOSFET驱动剂量仪的设计、制备、测试等全流程阶段工作中。供方应提供全面且专业的支持,涵盖技术资料共享、现场操作指导、理论知识讲解等内容,确保需方相关人员能够充分理解并有效参与各环节工作。供方承诺以培养需方独立掌握相关技术流程为目标,通过系统的培训与实操指导,助力需方在项目全流程中发挥关键作用。 |
本服务对****MOSFET驱动剂量仪进行设计、制备、表征与测试,具体参数见表1。供方应根据需方要求,编写设计报告,开展研制工作,并出具第三方表征报告和测试报告。具体设计与加工细节由双方**协商,确定方法后供方编写设计方案,由需方审批后开展制备、表征及测试。供方应交付10组设备,并出具具有效力的试验报告。
(3)信誉要求:
a.在最近三年内未发生重大产品质量问题(以相关行业主管部门的行****机关出具的有关法律文书为准);
b.****机关在**企业信用信息公示系统(http://www.****.cn/)中列入严重违法失信企业名单;
c.未在“信用中国”网站(www.****.cn)或各级信用信息共享平台中列入失信被执行人名单;在最近三年内供应商或其法定代表人、拟委任的项目负责人无行贿犯罪行为;
d.****集团及院纳入黑名单、灰名单等(不包含已释放的);
e.不存在核安全监管“两个零容忍”情形,被核安全监管部门明确停工处罚的,或即将面临停工处罚的。
(4)其他:a.供****集团电子采购平台的报名、下载文件、报价等环节实施过程中,出现IP地址一致等异常情况;b.供****集团电子采购平台“风险阅知”中出现高风险和中高风险提示情形;采购单位将视情况决定对出现上述情形的供应商进行调查或直接采取处理措施。采购单位如进行调查的,供应商有义务配合调查并按要求做出回应,如供应商未按采购单位要求及时回应的,则采购单位有权根据已知资料和情况做出相关处理决定。
6.1 谈判时间:同响应文件递交截止时间。标书代写
6.2 谈判地点:同响应文件递交地点。标书代写
6.3 采购单位在本项目提交响应文件截止时间公开开启响应文件。标书代写
6.4 供应商须委派法定代表人(单位负责人)或其授权的代理人现场参与谈判。
本次谈判采购****集团电子采购平台、中国招标投标公共服务平台上发布。
采购人:****
地址:**市**区新镇
联系人:闫老师
电话:010-****7604
采购代理机构:****
地址:**市**区金沟河路与采石北路十字路口东南角88号大楼
售卖联系人:刘女士
电话:010-****9059
项目负责人:金宇
电话:010-****5276
电子邮件:****@zonkex.com
****纪检监督部举报电话:010-****7861。
2025年10月30日