硅基65nm工艺多目标流片服务项目成交结果公告

发布时间: 2025年11月01日
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硅基65nm工艺多目标流片服务项目成交结果公告

发布日期:2025-11-01

项目概况

项目名称 硅基65nm工艺多目标流片服务项目 项目编号 ****
开始时间 2025-10-27 14:08 结束时间 2025-11-01 14:08
供应商资格要求 参照《****政府采购法》第二十二条规定的资格条件。 预算金额(元) 230000.00
联系电话 186****8621

成交供应商信息

成交供应商 **** 成交金额 229999
成交理由 符合需求,价格最低

采购服务信息列表

序号 货物(服务)名称 数量 计量单位 预算单价
1 硅基65nm工艺多目标流片服务项目 100 2300
技术参数 1)具有1.2V核心电压和9层金属后端,且最小的金属电容为2fF/μm2;(2)MOS晶体管的截止频率fT和最大振荡频率fMAX分别200GHz和250GHz,适合超高速集成电路设计;(3)具备低功耗的特点
相关材料 流片服务技术参数-****.doc
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2025-11-01
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