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MOSFET竞价公告
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招标详情
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相关单位：
***********公司企业信息
| 项目名称 | MOSFET | 项目编号 | **** |
| 项目编号 | **** | ||
| 公告发布日期 | 2025/11/03 09:04 | 公告截止日期 | 2025/11/06 09:04 |
| 公告截止日期 | 2025/11/06 09:04 | ||
| 采购单位 | **** | ||
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 | ||
| 采购预算 | 未公开 | 币种 | RMB |
| 币种 | RMB | ||
| 是否本地化服务 | 否 | 是否需要踏勘 | 否 |
| 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||
| 踏勘联系电话 | |||
| 踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||
| 踏勘联系时间 | |||
| 送货/施工/服务期限 | 合同签订后 20 天内到货 | ||
| 送货/施工/服务地址 | ********学院 | ||
| 售后服务 | 服务网点:当地;电话支持:7x24小时;服务年限:3年;服务时限:报修后24小时;销售资质:协议供货商;商品承诺:原厂全新未拆封正品; 1、要求仪器为原厂全新产品；2、中标后提供产品详细设计图和原理图。 | ||
| 付款条款 | 国产设备：1.供应商在申请验收前，须先把合同总金额的（/）%作为质保金交到采购人指定账户，并开具合同金额100%发票；2.货到合同指定地点并安装调试验收合格后，凭验收报告在10个工作日内支付合同总金额的（100）%；3.在验收合格之日起的（/）年后无质量问题，经采购人认可，一次性将合同质保金无息退还供应商。 | ||
采购清单
1
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| MOSFET | 29(个) | |||
| 参考品牌及型号 | ****公司****研究所/WMT600A120D1J | |||
| 技术参数要求 | 0.要求为原装全新正品。生产日期2025年1月1日以后，且提供来源说明 1.漏源最大电压：V(BR)DSS = 1200V 2.栅源最大电压：VGS=-10/+23V 3.漏极电流最大值：ID=450A @TA=65°C 4.工作结温：TA=-55~+175°C 5.栅源阈值电压:VGS(th)=2.0~4.0V @VDS=VGS,ID=180mA 6.漏源通态电阻:RDS(on)=3.5mΩ @VGS =0V, ID=450A 7.寄生电容:Ciss=37.1nF,Coss=1.38nF,Crss=0.115nF @VGS=0V, VDS=800V f=100kHz, VAC=25mV 8.开启关断延迟时间:td(on)=102ns,td(off)=275ns @VDS=800V,VGS=-5V/18V,ID=450A,RG(ON)=3Ω, RG(OFF)=2Ω,L=30μH 9.上升下降时间:tr=55ns,tf=47ns @VDS=800V,VGS=-5V/18V, ID=450A,RG(ON)=3Ω, RG(OFF)=2Ω,L=30μH 10.开通关断损耗:Eon=20mJ,Eoff=17mJ @VDS=800V,VGS=-5V/18V, ID=450A,RG(ON)=3Ω, RG(OFF)=2Ω,L=30μH 11.内部栅极电阻：RG=1.46Ω @f=1MHz, VAC=25mV 12.栅极电荷：QG=1660nC @VDS=800V,VGS=-5V/18V,ID=450A 13.体二极管正向压降：VSD=5.2V @VGS=-5V, ISD=450A 14.结到散热器的热阻：RthJH=0.12℃/W @水温65℃，水流10L/min | |||
采购清单
2
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| MOSFET | 11(个) | |||
| 参考品牌及型号 | ****公司****研究所/WMH01KA120E1J | |||
| 技术参数要求 | 0.要求为原装全新正品。生产日期2025年1月1日以后，且提供来源说明 1.漏源最大电压：V(BR)DSS = 1200V 2.栅源最大电压：VGS=-8/+22V 3.栅源推荐电压：VGS=-4/+18V 4.漏极电流最大值：ID=1400A @VGS=18V,TC=65°C 5.耗散功率：PD=5000W 6.工作结温：TA=-55~+175°C 7.栅源阈值电压:VGS(th)=2.0~4.0V @VDS=VGS,ID=180mA 8.漏源通态电阻:RDS(on)=1.4mΩ @VGS =18V, ID=500A 9.寄生电容:Ciss=89.7nF,Coss=3.14nF,Crss=0.24nF @VGS=0V, VDS=800V,f=100kHz, VAC=25mV 10.开启关断延迟时间:td(on)=246ns,td(off)=293ns @VDS=600V,VGS=-5V/18V,ID=1000A,RG(ON)=4.1Ω, RG(OFF)=0.5Ω,L=15μH 11.上升下降时间:tr=163ns,tf=59ns @VDS=600V,VGS=-5V/18V,ID=1000A,RG(ON)=4.1Ω, RG(OFF)=0.5Ω,L=15μH 12.开通关断损耗:Eon=66mJ,Eoff=38mJ @VDS=600V,VGS=-5V/18V, ID=1000A,RG(ON)=4.1Ω, RG(OFF)=0.5Ω,L=15μH 13.内部栅极电阻：RG=0.9Ω @f=100kHz, VAC=25mV 14.栅极电荷：QG=4160nC @VDS=800V,VGS=-5V/18V,ID=1000A 15.体二极管正向压降：VSD=5.71V @VGS=-5V, ISD=1000A 16.结到散热器的热阻：RthJH=0.03℃/W @水温65℃，水流10L/min | |||
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