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| 光电子器件 | 25.0/件 | 见附件 | 中心波长:1064 nm,操作波长范围:1030±20 nm,均匀度:0.5 dB,最大消光比:20 dB,典型插入损耗:0.8 dB,最大光功率:500 mW。耦合率:01/99-50/50。 中心波长:1030 nm,操作波长范围:1030±10 nm,最大消光比:20 dB,最小准直性:50 dB,典型插入损耗:0.6 dB,最大光功率:2 W。 中心波长:532 nm,操作波长范围:532±10 nm,典型消光比:24 dB,最小消光比:24 dB,典型插入损耗:1.3 dB,最大插入损耗:1.5 dB。 中心波长:1064 nm,操作波长范围:1064±30 nm,典型消光比:30 dB,最小消光比:28 dB,,典型插入损耗:0.5 dB,最大插入损耗:0.7 dB。 中心波长:532 nm,操作波长范围:532±10 nm,最小消光比:18 dB,典型插入损耗:1.3 dB,最大插入损耗:1.5 dB,最小准直性:50 dB。 中心波长:1030 nm,操作波长范围:1030±20 nm,最小消光比:22 dB,最小准直性:50 d | 按行业标准提供服务 |