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硅基薄膜铌酸锂芯片光口、直流口封装
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3(片)
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1. 供应商可对外提供标准及国内领先的光学封装工艺和电学封装工艺; 2. PCB设计加工(直流pad :100um×100um,中心间距200um,距离芯片边缘50um, 共计22个直流Pad),该组封装PCB与下组封装共用; 3. 定制8通道保偏阵列光纤, 3.5~9um (单颗芯片上左侧阵列端面耦合器:8通道,C 波段, 127 um,匹配的光纤模场直径约3.5um,端面耦合器TE Loss~1.5dB/facet ) 4. 定制10通道保偏阵列光纤, 3.5~9um(单颗芯片上右侧阵列端面耦合器:10通道,C 波段, 127um, 匹配的光纤模场直径约3.5um,端面耦合器TE Loss~1.5dB/facet) 5. 金属底座及封装基板设计加工,芯片键合、金丝键合,双端高精密阵列光纤耦合封装,封装耦合损耗≤1.5dB/facet;
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验收过程中,如服务工作及服务成果存在错误、缺陷或与约定不符的,立即采取纠正、补充或甲方要求的其他补救措施
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硅光芯片光口、直流口封装
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3(片)
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1. 供应商可对外提供标准及国内领先的光学封装工艺和电学封装工艺; 2. 直流pad :60um×80um,中心间距100um,距离芯片边缘50um, 共计49个直流pad; 3. 定制14通道127um 锥形单模光纤阵列(单颗芯片上左右两侧阵列端面耦合器:14通道,C波段,匹配的光纤模场直径约2.5um, 端面耦合器TE Loss~2.2dB/facet); 4. 金属底座及封装基板设计加工,芯片键合、金丝键合,双端高精密阵列光纤耦合封装,封装耦合损耗≤2.2dB/facet;
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验收过程中,如服务工作及服务成果存在错误、缺陷或与约定不符的,立即采取纠正、补充或甲方要求的其他补救措施
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